Экситон-фононное взаимодействие

Экситон-фононное взаимодействие следует также выразить через экситонные переменные. Это взаимодействие можно записать в виде [c.91]

Выясняя причины нарущения правил отбора, заметим, что, для того чтобы величина была отлична от нуля, соответствующий фонон должен иметь симметрию так как q — полярный вектор. Действительно, представляет собой матричный элемент билинейного по экситонным и фононным операторам члена в разложении экситон-фононного взаимодействия [c.100]

ГЛАВАХ ЭКСИТОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ [c.367]

Экситон-фононное взаимодействие в молекулярных кристаллах [c.367]

ЭКСИТОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ 1ГЛ. X [c.368]

ЭКСИТОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ [ГЛ. X [c.370]

Экситон-фононное взаимодействие в ионных кристаллах [c.429]

Как было показано в гл. П1 колебания решетки в ионных кристаллах обладают рядом особенностей, связанных с наличием электрических зарядов у ионов. В ионных кристаллах с большой диэлектрической проницаемостью боровские радиусы экситонов значительно превышают постоянную решетки. Это позволяет рассматривать экситон-фононное взаимодействие как независимое взаимодействие электрона и дырки с фононами. В таком приближении гамильтониан экситона, взаимодействующего с колебаниями решетки, можно записать в виде [c.429]

Экситон-фононное взаимодействие с акустическими колебаниями решетки характеризуется безразмерным параметром [c.431]

Экситон-фононное взаимодействие изменяет форму и положение экситонной зоны и делает экситонные состояния нестационар- [c.431]

Величины, входящие в квадратные скобки, определены выражениями (52.16). При равных эффективных массах электронов и дырок qe = Qh и функция взаимодействия (52.29) равна нулю ). В ионных кристаллах обычно эффективная масса дырки значительно превышает эффективную массу электрона. Например, в кристалле dS их отношение больше семи [168]. В таких кристаллах экситон-фононное взаимодействие велико и его нельзя рассматривать методом теории возмущений. [c.435]

Кроме такого расщепления и изменения энергии внутреннего состояния экситона (особенно в состояниях типа ns, когда сближаются электрон и дырка) из-за эффективного потенциала (52.30) экситон-фононное взаимодействие сокращает время жизни экситона и изменяет характер его движения. [c.435]

Функции экситон-фононного взаимодействия (О, д) выберем в виде (см. 47) [c.443]

Сравнивая (53.35) с отношениями (53.18) и (53.20) для гауссовой и лоренцевой кривой, можно заключить, что условием приближения формы кривой к гауссовой является выполнение неравенства Ф< 1. Этому благоприятствуют высокие температуры, малая ширина экситонной зоны и большая константа экситон-фононного взаимодействия. Эти условия можно записать в виде [c.445]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...