Вид интеграла столкновений при рассеянии на фононах

Интересно отметить, что формулу (4Б.21) можно использовать и для вычисления проводимости чистых металлов при Т То когда релаксация импульса электронов обусловлена почти упругими столкновениями электронов с фононами. Соответствующий интеграл столкновений был выведен в параграфе 4.1 и дается формулой (4.1.94). Если сравнить его с интегралом столкновений (4.2.97), то видно, что эти два выражения отличаются только видом вероятности перехода. Используя формулу (4.1.95) или более простую формулу (4.1.97), находим, что в случае упругого электрон-фононного рассеяния транспортное время релаксации Тр пропорционально Т . Таким образом, из (4Б.21) следует, что при температурах То < Sp для чистых металлов а а удельное сопротивление д = 1/а растет пропорционально температуре. [c.333]

Теперь обратимся к электропроводности. Когда мы выводили интеграл столкновений в форме (3.12), то фактически использовали лишь то, что импульс электрона мало меняется по модулю при столкновениях. Эго справедливо и в данном случае, а следовательно, верна и формула (3.11). Угол рассеяния 0 по порядку величины равен отношению импульса фонона к импульсу электрона [c.55]

При построении теории люминесценции молекулярных кристаллов при очень низких температурах Мясников и Фомин [467, 468] также используют поляритонные представления. Движение поляритонов, возникающих в кристалле под действием внешнего источника, описывается кинетическим уравнением, интеграл столкновений которого учитывает их взаимодействие с фононами и поверхностью кристалла. В кинетическое уравнение входят дисперсия поляритонов со (к), их групповые скорости V к) и затухания (к), у к), обусловленные, соответственно, комбинационными рассеяниями с испусканием и поглощением фононов. [c.602]

Вид интеграла столкновений при рассеянии на фононах. [c.44]

Рассуждая аналогично случаям рассеяния электронов на нримесях и фононах, можно написать и интеграл столкновений электронов между собой [c.45]

Интеграл столкновений для рассеяния фононов на примесях имеет внд [c.361]

Для определения температурной зависимости каждого из коэффициентов X и с в отдельности надо выписать интеграл столкновений. Для столкновений с примесными атомами он имеет вид, вполне аналогичный интегралу (70,3) для рассеяния фононов на примесях [c.397]

Сразу же отметим, что в приближении, предполагающем упругость рассеяния электронов, остаются в силе полученные в 78 результаты, основанные лишь на этом предположении. В том числе остается справедливым закон Видемана — Франца (78,13), определяющий отношение а/х. Для определения же температурной зависимости каждого из коэффициентов а и х по отдельности надо более детально рассмотреть электрон-фононный интеграл столкновений (79,9). [c.404]

Интеграл столкновений в правой части уравнения (19.9) слагается из четырех частей, обязанных соответственно рассеянию — фононов ротонами, — фононов фононами, /[V --- фононов фононами на малые углы и /у — двух фононов, сопровождаемому рождением третьего (пятифононный процесс). Проинтегрируем уравнение (19.9) слева и справа по всем фононам и по всем энергиям [c.116]

Условия применимости. Интеграл столкновений. Взаимодействие носителей заряда с точечными дефектами, фононами и между собой. Времена упругого и неупругого рассеяния,г-нриближение. Разогрев электронного газа в электрическом поле. [c.80]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...