Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Фононы 1-фононные

Для температур, близких к температуре плавления кристалла, / может уменьшаться до 6—10 межатомных расстояний. При очень низких температурах / достигает величины порядка 0,1 см. Характер изменения длины свободного пробега фонона в зависимости от температуры во многом накладывает отпечаток на температурную зависимость теплопроводности. Величина средней длины свободного пробега фонона I определяется главным образом двумя процессами — рассеянием на статических несовершенствах решетки (например, дефекты) и рассеянием фононов на фононах. Если силы взаимодействия между атомами в решетке являются чисто гармоническими, то никакого механизма фонон-фононных  [c.43]


Фонон-фононные взаимодействия  [c.49]

Фононы и волны в кристалле  [c.256]

Опустим на некоторое время значок / и не будем выполнять симметризации.) Цепочка сомножителей (117.9) описывает состояние, в котором имеется п(1, 1) фононов [п(1, 1)-е состояние гармонического квантового осциллятора] осциллятора с координатой плюс плюс п(а,ц) фононов осциллятора  [c.371]

Состоянию с 1 фононами соответствует волновая функция V,) и энергия  [c.40]

Ангармонизм колебаний решетки является определяющим в таких явлениях, как тепловое расширение и теплопроводность, которые зависят от времени жизни фононов (=1—10 пс) и фонон-фононных взаимодействий. Все это относится и к поверхностным фазам. Согласно формуле (5.11) коэффициент теплового расширения  [c.161]

Квант энергии колебаний кристаллической решетки называется фононом. Энергия фонона равна Йы, где ы — угловая частота.  [c.206]

Взаимодействие между электронами прежде всего приводит к экранированию затравочного взаимодействия ионов с электронами и друг с другом, описываемого выражением (5.1). Пусть есть матричный элемент оператора взаимодействия электронов с фононами. Совокупность фононов весьма грубо можно рассматривать как внешнее поле, взаимодействие электронов с которым характеризуется матричным элементом Это взаимодействие вызывает поляризацию электронного газа, что, в свою очередь, изменяет характер самого взаимодействия —в полной аналогии с экранированием поля пробного заряда электронами (см. гл. П1). Поскольку типичные фононные частоты очень малы по сравнению с характерными частотами системы электронов (отношение их оказывается порядка У т/М), характер экранирования в рассматриваемом случае будет весьма похож на то, что мы имели в случае статического внешнего заряда. Таким образом, матричный элемент эффективного электрон-фононного взаимодействия приближенно дается выражением  [c.303]

Выражение для Ф(к, J кх, Д —к—кх, /2) при /1=/а, т. е. когда тепловые фононы 1 и 2 имеют одинаковую поляризацию, может быть упрощено и представлено через симметризованную комбинацию констант Грюнайзена /з, характеризующую усредненную ангармоничность решетки диэлектрика, в виде [9]  [c.250]

Расчет показывает, что для полярный оптических фононов 1/А .  [c.47]

Фононные числа заполнения начального и конечного состояния совпадают, за исключением следующих изменений к — 17 + 1 и ггк в - Пк з" + 1- Очевидно, такой переход можно рассматривать как событие, в котором фонон 5-й ветви с волновым вектором к распадается на два фонона с волновыми векторами к и к" и номерами ветвей з и з".  [c.125]


Фононная поправка н концентрации вакансий  [c.256]

Процессом, обратным распаду, является слияние двух фононов ка и кз в один фонон 1. Легко найти, что члены в гамильтониане, ответственные за этот процесс, отличаются от  [c.345]

Т. ТВ, тел имеет разл, природу в зависимости от типа тв. тела, В диэлектриках, не имеющих свободных электрич. зарядов, перенос энергии теплового движения осуществляется фононами. У ТВ. диэлектриков Я vl, где с — теплоёмкость диэлектрика, совпадающая с теплоёмкостью газа фононов, v — ср, скорость фононов, приблизительно равная скорости звука, I — ср. длина свободного пробега фононов. Существование определённого конечного значения 1 следствие рассеяния фононов на фононах, на дефектах крист, решётки (в частности, на границах кристаллитов и на границе образца). Температурная зависимость X определяйся зависимостью от темп-ры си/.  [c.748]

