Дефекты решетки

Одним из видов несовершенств кристаллического строения является наличие незанятых мест в узлах кристаллической решетки, или иначе — вакансий, или атомных дырок (см, рис. 7,а). Такой точечный дефект решетки играет важную роль при протекании диффузионных процессов в металлах (подробнее см. в гл. ХП1. п. 1). [c.28]

В разд. 5.2 было показано, что учет равновесной концентрации дефектов решетки в платине приводит к появлению дополнительного члена в уравнении, описывающем зависимость сопротивления от температуры. Для реального термометра уравнение (5.5) может быть записано в виде [10] [c.215]

Как указывалось ранее, кристаллическая решетка металла, подвергнутого холодной обработке давлением, искажается в ней возникают напряжения, повышается количество дефектов решетки изменяется тонкая структура металла — блоки мозаики измельчаются, зерна металла раздробляются, а равноосная форма их (наблюдавшаяся до деформации) теряется. Осколки зерен получают продолговатую форму, вытягиваясь в направлении действия деформации при растяжении и перпендикулярно к направлению при сжатии. Кристаллические решетки зерен приобретают определенную пространственную ориентировку, называемую текстурой деформации. Микроструктуру металла после холодной деформации называют волокнистой. [c.87]

Дефекты решетки 131, 196, 197 Диаграмма (ы) [c.451]

Обычно дефект решетки увеличивает внутреннюю энергию и энтропию кристалла. [c.468]

В том, что электрическое сопротивление металлов обусловлено взаимодействиями электронов проводимости с различными дефектами решетки, убеждает и тот факт, что удельное сопротивление кристаллов металлов сильно зависит от наличия в них примесей. Например, введение 1% примеси марганца увеличивает удельное сопротивление меди в три раза. [c.152]

Ее край 1-1 создает линейный дефект решетки, который называется краевой дислокацией. [c.47]

К основным видам дислокаций относятся краевые и винтовые (рис. 6.2). Краевая дислокация образуется, если внутри кристалла появляется лишняя полуплоскость атомов, которая называется экстраплоскостью (рис. 6.3). Ее край 1-1 создает линейный дефект решетки, который называется краевой дислокацией. [c.265]

Рассмотрим сначала случай, когда внешние напряжения отсутствуют р (х) н 0), а дислокации сдерживаются какими-либо препятствиями (дефектами решетки) на концах отрезка (а , а ). При ш (х) = О имеем из (30,5) Q+ (л ) = — 2" (л), т. е. функция Q (г) должна менять знак при обходе каждой из двух точек Оц а . Этому условию удовлетворяет любая функция вида [c.170]

Рассеяние статическими дефектами решетки. Кроме взаимодействия решеточных волн вследствие ангармоничности межатомных сил, нужно рассмотреть еще их взаимодействие, обусловленное наличием статических дефектов кристаллов, таких, как нарушения периодичности или статические напряжения. Вероятность такого взаимодействия может быть вычислена методом, подобным изложенному в и. 5 энергия возмущения выражается через смещение и, которое в свою очередь выражается через амплитуды решеточных волн (3.7). Члены, квадратичные относительно [c.235]

Отсюда следует, что если основными процессами являются те, которые изменяют направление, а не энергию, то будет одинаковым для обоих видов g и (13.15) будет удовлетворяться. Если электроны рассеиваются дефектами решетки, то это условие будет выполнено при любой темпера- [c.259]

Взаимодействие с решеточными волнами идеальное сопротивление ). В идеально периодическом потенциальном поле электроны не рассеивались бы, тепловое равновесие не могло бы установиться и -было бы бесконечным. Однако в реальных кристаллах статические дефекты и решеточные колебания вызывают отклонения от периодичности. Рассеяние дефектами решетки может быть описано формулой (13.8) [c.260]

Полученная температурная зависимость аналогична по своему характеру подобной зависимости для неметаллов. Быстрый рост х при понижении температуры ниже 20° К свидетельствует о вкладе процессов переброса в теплосопротивление. Только у менее чистого образца Bi1 Уайта и Вудса, охлажденного сразу же после отливки, это теплосопротивление ниже 10° К перекрывается сопротивлением, обусловленным дефектами решетки (скорее всего точечными дефектами). [c.291]

Единственным типом волновой функции, энергия которой может лежать внутри одной из запрещенных зон, является волновая функция электрона, локализованного около какого-нибудь дефекта решетки. Число таких локализованных состояний, обусловленных примесями или беспорядком, гораздо меньше числа состояний в разрешенной зоне. [c.79]

Температурная зависимость электропроводности. Электросопротивление металлов при комнатных температурах обусловлено в основном столкновениями электронов проводимости с колебаниями решетки (фононами), а при низких температурах (4 К) — столкновениями с примесными атомами и механическими дефектами решетки. Решеточный вклад в [c.131]

