Увлечение фононов

В книге также рассматривается электронная теплопроводность. Однако здесь изложение не столь исчерпывающее. Например, ничего не говорится о роли процессов увлечения фононов электронами. Очень кратко упоминается о теплопроводности сверхпроводников. При переходе в сверхпроводящее состояние наблюдаются весьма своеобразные закономерности, и, конечно, анализ их мог быть более подробным. Не нашли отражения в книге и новые методы расчета теплопроводности, связанные с использованием представлений квантовой теории поля. Поскольку отмеченные вопросы освещены в литературе, мы позволили себе добавить ряд литературных ссылок. [c.6]

Увлечение фононов II 153, 154 Угловой момент, способ обозначения II 262 Угол Холла I 31 [c.412]

Природу термоэлектричества в металле можно качественно понять на основе простой модели свободного электронного газа. Краткое введение в элементарную теорию электропроводности было дано в начале гл. 5. Модель свободного электронного газа не может дать количественных показаний, но позволяет понять механизм явления. Далее можно построить более сложную теорию, включающую зависимость рассеяния электронов решеткой от их энергии, явление увлечения электронов фононами и т. д. Приведенные ниже элементы теории заимствованы из книги Бернара [3], где современные идеи о термоэлектричестве изложены очень ясно (см. также [12]). [c.267]

Эффекты акустоэлектронного взаимодействия. На опыте АЭВ проявляется либо непосредственно как эффект увлечения носителей заряда акустич. волной, либо в виде зависимости параметров акустич. волны (её скорости, коэф. поглощения и др.) от концентрации носителе проводимости, величины внеш. электрич. и магн. полей. АЭВ — одна из причин дисперсии звука в твёрдых телах. Получая в процессе АЭВ энергию, электроны рассеивают её при столкновениях с дефектами и тепловыми фононами, обусловливая электронное поглощение УЗ. Зависимость коэф. поглощения от частоты при этом может отличаться от квадратичной, предсказываемой классич. теорией (см. Поглощение звука). В полупроводниках в сильном электрич. поле поглощение звука сменяется его усилением. Усиление электрич. иолом НЧ-фононов (акустич. шумов) приводит к развитию электрич, неустойчивости в полупроводниках и возникновению акустоэлектрических доменов. АЭВ является источником электронной акустич. нелинейности, к-рая обусловливает зависимость от электронных параметров амплитуд акустич. волн, возникающих в результате нелинейного взаимодействия, эффекты электроакустического эха в полупроводниках и др. [c.56]

В образцах с большой концентрацией электронов становится существенным рассеяние на них фононов. Это уменьшает Тф и ограничивает макс. значение термоэдс увлечения (эффект насыщения), Б сильно вырожденных полупроводниках, когда рассеяние фононов на электронах является преобладающим, максимально возможное значение [c.201]

При исследовании кинетических явлений следует учитывать также и процессы увлечения, т. е. вклад в электронные потоки, обусловленный отклонением фононной функции распределения от равновесной [267—269]. — Прим. ред. [c.203]

При низких температурах в чистых веществах при наличии градиента температур проявляется эффект увлечения электронов фононами, движущимися от нагретого конца к холодному. Электронно-фононное увлечение приводит к образованию дополнительной термо-э. д. с., которая значительна лишь при низких температурах. [c.90]

Выяснение роли увлечения электронов фононами в кинетических явлениях в металлах принадлежит Л. Э. Гуревичу (1946). [c.407]

Другой вклад в термоэлектрический коэффициент возникнет от отброшенного в (82,5) члена в фононной функции этот вклад связан с эффектом увлечения электронов фононами. Если сохранить этот член, то в интеграле столкновений (82,9) добавится член [c.417]

Из уравнения (83,4) с s из (83,16—17) ясно, что функция ф (а с нею и проводимость металла) зависит оТ температуры как Т —в согласии с результатом предыдущего параграфа. Обратим внимание на то, что увлечение электронов фононами не меняет этого закона, хотя и отражается на виде кинетического уравнения. [c.425]

Увлечение электронов фононами 407, 417, 425 [c.527]