В физике твердого тела при анализе многих явлений (дифрак, ция, движение электронов в периодическом потенциальном поле, рассеяние фононов), связанных с периодическим расположением дискретных частиц, чрезвычайно важную и полезную роль играет обратная решетка. Обратная решетка не является решеткой в том обычном смысле, который мы вкладывали при определении пространственной решетки кристалла, (см. 1.1). Обратной решетки не существует в кристалле, она представляет собой удобную абстракцию, позволяющую математически довольно просто и точно описы-  [c.24]

Заметим, что дефекты кристаллической решетки тоже влияют на длину свободного пробега <Лф>, но это влияние уменьшается с понижением температуры, поскольку в этом случае наиболее важными являются длинноволновые фононы, длины волн которых при 1 К достигают значений порядка 100 межатомных расстояний. На такие волны не влияют дефекты размерами порядка  [c.192]

Тепловые колебания кристаллической решетки. Фононы 129 6.2. Электроны проводимости и дырки 139 6.3. Твердое тело как газ квазичастиц 146 6.4. Фотоны и квазичастицы  [c.127]

Тепловые колебания кристаллической решетки. Фононы  [c.129]

Фононы и фотоны. Фононы во многих отношениях аналогичны фотонам. И те, и другие не имеют электрического заряда и массы покоя. И те, и другие являются бозонами их химический потенциал равен нулю (напомним совпадение выражений (6.1.13) и (2.4.29)). По аналогии с  [c.137]

С тепловыми колебаниями кристаллической решетки связаны нормальные волны. Фактически к ним относятся и звуковые волны. Квантование этих волн приводит к квазичастицам, называемым фононами (см. 6.1). В упорядоченной магнитной структуре, например в ферромагнетике, возникают коллективные движения в виде так называемых спиновых волн они связаны с распространяющимися по кристаллу изменениями ориентации спиновых моментов  [c.146]

Длина пути, проходимого фононом от момента его возникновения до момента уничтожения, в общем случае в значительной степени определяется энергией фонона. Для фононов с малой энергией длина свободного пробега может быть очень большой. Но для фононов, энергия которых превосходит граничную энергию процессов переброса ко0и (подробнее ом. с. 45), длина св 0 бо днаго пр-обега становится небольшой. Однако для любого ра СП ределения фононов с помощью выражения (1.42) можно определить длину свободного пробега.  [c.43]

При умеренных интенсивностях возбуждения (т. е. при небольшой плотности экситонов) релаксация кинетич. энергии экситонов осуществляется в осн. путём испускания продольных оптич. фононов (LO-фононов), при этом экситоны релакснруют по квазиуровням с энергией =kv—nhvio (1 де v — частота возбуждающего света, ю — частота оптич. фонона, п — целое число).  [c.517]

I—длина свободного пробега, определяется рассеиванием фононов на фононах, на электронах и на дефектах решетки и примесях. При комнатной температуре и выше, как это показано Макинсоном [4], в чистом металле рассеивание фононов происходит главным образом благодаря их взаимодействию. В этом случае длина свободного пробега фононов (или коэффициент рассеивания р.) будет зависеть от числа с )Ононов в единице объема [1]  [c.118]

Рис. 2.7. Сверхизлучательный режим лазерного охлаждения примесных кристаллов и стёкол с использованием вспомогательных коротких лазерных импульсов. Обозначения НЛН — непрерывная лазерная накачка, КЛИ — короткий лазерный импульс, ОСИ — оптическое сверхизлучение, Ф — фотон, Фн — фонон 1, 2, 3 — энергетические уровни Рис. 2.7. Сверхизлучательный режим <a href="/info/249479">лазерного охлаждения</a> примесных кристаллов и стёкол с использованием вспомогательных коротких лазерных импульсов. Обозначения НЛН — непрерывная <a href="/info/144305">лазерная накачка</a>, КЛИ — короткий лазерный импульс, ОСИ — оптическое сверхизлучение, Ф — фотон, Фн — фонон 1, 2, 3 — энергетические уровни

Если тело движется в среде со скоростью, превышающей скорость звука, то за счет его кинетич. энергии в среде создаются и распространяются акустич. волны. В П. нетрудно создать достаточно сильные электрич. поля, в к-рых дрейфовая скорость электронов превышает скорость звука в ней, и, взаимодействуя с решеткой, электроны генерируют фононы. 1"е-нерация ультразвука наблюдалась в dS (см. Ультразвука усиление).  [c.112]

