Рассеяние фононов внешними границами

Размытие энергетического уровня 384 Разрушение сверхпроводимости током 747 Рассеяние фононов внешними границами 237 [c.931]

Идеальный кристалл с бесконечными размерами может иметь конечную теплопроводность только вследствие отклонений от гармоничности колебаний решетки это приводит к взаимодействиям между фононами, и и-процессы обусловливают тепловое сопротивление. В действительности конечные размеры кристалла приводят к резистивному рассеянию фононов на внешних границах кристалла. [c.70]

Во многие выражения для теплопроводности входят величины Гиб, причем часто в виде отношения Г/0, вследствие этого кривые зависимости теплопроводности X от Г/9 для различных кристаллов будут одинаковыми. Например, экспоненциальное поведение наблюдается при температуре ниже 0/10 последняя меняется от 200 К для алмаза до 2К для гелия при низком давлении. Для кристаллов с размерами порядка миллиметров экспоненциальный рост теплопроводности резко прекращается при температуре 0/ЗО ниже этой температуры теплопроводность начинает падать довольно быстро. Это падение теплопроводности происходит вследствие рассеяния фононов на внешних границах кристалла. Пайерлс [184] предсказал, что такие процессы должны были бы предотвратить бесконечный рост проводимости при низких температурах этот эффект был впервые обнаружен де Гаазом и Бирмазом [91]. [c.93]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...