Если вдоль проводника существует градиент темп-р, то эл-ны на горячем конце приобретают более высокие энергии и скорости, в полупроводниках, кроме того, концентрация эл-нов растёт с темп-рой. В результате возникает поток эл-нов от горячего конца к холодному, на холодном конце накапливается отрицат. заряд, а на горячем остаётся нескомпенсированный положит. заряд. Накопление заряда продолжается до тех пор, пока возникшая разность потенциалов не вызовет равный обратный поток эл-нов. Алгебр, сумма таких разностей потенциалов в цепи создаёт одну из составляющих Т., к-рую наз. объёмной. Др. составляющие Т, связаны с температурной зависимостью контактной разности потенциалов и с эффектом увлечения эл-нов фононами (см. Увлечения эффект). Т. к. число фононов, движущихся от горячего конца к холодному, больше, чем движущихся навстречу, то в результате увлечения ими эл-нов на холодном конце накапливается отрицат. заряд. Эта составляющая Т. при низких темп-рах может быть в десятки и сотни раз больше других. В магнетиках играет роль также увлечение эл-нов магнонами. [c.756]

Пространственные групп] I 120 количество I 127, 133 симморфные и несимморфные I 134 соотношение с точечными группами и решетками Бравэ I 133, 134 эквивалентность I 122 (с) Пространственные размеры атомных волновых функций I 182 Простые металлы (металлы с почти свободными электронами) I 157, 306, 307 Процесс намагничивания II 335, 336 Процессы переброса II 129, 130 вымерзание II 129 и выбор элементарной ячейки II 130 и нормальные процессы II 129 и сохранение квазиимпульса II 129 и теплопроводность II 131—133 и увлечение фононов II 153, 154 и электросопротивление II 152—154 [c.407]

Влияние увлечения влектронов фононами и маг-нонами. Диффузионная термоэдс рассматривалась выше в предположении что фононная система находится в равновесии. В действительности наличие градиента темн-ры вызывает отклонение фононной системы от равновесия — возникает поток фонопов от горячего конца проводника к холодному . Взаимодейстоуя с электронной системой, они передают им свой избыточный импульс, в результате чего возникает дополнит, т. и. термоэдс фононного увлечения 5ф (см. Увлечение электронов фононами, [4]). Она определяется харак- [c.76]

В полупроводнике с двумя сортами носителей д кТ. При низких темп-рах может также возрастать из-за влияния увлечения электронов фононами, В сильных магн. полях полное термоэлектрич. поле в магн. поле насыщается и не зависит от механизма рассеяния носителей. В ферромагн. металлах Н.—Э. э. имеет особенности, связанные с наличием снонтаннон намагниченности. [c.334]

УВЛЕЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ФОНбНАМИ —возникновение потока носителей заряда в проводнике (полупроводнике или металле) вследствие их взаимодействия с неравновесными фопонами. В образце, в к-ром создан градиент темп-ры V Т, возникает поток фононов от горячего конца к холодному. Рассеиваясь на электронах, фононы передают им часть своего квазиимпульса и увлекают их к холодному концу образца. В замкнутой цепи этот эффект даёт дополнит, вклад в термоэлеЕтрич. ток, в разомкнутой—в термоэдс (термоэдс увлечения). Эффект увлечения был [c.200]

В квантующем магн. поле Н характерный импульс электрона в плоскости, перпендикулярной Н. порядка Л/)., где т, и, магнитная длина X = ftjeHy . Поэтому объём фазового пространства фононов, взаимодействующих с электронами, а вместе с ним и термоэдс увлечения растут с полем W, и в квантующем поле она превосходит диффузионную термоэдс в десятки раз. Зависимость от Т и Н определяется механизмом фонон-фононной релаксации. В вырожденных полупроводниках и металлах наблюдаются квантовые осцилляции термоэдс увлечения в сильных полях (см. Термоэдс осцилляции). [c.201]

В Ю. Зг.был открыт еще один источник термоэдс— эффект увлечения электронов фононами. Если в твердом теле существует градиент темн-ры, то число фоио-пов, движущихся от горячего конца к холодному, будет больше, чем п обратном направлении. При своем направленном движении фононы в результате столкновений с электронами будут ув екать за собой последние и на холодном конце образца будет наканли-ваться отрицательный заряд (а на горячем — положительный) до тех пор, пока возникшая т. о. разность потенциалов пе уравновесит эффект увлечения эта ра ность потенциалов и представляет собой дополнительную составляющую термоэдс, к-рая при низких темп-рах может быть в десятки и сотни раз больше рассмотренных выше. [c.171]

ЧТО система фононов уже возмущена внешними силами. При температурном градиенте, например, теплопроводность решетки означает, что поток фононов течет от горячего к холодному концу образца. Из-за процессов рассеяния электроны тоже получат преимущественное движение в направлении потока фононов, они будут увлекаться фононами (эффект фононного увлечения). Соответственно в изотермическом случае при движении электронов в электрическом поле они могут захватывать с собой фононы (электронный эффект увлечения). Первый эффект приводит к увеличению термоэлектродвижущеи силы, второй эффект дает добавку к эффекту Пельтье. [c.248]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...