Оценка длины свободного пробега фононов 1 , по данным теплоемкости [7], плотности и скорости звука для р Сг8е, обладаюш,его самой вы-  [c.108]

Энергии фопонов с такими волновыми векторами Ki и /<2, которые отвечают процессам переброса, окажутся порядка кв012, потому что у фононов 1 и 2 величины волновых векторов должны быть порядка G 2 для того, чтобы оказалось возмол С-ным столкновение тппа (6.61). (Если оба фонона нме.ют малые К и, следовательно, низкие энергпп, то не существует никакого способа получить в результате их столкновения величину волнового вектора, сравнимою с G/2. В процессах переброса энергия должна сохраняться, так же как и в но])мальиых процессах.)  [c.241]

Первое слагаемое в (25.16) обязано явлениям диффузии и термодиффузии. Среднее время соударений примесей с фононам/1 и ротонами мало зависит от концентрации, поэтому вклад первого члена в и фф возрастает с уменьшением концентрации с по закону 1/с. Что касается температурной зависимости первого слагаемого, то благодаря быстрому убыванию энтропии с понижением температуры величина его быстро убывает. Наоборот, второе слагаемое (и), как мы указывали, растет с убыванием температуры. Поэтому эффективная теплопроводность (Иэфф) имеет характерный минимум, который хорошо виден на приведенном в [31] рисунке.  [c.157]

Исследуем равновесные свойства твердого тела при низких температурах, вычисляя статистическую сумму для соответствующего газа фоионов. Энергия состояния, в котором имеется щ фононов 1-то типа, есть )  [c.285]

Удовлетворительные результатаы [41, 42] были получены методом Гувера и Ри для модели 6 12 Леннард-Джонса. При расчете кривой плавления для натрия Строуд и Ашкрофт [15] использовали выражение Перкуса — Йевика (6.29) для энтропии системы твердых шаров в жидкой фазе, однако при вычислении энтропии твердой фазы отклонения от идеальной решетки описывались с помощью представления о самосогласованных фононах ( 1.8). Для металлов чпсло различных вкладов в свободную энергию (энергия межэлектронного взаимодействия, слагаемые, описывающие структуру зон, взаимодействие между ионами и т. д.) столь велико, что выде.пить основные статистические закономерности фазового перехода совершенно невозможно.  [c.282]

ПРИРОДУ колебаний атомов решетки. Можно считать, что При данной низкой температуре возоуждаются только те моды, для которых кйз кТ, и что число мод, возбуждаемых на данной частоте, пропорционально Из этого следует, что Факторами, которые дают вклад в температурную зависимость удельного сопротивления при низких температурах, являются число фононов, на которых может происходить рассеяние, вероятность рассеяния и угол рассеяния. Совместное действие этих факторов приводит к тому, что удельное сопротивление оказывается пропорциональным Р, однако рассуждения, приводящие к этому выводу, слишком сложны, чтобы излагать их здесь [1, 3].  [c.194]

То, что а и б являются характеристиками термометра, естественно следует из теории, обсуждавшейся ранее. Согласно (5.1), наклон кривой зависимости сопротивления от температуры обратно пропорционален полному времени релаксации т. Основная часть т — это вклад элоктрон-фононных взаимодействий, который обратно пропорционален температуре, однако сюда входят также времена релаксации для взаимодействий электронов с примесями, вакансиями и границами зерен. Все эти вклады зависят также от температуры, и поэтому величина а должна служить и служит чувствительным показателем чистоты проволоки и качества ее отжига. Отклонение от линейности б является функцией коэффициентов при Р и членах более вы-  [c.202]

Характеристику железородиевого термометра в весьма широком диапазоне температур можно аппроксимировать полиномами разумного порядка [46]. В диапазоне от 0,5 до 20 К полином восьмой степени обеспечивает стандартное отклонение не более 0,2 мК в диапазоне от 0,5 до 27 К для той же точности достаточен полином одиннадцатой степени. Эти полиномы описывают температуру как функцию сопротивления. Менее точные данные в диапазоне от 27 до 273 К могут быть аппроксимированы с точностью до 1 мК полиномом, в котором в качестве независимой переменной принимается lпZ, где Z представляет собой отношение (7 т— 4,2)/( 273,16— 4,2)- Сложности возникают при попытках аппроксимировать диапазоны, включающие температуру 28 К, поскольку в этой точке низкотемпературное сопротивление, обусловленное примесными явлениями, уступает место высокотемпературному сопротивлению, обусловленному рассеянием на фононах, и кривая зависимости сопротивления от температуры проходит через точку перегиба.  [c.235]