Введение примесей, способствуя образованию дефектов решетки, дающих неактивное поглощение и затрудняющих свободное перемещение свободных носителей тока по кристаллу, неблагоприятно действует на выход свечения. Соответствующее ослабление свечения называется тушением примесями. В зависимости от характера примеси оно может быть слабым и очень сильным. В последнем случае примеси называют люминесцентными ядами. Для развития сильного тушения часто достаточно ничтожных количеств ядов (значительно меньших, кем концентрация активаторов). [c.187]

Идеальные кристаллы характеризуются свойствами однородности и анизотропии. Однородность определяет неизменность свойств при перемещении точки измерения на расстояние, кратное периодам решетки. Анизотропия — зависимость свойств от направлений. Она зависит от группы симметрии. Принимая среду однородной, пренебрегают влиянием дефектов решетки блоков, дислокаций и т. п. В сравнительно сложных соединениях от точки к точке в той или иной степени изменяется стехиометрия (т. е. локальный химический состав кристалла). Например, в кристалле ниобата лития соотношение между оксидами лития и ниобия может изменяться иногда даже от 0,9 до 1,1. От дефектов и состава зависят также свойства кристаллов, но так как эта зависимость сравнительна слабая, приведенные свойства приписываются однородному кристаллу с идеализированным составом. [c.34]

При низких температурах теплопроводность твердого тела существенно зависит от количества и типа примесей, дефектов решетки. Это обусловлено тем, что при низких температурах электроны в металлах сильно рассеиваются на дефектах атомного масштаба, а фононы в диэлектриках — на дефектах с размерами несколько сотен межатомных расстояний. В совершенных диэлектрических кристаллах при температурах около 1 К длина свободного пробега фононов сравнима с размерами образца (обычно равна примерно 5 мм). В этом случае теплопроводность зависит от характера процессов рассеяния фононов на границах образца и его размеров. [c.339]

В книге рассматриваются межатомные взаимодействия и энергия связи, некоторые физические свойства, симметрия и структура кристаллов, динамические и статические дефекты решетки, фазовые равновесия и превращения, новые типы аморфных материалов. Изложение ведется, как правило, таким образом, чтобы подчеркивать определяющую роль межчастичных взаимодействий в формировании структуры и Свойств твердого тела. Вместе с тем автор счел важным посвятить специальную главу аморфным материалам. Включение этого раздела отражает как возрастающую роль этих материалов в науке и технике, так и желание автора предметно показать, что физика твердого тела не сводится -к физике идеальных или чуть-чуть подпорченных монокристаллов. В то же время некоторые нередко излагающиеся в подобных книгах вопросы физики частных типов твердых тел не нашли отражения. Эти материалы читатель может найти в обстоятельных монографиях, указанных в списке литературы [1-5]. [c.6]

Монокристаллы с дефектами решетки. Под дефектами понимают вакансии, межузельные атомы, неупорядоченно расположенные примесные атомы, т. е. все то, что нарушает идеальный дальний порядок. Обычно число дефектов мало, однако число примесных атомов (в сплавах) может быть порядка общего числа атомов. В этом случае можно говорить о сохранении дальнего порядка лишь в среднем. [c.7]

Одной из форм дефектов решетки являются рассмотренные выше тепловые колебания атомов, которые могут взаимодействовать со статическими дефектами решетки и в ряде случаев стимулировать их появление. В общем случае под дефектом можно понимать любое элементарное возбуждение кристалла, а состояние реального кристалла — возбужденным состоянием. [c.229]

Выше уже указывалось, что кристаллы с точечными дефектами в определенном количестве могут быть термодинамически равновесны. Однако в ряде случаев возникают и избыточные неравновесные точечные дефекты. Различают три основных способа, с помощью которых дефекты могут быть созданы быстрое охлаждение от высоких до сравнительно низких температур (закалка) дефектов, которые были равновесны до закалки, пластическая деформация, облучение быстрыми частицами. Возникающие в этих случаях типы точечных дефектов, как правило, те же, что и вблизи термодинамического равновесия. Однако относительные доли каждого типа дефектов могут существенно отличаться от характерных для равновесия. Поэтому в изучении дефектов решетки особую роль играют экспериментальные методы, такие, как изучение электросопротивления (зависимости его от температуры и времени), рассеяния рентгеновских лучей и нейтронов, зависимости теплосодержания от температуры и времени, механических свойств, ядерного гамма-резонанса, аннигиляции позитронов и т. д. [c.235]

Интенсивность корозии титана в соляной кислоте можно уменьшить добавкой в раствор замедлителей коррозии— окислителей (азотная кислота, хромовая, К2СГ2О7, КМПО4, Н2О2, О2 и др.), а также солей некоторых металлов (меди, железа, платины и др.). При этом потенциа.п новой системы титан— раствор приобретает более положительное значение. В таком окисле, как ТЮг, число дефектов решетки на границе окисел — газ настолько мало, что достаточно незначительного количества кислорода, чтобы их ликвидировать. Вновь появляющиеся в процессе растворения дефекты благодаря присутствию кислорода будут устраняться, т. е. процесс пассивации будет преобладать над процессом растворения титана. [c.282]