В случае высоких температур (Т Псло) наиболее вероятно испускание и поглощение фононов с большими энергиями порядка Йсоо. Но поэтому из формулы (6.85) получаем, что концентрация фононов (ПфУ Т/ Нао). Как показано в квантовой теории твердого тела (см., например, кн. Абрикосов А. А. Введение в теорию нормальных металлов. М., 1972), взаимодействие фононов с электронами описывается матричным элементом гамильтониана взаимодействия, зависящим от импульса рассеяния, и полная вероятность W рассеяния с испусканием (или, аналогично, с поглощением фонона) оказывается пропорциональной Г/й.. Отсюда время релаксации т 1/WП/Т. Это соотношение определяет и <Яэл>. Следовательно, /Сэл=соп81, т. е. теплопроводность не зависит от температуры.  [c.196]


Для равновесного газа квазичастиц функция v e) имеет универсальный вид, зависящий от характера статистик квазичастиц данного типа (статистика Бозе — Эйнштейна или статистика Ферми — Дирака). Так, для фононов она описывается выражением (6.1.13), а для электронов проводимости и дырок выражением (6.2.1). Что же касается спектра G,(e), то для квазичастиц индивидуального происхождения (электроны проводимости и дырки) он описывается выражением (6.2.6) с заменой электронной массы на определяемую структурой данного кристалла зс х зективную массу электрона проводимости или дырки, а для квазичастиц коллективного происхонадения (фононы, магноны и другие) он существенно зависит как от типа квазичастиц, так и от конкретной рассматриваемой периодической структуры.  [c.148]


Смотреть страницы где упоминается термин Фононы 1-фононные : [c.175]    [c.272]    [c.31]    [c.306]    [c.387]    [c.282]    [c.450]    [c.414]    [c.307]    [c.190]    [c.310]    [c.137]    [c.138]   
Физика твердого тела Т.2 (0) -- [ c.101 , c.102 ]



ПОИСК



Абсолютная величина теплопроводности фононов

Адиабатическая теория взаимодействия электронов с оптическими и акустическими фононами

Адиабатическая теория взаимодействия электронов с оптическими фононами

Акустические и оптические фононы

Ангармонические члены и рассеяние фононов

Аномалии в спектрах фононов

Бардина теория электронно-фононного взаимодействия

Бесфононные линии (БФЛ) и фононные крылья (ФК)

Больцмана уравнение для фононов

Вероятности переходов, индуцированных спин-фононным взаимодействием

Вероятности переходов, индуцированных сшш-фононныи взаимодействием

Вероятность микроскопическая прыжков с участием фононов

Ветвь колебаний заимодействне электронов с фононам

Взаимодействие звуковых волн с тепловыми фононами

Взаимодействие излучения с веществом. Инфракрасное поглощение и комбинационное рассеяние света фононами

Взаимодействие между электроном и фононами

Взаимодействие ротонно-фононное

Взаимодействие ротонно-фононное зонами

Взаимодействие ротонно-фононное фононно-фононное

Взаимодействие ротонно-фононное электронами между различными

Взаимодействие с тепловыми фононами и дислокациями Акустическая эмиссия Введение. Общие сведения

Взаимодействие фононов

Взаимодействие экситоиов с оптическими фононами

Взаимодействие экситонов с акустическими фононами

Взаимодействие электрон-фононное электронное

Взаимодействие электронно-фононное

Взаимодействие электронов с акустическими фононами

Взаимодействие электронов с продольными и поперечными фононами

Взаимодействие электронов с фононами в металлах

Взаимодействия между фононами

Вид интеграла столкновений при рассеянии на фононах

Виртуальные фононы, сопровождающие электрон в ковалентном кристалле . 2. Перенормировка спектра медленных электронов и испускание фононов

Вишневский И. И., Скрипак В. Н. Рассеяние фононов анионными вакансиями в решетке шпинели

Вклад фононов в нелинейную восприимчивость. Электрооптический эффект, электрохромнзм

Возбуждение локальных фононов

Волновой вектор фонона

Волновые пакеты фононные

Время рассеяния импульса на фононах

Газ классический сравнение с газом фононов

Газ фононный

Газ фононный

Газ фононов

Газ фононов

Гамильтониан электрон-фонон-туннелонной системы

Гамильтониан электрон-фононной системы

Гидродинамика фононного газа в диэлектрике

Гриновская функция фононов

Гриновскне функции фононного газа

Динамическая теория электрон-фононных оптических полос

Дислокаций рассеяние фононов

Дисперсионное уравнение для фононов в модели желе

Дисперсионное уравнение для фононов в простых металлах

Дисперсия фононов

Диэлектрическая проницаемость при сильной связи экситонов с фононами

Закон Гаусса фононов

Закон дисперсии фононов

Закон дисперсии фононов в металлах

Инфракрасное поглощение фононами

Квазиимпульс фонон-фоионном рассеянии

Квазиимпульс фонона

Квазиимпульс электрон-фононном рассеянии

Квантование фононного поля

Квантовая теория взаимодействия электронов с фононами в ионных кристаллах

Квантовые фононные функции Грина

Кинетическая теория газов в применении к фононам

Кинетическое уравнение для фононов

Кинетическое уравнение для фононов в диэлектрике

Колебания кристаллической решетки. Фононы

Колебания решетки Фононы

Комбинационное рассеяние света фононами. Обобщенная теория Плачека

Константа взаимодействия электронов с фононами в металле

Кржижановский Метод определения фононной теплопроводности чистых металлов и нахождение ее для титана

Кржижановский Р. Е. Роль фононной проводимости в переносе тепла и электричества в металлах

Критические точки для фононов в кристаллах типа алмаза (германий, кремний, алмаз)

Лазеры и определение фононного спектра

Магнитная и квадрупольная релаксации, обусловленные спин-фононным взаимодействием

Метод канонических преобразований в теории взаимодействия электронов с фононами

Метод матриц переноса. Электроны, фононы и фотоны в сверхрешетке

Метод промежуточной связи в теории взаимодействия электронов с фононами

Методы гриновских функций (в квантовой и фононы в металлах

Микроскопическое рассмотрение. Низкие температуры и гиперзвуковые частоты Взаимодействие звуковых волн с тепловыми фононами

Модели для описания взаимодействия электронов с фононами

Модель Дебая фононного спектра

Модель Дебая фононного спектра интерполяционная формула для теплоемкости

Модель Дебая фононного спектра параметр Грюнайзена

Модель Дебая фононного спектра плотность уровней

Модель Дебая фононного спектра сравнение с моделью Эйнштейна

Модель Эйнштейна для фононного спектра

Модель Эйнштейна для фононного спектра плотность уровней

Модель Эйнштейна для фононного спектра формула для теплоемкости

Модель двухуровневых систем Туннелоны. Туннелон-фононное и электрон-туннелонное взаимодействие

Моды фононные в кристаллах

Не II, фононная теплопроводность

Некоторые многофотонные процессы и процессы с участием фононов

Некоторые сведения о колебаниях кристаллической решетки и фононах

Неупругое туннелирование с рождением акустических и локализованных фононов

Нормальные координаты фонона с фононом

Нормальные координаты фононом

Общее выражение для кумулянтной функции электрон-фононной системы

Оператор плотности фононов

Операторы аннигиляции и рождение фононов

Операторы рождения и уничтожения фононов

Операторы рождения и уничтожения фононов электронов

Определение фононного спектра из оптических данных

Оптические полосы при сильном электрон-фононном взаимодействии

Оптические свойства системы взаимодействующих экситонов и фононов (слабая связь)

Оптические фононы

Особенности ван Хова в фононной плотности уровней

Осцилляторы и фононы

Отталкивание между сердцевинами атомов п фононы в металлах

ПРИЛОЖЕНИЕ 6. Электрон-фононное взаимодействие

Переброса процесс при столкновении фонона с фононом

Переброса процесс при столкновении электрона с фононом

Плотность кристаллическая фононных в одномерной системе

Плотность уровней (фононных)