Эти ограничения станут яснее, если кратко рассмотреть теорию термоэлектричества. Легко показать качественно, каким образом примеси, фазовый состав или дефекты решетки изменяют термо-э.д.с. термопары, а затем сделать выводы, касающиеся отжига термопары и обращения с ней, с тем чтобы получить хо-рощую воспроизводимость. Природа термоэлектричества хорошо известна, однако теория не может предсказать с нужной для практики точностью термоэлектрические свойства конкретного металла или сплава. Ниже будет показано, что термоэлектричество определяется особенностями рассеяния электронов про- [c.265]

Необходимо отметить, что при переходе в более высоколежащую зону переходного слоя - в область нестехиометрии - взаимодействие дефектов кристаллической решетки со структурой составляющего данную решетку набора частиц играет роль предвестника новой фазы. Например, в решетке РеО избыточные вакансии в катионной подрешетке образуют ассоциаты дефектов - кластеры из двух вакансий в подрешетке Ре и межузельного атома Ре Когда таких кластеров становится много, то они распределяются упорядоченно [75] - в этом пределе кластеры становятся структурными элементами решетки другого соединения - Рез04, Именно в этой части дефекты решетки следует называть не вакансиями, а дефектами решетки вычитания на базе кристаллической решетки объемной фазы, либо на базе кристаллической решетки стехиометрического соединения частиц обеих граничащих фаз - в зависимости от химических свойств объемных фаз и внешних условий (температуры., давления и др.). [c.122]

Сопротивление, вызываемое примесями, дефектами п пзмеиениями структуры. Мы видели, что электрическое сопротивление возникает вследствие нарушения регулярной периодичности ионной решетки. Выше был рассмотрен вопрос о сопротивлении, обусловленном тепловыми колебаниями. Теперь следует остановиться на влиянии статических нарушений порядка, вызванных, во-первых, атомами примесей, которые можно назвать химическими дефектами решетки, и, во-вторых, физическими дефектами решетки, в частности, смещенными из правильных положений атомами, границами зерен и т. п. Обычно химические и физические дефекты рассматриваются совершенно независимо, хотя влияние тех и других обязательно сказывается на результатах любого опыта. [c.161]

Так, например, следует учитывать тепловое расширение металла [83, 84] ). Вызывающая его ангармоничность колебаний решетки должна приводить к нелинейности температурной зависимости удельного сопротивления [85]. Кроме того, полагают, что, начиная с температуры, лежаш ей на 50—100° ниже точки плавления металла, концентрация дефектов решетки, вызванных тепловым движением, быстро растет последнее также должно оказывать существенное влияние на температурный ход сопротивления [86, 87]. Наконец, у переходных металлов рассеяние, обусловленное переходами между s-и б -зонами, тоже может вносить свой вклад в сопротивление [88—91]. Чтобы учесть отклонения температурно зависимости сопротивления от линейности, появляющиеся по той или иной причине при высоких температурах, Грюнейзен ввел в теоретическую формулу эмпирический множитель -fb, Г ), вследствие которого достоверность данных, приведенных в табл. 4, несколько уменьшается. [c.192]

Кроме этого, существует еще сопротивление (электрическое или тейповое), вызванное дефектами решетки. Его следует прибавить к удельному сопротивлению, так что имеем [c.260]

Берман [116] измерял х у сплавов СпбО —Ni40 и нашел, что ниже 10° К 2-10 Т . Он исследовал также отклонения /.ц от закона Т , которое предположительно приписал влиянию точечных дефектов решетки для нейзильбера и нержавеющей стали были получены аналогичные результаты. [c.293]

Эстерман и Циммерман [117] изучали сплава u90 —NilO как после холодной обработки, так и после отжига. Для отожженного образца было получено Хд 3,9-10" а для обычного 1,5-10 Таким образом, дополнительные дефекты решетки, создаваемые холодной обработкой, вызывают рассеяние фононов с вероятностью, пропорциональной волновому числу q, поскольку дополнительное соиротивление имеет ту же самую температурную зависимость, что и We- Так как нельзя быть уверенным в том, что отжиг полностью устраняет эти дефекты, необходимо рассматривать измеренное на отожженном образце значение тенлосопротивления W только как верхний предел Wе- [c.293]

Электронный парамагнетизм проявляет следующие классы рбъектов 1), атомы, м оЛекулЫ и-дефекты решетки, у к тбрь1х число электронов нечетное т. е. полный шин системы 10. Ё. М. Авербах 145 [c.145]

Коррозия и борьба с ней (1989) -- [ c.131 , c.196 , c.197 ]

Физика низких температур (1956) -- [ c.164 ]

Достижения науки о коррозии и технология защиты от нее. Коррозионное растрескивание металлов (1985) -- [ c.236 ]

Окисление металлов и сплавов (1965) -- [ c.13 ]

Материалы в радиоэлектронике (1961) -- [ c.33 , c.34 , c.130 ]

Статистическая механика (0) -- [ c.78 , c.108 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...