Плотность уровней (фононных) в модели Дебая

Плотность уровней (электронных) поправка за счет фононов

Поверхностные фононы, полярптоны и плазмоны

Поликристалл как предельный случай мозаичноРассеяние электронов фононами

Понятие о фононах

Последствия взаимодействия электронов с фононами

Приближение к равновесию в системе взаимодействующих электронов и фононов

Приближение хаотических фаз для системы взаимодействующих электронов и фононов

Процесс изменяющий свойства фонона

Процесс рождения фонона

Процессы переброса и увлечение фононов

Псевдопотенцналы и дисперсия фононов

Пуазейлевское течение фононо

Пуазейлевское течение фононов

Равновесие между электронами и фононами

Равновесие фононов при наличии градиента

Равновесие фононов при наличии градиента температуры

Рассеяние нейтронов и время жизни фононов

Рассеяние нейтронов и поляризация фононов

Рассеяние света диффузное фононах

Рассеяние света на размерно-квантованных оптических фононах в сверхрешетках

Рассеяние света на сложенных акустических фононах

Рассеяние фононов внешними границами

Рассеяние фононов границами кристаллов

Рассеяние фононов дефектами

Рассеяние фононов дефектами решетки

Рассеяние фононов диффузионное

Рассеяние фононов зависящее от энергии

Рассеяние фононов на внутренних границах сверхпроводящей и нормальной фаз

Рассеяние фононов на примесях

Рассеяние фононов неупругое

Рассеяние фононов обусловленное переходами между «и rf-аонами

Рассеяние фононов электронами

Рассеяние электрон-фононное

Рассмотрение рассеяния рентгеновских лучей Ангармонические члены и п-фононные процессы

Рентгеновские лучи, энергия сравнение с энергией фононов

Сверхпроводник при конечных температурах Вывод уравнений теории сверхпроводимости в фононной модели

Свойства спектра вблизи порога рождения фонона

Связь между фононными функциями Грина

Симметрия фононов в решетках каменной соли и алмаза

Симметрия фононов, инфракрасное поглощение и комбинационное рассеяние света в кристаллах типа алмаза и каменной соли

Сложенные акустические фононы (фононы с ломаным спектром)

См. также Ангармонические члены Гармоническое приближение Модель Дебая Модель Эйнштейна Поляризация Фононы

См. также Ангармонические члены Колебания решетки Фононы

См. также Колебания решетки Фононы

Смещение частоты и время жизни фононов

Смещенное фононное распределение

Совместность и симметрия фононов в алмазе,,и каменной соли

Состояния фононные

Спектр возбуждения ротонов фононов

Спектр фононный

Спин-фононное взаимодействие

Спин-фононное взаимодействие электронное

Спин-фононное взаимодействие ядерное

Средние статистические от бозевских (фононных) операторов

Средняя длина свободного пробега фононов

Средняя энергия фонона

Столкновения между фононами II 127. См. также Ангармонические члены Второй звук

Столкновения электрон-фононные

Температурное уширение и сдвиг БФЛ при произвольной силе связи с фононами

Теория влияния фононов на движение триплетных экситонов

Тепловое движение в кристаллах. Фононный газ

Тепловые колебания кристаллической решетки твердых тел. Акустические фононы

Теплоемкость электронная фононная поправка

Теплопроводность и тепловое и фононные

Термические свойства Новиков О фононном теплосопротивлении границы раздела твердых и жидких сред

Увлечение фононное

Увлечение фононов

Увлечение электронов фононами

Уравнения Больцмана для электронной и фононной систем

Уравнения для амплитуд вероятности полной электрон-фонон-туннелон-фотонной системы

Уширение и сдвиг БФЛ при слабом взаимодействии с акустическими и локальными фононами

ФОНОНЫ И ВОЗБУЖДЕНИЯ ТУННЕЛЬНЫХ СИСТЕМ Адиабатическое взаимодействие

Фазовые переходы, обусловленные фононной составляющей

Ферми — Дирака фононов

Фогта эффект фонон

Фокоиио-фононное взаимодействие

Фонон виртуальные

Фонон магнонное взаимодействие

Фонон-фоиониое взаимодействие. Тепловое расширение и теплопроводность кристаллической решетки

Фонон-фононное взаимодействие

Фононная теплоемкость твердых тел

Фононное притяжение

Фононное тепловое сопротивление, обусловленное рассеянием на электронах

Фононной вязкости механизм

Фононный ветер

Фононный газ в кристалле

Фононный спектр и теплоемкость

Фононный спектр и термические свойства

Фононы 2-фонониые

Фононы 2-фонониые

Фононы акустические

Фононы в ионных кристаллах

Фононы в ковалентных и молекулярных кристаллах

Фононы в металлах

Фононы в одномерном кристалле с двумя атомами в элементарной ячейкр

Фононы в одномерном кристалле с одним атомом в элементарной ячейке

Фононы в стеклах

Фононы в твердых телах. Теория Дебая

Фононы в трехмерном кристалле

Фононы взаимодействие с электронами

Фононы волновые пакеты

Фононы время жизни

Фононы второй звук

Фононы групповая скорость

Фононы движение в кристалле

Фононы дебаевская модель спектра

Фононы длина свободного пробега

Фононы и волны в кристалле

Фононы и восприимчивость Паули

Фононы и диэлектрическая проницаемость металлов

Фононы и запрещенная зона в полупроводниках

Фононы и ротоны

Фононы изменение частот с температурой

Фононы поглощение и опускание

Фононы поляризация

Фононы продольные н поперечные

Фононы процессы бесфонониые

Фононы процессы переброса

Фононы распределение

Фононы рассеяние

Фононы рождение

Фононы рождение, уничтожение и рассеяние

Фононы смещения и импульсы ионов, выраженные

Фононы спектр возбуждения

Фононы сравнение с фотонами

Фононы среднее число в термодинамическом равновесии

Фононы столкновения

Фононы через операторы рождения и уничтожения

Фононы числа заполнения JII

Фононы эйнштейновская модель спектра

Формулировка задачи взаимодействия электронов с фононами

Фотон-фононные взаимодействия

Частоты фононов и эффективное взаимодействие электронов друг с другом

Число фононных орбиталей

Экранирование электрон-фононного

Экранирование электрон-фононного действия

Экситон-фононное взаимодействие

Экситон-фононное взаимодействие в ионных кристаллах

Экситон-фононное взаимодействие в молекулярных кристаллах

Электрои-фононное взаимодействие

Электрон-фононное взаимодействи

Электрон-фононное взаимодействие

Электрон-фононное взаимодействие в ионных кристаллах

Электрон-фононное взаимодействие в металлах

Электрон-фононное взаимодействие в полярных кристаллах

Электрон-фононное взаимодействие в полярных кристаллах Поляроны

Электрон-фононное взаимодействие и магнитная восприимчивость

Электрон-фононное взаимодействие и одноэлектронная энергия

Электрон-фононное взаимодействие и сверхпроводимость

Электрон-фононное взаимодействие и электросопротивление

Электрон-фононное взаимодействие и эффективная масса электрона

Электрон-фононное взаимодействие константа связи

Электрон-фононное взаимодействие с акустическими фоиоиамн

Электрон-фононное рассеяние при малой длине свободного пробега электронов

Электрон-фононные U-процессы

Электрон-фононные взаимодействия идеальная электронная

Электрон-фононные взаимодействия максимальное изменение

Электрон-фононные взаимодействия направления движения электрона

Электрон-фононные взаимодействия скорости релаксации

Электрон-фононные взаимодействия теория Пиппарда

Электрон-фононные взаимодействия теплопроводность

Электрон-фононные взаимодействия электроны примесных

Электрон-фононные взаимодействия энергии электрон

Электрон-фононные взаимодействия эффективность

Электрон-фононные оптические переходы в приближении Кондона и при нулевой температуре

Электрон-электроиное взаимодействие посредством обмена виртуальными фононами. Сверхпроводимость

Электрон-электронное взаимодействие фононом

Электрон-электронное взаимодействие через фононы

Электроны в фононном поле

Электроп-фононное взаимодействие на дефектах кристаллической решетки

Элементарная теория взаимодействия света с фононами

Энергия фонона

Эффективная масса фононный вклад

Эффективное взаимодействие между электронами, обусловленное фононами металла

Эффективное электрон-электронное взаимодействие в системе электронов и фононов



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте