Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Полупроводники

При очень медленном отводе тепла при кристаллизации, а также с помощью других специальных способов может быть получен кусок металла, представляющий собой один кристалл, так называемый монокристалл. Монокристаллы больших размеров (массой в несколько сот граммов) изготавливают для научных исследований, а также для некоторых специальных отраслей техники (полупроводники).  [c.28]

До сих пор, однако, не удалось получить в аморфном состоянии чистые металлы или сплавы нескольких металлов. Для получения быстрым охлаждением аморфного состояния сплав должен (пока) содержать некоторое количество металлоида или полупроводника.  [c.641]


Полупроводники л-т ипа (электронная проводимость)  [c.38]

Полупроводники р-типа (дырочная проводимость)  [c.38]

Аналогичные результаты можно получить и для полупроводников р-типа.  [c.51]

Если для тонкой пленки из полупроводника я-типа — число ионов в междоузлиях на единицу объема окисла, находящегося в равновесии с металлом, а v — их подвижность, то из равенства  [c.52]

Если для тонкой пленки из полупроводника р-типа — концентрация катионных вакансий (образующихся на внешней поверхности по схеме, приведенной на рис. 29), Wyi — энергия, необходимая для перемещения положительного иона из /4 в 5 (рис. 29), а N — количество отрицательных ионов на единицу поверхности, то  [c.53]

Пленки нестехиометрических продуктов химической коррозии на металлах являются полупроводниками с двумя типами проводимости — ионной и электронной (см. гл. 2, 7). В зависимости от характера проводимости различают три типа окисных пленок 1) р-полупроводники, которые растут вследствие передви-  [c.62]

Скорость образования ионных соединений в отличие от полупроводников (скорость образования которых определяется перемещением ионов) определяется величиной электронной проводимости, которая зависит от концентрации электронных дефектов.  [c.87]

По конструкции паяные и клееные соединения подобны сварным — рис. 4.1. В отличие от сварки пайка и склеивание позволяют соединять детали не только из однородных, но и неоднородных материалов например, сталь с алюминием металлы со стеклом, графитом, фарфором керамика с полупроводниками пластмассы дерево, резину и пр.  [c.67]

Краевые условия представлены зависимостью распределения примеси N в объеме полупроводника в начальный момент времени и зависимостью поверхностной концентрации от времени.  [c.157]

Электрическое сопротивление металлов, сплавов и полупроводников  [c.186]

Очевидно, что для правильного использования термометров сопротивления нет необходимости в детальном понимании процессов электропроводности. Однако исследования, направленные на улучшение воспроизводимости результатов измерений, расширение диапазона применения термометров, едва ли будут эффективными без общего знакомства с теоретическими основами их работы. Прежде чем приступить к описанию характеристик и практического использования основных типов термометров сопротивления, рассмотрим кратко теорию электропроводности чистых металлов, сплавов и полупроводников.  [c.186]

Необходимо сразу отметить, что процессы, обусловливающие электропроводность, очень сложны. Хотя качественная сторона этих процессов вполне ясна и теория позволяет предсказать общий вид температурной зависимости сопротивления металлов,, сплавов и полупроводников, однако количественные оценки недостаточно точны для расчета характеристик термометров сопротивления. Основная трудность вычислений связана с необходимостью точного теоретического учета относительного вклада различных конкурирующих процессов.  [c.187]


Рис. 5.2. Схемы энергетических зон диэлектрика, металла н полупроводника при 7 =0 справа—энергетические зоны полупроводника при 7 >0. Рис. 5.2. Схемы энергетических зон диэлектрика, металла н полупроводника при 7 =0 справа—<a href="/info/16603">энергетические зоны</a> полупроводника при 7 >0.
Зависимость удельного сопротивления полупроводника от температуры  [c.196]

В полупроводнике с шириной запрещенной зоны —1 эВ число электронов п, имеющих при комнатной температуре (кТ 2 - 0 эВ) энергию, достаточную для перехода в зону  [c.196]

Проводимости, очень мало. Уровень Ферми для полупроводников принято отсчитывать от верхней границы валентной зоны, а не от нижней, как для металлов, и обозначать р. Поскольку Eg—р) велико по сравнению с кТ, число электронов, которые могут перейти в зону проводимости, дается выражением  [c.197]

Таким образом, изменение удельного сопротивления полупроводника с собственной проводимостью в зависимости от температуры дается выражением  [c.197]

Контролируемое введение примесей в полупроводник позволяет в очень широких пределах изменять как удельное сопротивление, так и степень его зависимости от температуры. Если в полупроводник добавляется очень небольшое количество  [c.197]

В зависимости от того, чем в основном обусловлена проводимость, электронами или дырками, проводимость полупроводника относят к п- или р-типу.  [c.198]

Температурная зависимость удельного сопротивления полупроводника, в который добавлено небольшое количество примеси, показана на рис. 5.7 [12]. На практике в полупроводнике всегда присутствуют как донорные, так и акцепторные примеси, и разработчик полупроводниковых термометров сопротивления может лишь выбирать соотношение между теми и другими. Для описания процессов проводимости рассмотрим германий, содержащий донорные атомы мышьяка в концентрации N(1 и какие-либо акцепторные атомы в концентрации Л а-На рис. 5.7 можно выделить четыре температурных диапазона, в каждом из которых преобладает какой-либо один механизм проводимости". В высокотемпературном диапазоне [I] проводимость обусловлена главным образом электронами, термически возбужденными из валентной зоны в зону проводимости согласно уравнению (5.8), поскольку все примесные атомы давно уже ионизованы. Это область собственной проводимости для германия она начинается чуть выше 400 К. Этот диапазон не представляет особого интереса для германиевых термометров сопротивления.  [c.198]

В разд. 5.1 показано, как влияет на свойства полупроводника введение небольшого количества примеси. Зависимость сопротивления от температуры чрезвычайно чувствительна к количеству и качеству вводимой примеси, что может использоваться для получения желаемых характеристик. Из рис. 5.7 видно, что для термометрических целей более всего интересны области III и IV. Хотя наклоном кривой и абсолютным значением удельного сопротивления можно в какой-то степени управлять, высокая чувствительность обоих этих параметров к малым изменениям концентрации примеси мешает получать  [c.235]

Очевидно, что конкретный механизм рассеяния электронов играет для термоэлектричества важную роль. Можно, например, предположить, что электроны, имеющие большую скорость, должны рассеиваться атомами решетки под меньшими углами, чем электроны с меньшей скоростью. Другими словами, средняя длина свободного пробега электронов будет зависеть от их кинетической энергии. Это верно в целом, но конкретная взаимосвязь длины пробега и энергии сложна и сильно зависит от электронной структуры решетки. Сложность связи между длиной пробега и энергией электронов не дает возможности получить количественное описание термоэлектричества, хотя качественно картина явления проста. Другими словами, наших сведений о поверхности Ферми реального металла недостаточно для вычисления термо-э.д.с. Следует отметить, что для полупроводников ситуация проще, поскольку число электронов и дырок, участвующих в процессе проводимости, значительно меньше. В этом случае модель электронного газа, в которой частицы подчиняются статистике Максвелла — Больцмана, лучше отражает истинную природу явления.  [c.268]


Первые успешные опыты были проведены на сплавах системы благородный металл (Аи, Рс )+17—25% (ат.) элемента полупроводника (Si, Ge). Рентгенограммы и электронограммы аморфных металлов такие же, как и у жидких расплавов (отсутствуют дифракционные пятна и кольца). Электросопротив-  [c.640]

Выпрямители бесшумны, имеют высокий КПД, удобиы в эксплуатации. Они обеспечивают высокую стабильность горения дуги, особенно на малых токах. Для нормальной работы выпрямителей требуется интенсивное охлаждение, так как полупроводники нагреваются при работе Поэтому выпрямители снабжены вентиляторами. Нагрев полупроводников иногда ограничивает мощность выпрями- тел ей  [c.189]

Применение электрофизических и электрохимических способов размерной обработки материалов, предназначенных главным образом для отраслей новой техники, где широко применяются жаропрочные, нержавеющие, магнитные и другие высоколегированные стали и твердые сплавы, полупроводники, рубины, алмазы, кварц, ферриты и другие материалы, обработка которых обычными механическими способами затруднительна или часто невозможна. К числу электрофизических способов обработки относятся электроискровая, электроим-пульсная, электроконтактная и анодно-механическая.  [c.122]

Истинные полупроводники (собственная полупроводимость) СиО, С03О4, СгаОд. Концентрация электронных дырок равна концентрации междоузель-ных электронов Ла + 0 Электропроводимость не зависит от окислительной способности атмосферы.  [c.39]

Если принять для перехода ионов металла из точки Р (рис. 26) в междоузлия решетки окисла полупроводника п-типа, что W н — энергия, соответствующая этому переходу, Ф — энергия, необходимая для перехода электрона из металла в зону проводимости окисной пленки (рис. 27), а Е — энергия сиязи электрон—ион в междоузлии, то величина — Е будет энергией раство-  [c.50]

Если 1 поверхностное соединение является полупроводником п-типа с избытком металла, например ZnO, dO, BeO и др., то концентрация их дефектов (междоузельных катионов) тоже не должна зависеть от давления кислорода (см. рис. 90). Это и наблюдается при 400° С, когда толщина пленки превышает 5000А. Но при низкой температуре и малой толщ,ине пленок (меньше ЮООА) с повышением давления кисло- - рода скорость окисления возрастает в связи с тем, что имеет место лога-. if. рифмический рост пленки во времени, где диффузионный механизм Вагнера неприменим. Перенос ионов цинка про-исходит под действием электрических  [c.131]

Если поверхностное соединение металла является полупроводником р-типа с недостатком металла, например ujO, NiO, FeO, СоО и др., то при окислении таких металлов должна, по Вагнеру, наблюдаться определенная зависимость от величины давления кислорода (см. рис. 90). В идеальном случае к реакции окисления приложим закон действующих масс. В случае окисления никеля по реакции (54)  [c.131]

Уравнения (4.7) —(4,8) показывают, что причинами изменения концентрации носителей могут быть неодинаковость числа носителей, втекающих (и вытекающих) в элементарный объем полупроводника (тогда dlvJ O), и нарушение равновесия между процессами генерации и рекомбинации носителей. Уравнения (4.9) и (4.10), называемые уравнениями плотности тока, характеризуют причины протекания электрического тока в полупроводнике электрический дрейф под воздействием электрического поля (grad tp= 0) и диффузию носителей при наличии градиента концентрации. Уравнение Пуассона характеризует зависимость изменений в пространстве напряженности электрического поля Е=—gгadф от распределения плотности электрических зарядов pi  [c.156]

В качестве краевых условий в моделях полупроводниковых приборов используют зависимости потенциалов на контактах от времеин, принимают значения концентраций носителей на границе между внешним выводом и полупроводником равными равновесным концентрациям Ра и Яо, для границ раздела полупроводника и окисла задаются скоростью поверхностной рекомбинации gs, что определяет величины нормальных к поверхности раздела составляющих плотностей тока Jp и Jn, и т. д.  [c.156]

Керамики обладают разнообразными олектронными свойствами и в заиисимости от природы химической связи могут использоваться как диэлектрики, полупроводники, рромагпетики, актив1ше элементы лазеров и мазеров.  [c.9]

Теория электропроводности окисных полупроводников (тер-. мисторов) недостаточно ясна и здесь не рассматривается. Ос-  [c.186]

Простая модель электронного газа, созданная Друде в 1900 г., успещно предсказала законы Ома и Видемана — Франца. Однако она не объяснила зависимость электропроводности от температуры, а также магнитные свойства и малую величину электронной теплоемкости по сравнению с классическим значением 3/ . В настоящее время ясно, почему удельное сопротивление особо чистых металлов падает от типичного для комнатных температур значения 10 мкОм см до значения менее 10 з мкОм -см при температуре жидкого гелия в то время как удельное сопротивление концентрированного сплава падает всего в два раза в том же диапазоне температур. Поведение полупроводников также хорошо понято удельное сопротивление экспоненциально возрастает при уменьшении температуры, и при очень низких температурах чистые полупроводники становятся хорошими диэлектриками. Добавка в образец полупроводника небольшого количества примесей чаще всего существенно уменьшает удельное сопротивление (в противоположность чистым металлам, в которых наличие примесей ведет к увеличению удельного сопротивления).  [c.187]


Зонная структура твердого тела является результатом взаимодействия волновой функции электрона с рещеткой. Зонная структура позволяет найти частоты и направления, для которых волновая функция электрона может или не может проходить через решетку. Отражение электронной волны под углами Брэгга от кристаллографических плоскостей является идеально упругим и не вносит вклада в электрическое сопротивление. Для каждого кристалла и каждой электронной конфигурации условия Брэгга налагают определенные ограничения на направление волнового вектора и значения энергий, которые может принимать электронная волна. Эти ограничения в направлениях и значениях энергий приводят к появлению щелей в почти непрерывном спектре энергий и направлений. Именно эти щели (порядка 1 эВ для полупроводников и 5 эВ или больше для хороших диэлектриков) обусловливают сильнейшие различия между металлами, полупроводниками и диэлектриками (рис. 5.2). Для металлов характерно, что уровень Ферми оказывается внутри зоны, имеющей вакантные энергетические уровни. Полупроводники имеют полностью заполненную разрешенную зону. Ширина запрещенной зоны у них невелика, н поэтому ие большое число электронов при тепловом возбуждении может перейти в расположенную выше разрешенную зону. Диэлектрик отличается от полупроводника тем, что его запрещенная зона очень велика, и практически ни один возбужденный электрон не может ее преодолеть.  [c.190]

Прежде чем перейти к подробному обсуждению зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников от температуры, коснемся особенностей поведения концентрированных сплавов. Введение значительного количества примесных атомов в твердый раствор приводит к искажению кристаллической решетки. Вследствие этого появляется дополнительный вклад в рассеяние. Его величина почти не зависит от температуры и может во много раз превышать долю электрон-фонон-ного рассеяния в чистом металле. Изменение остаточного удельного сопротивления неупорядоченного сплава Си—Аи в зави-  [c.191]

Существует класс полупроводниковых приборов, выполненных на основе смешанных окислов переходных металлов, которые известны под общим названием термисторов. Термин термистор происходит от слов термочувствительный резистор . Толчком к разработке термисторов послужила необходимость компенсировать изменение параметров электронных схем под влиянием колебаний температуры. Первые термисторы изготавливались на основе двуокиси урана ПОг, но затем в начале 30-х годов стали использовать шпинель MgTiOз. Оказалось, что удельное сопротивление MgTiOз и его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) легко варьируются путем контролируемого восстановления в водороде и путем изменений концентрации MgO по сравнению со стехиометрической. Использовалась также окись меди СиО. Современные термисторы [60, 61] почти всегда представляют собой нестехиометрические смеси окислов и изготавливаются путем спекания микронных частиц компонентов в контролируемой атмосфере. В зависимости от того, в какой атмосфере происходит спекание (окислительной или восстановительной), может получиться, например, полупроводник п-типа на поверхности зерна, переходящий в полупроводник р-типа в глубине зерна, со всеми вытекающими отсюда последствиями для процессов проводимости. Помимо характера проводимости в отдельном зерне, на проводимость материала оказывают существенное влияние также процессы на границах между спеченными зернами. Высокочастотная дисперсия у термисторов, например, возникает вследствие того, что они представляют собой сложную структуру, образованную зонами плохой проводимости на границах зерен и зонами относительно высокой проводимости внутри зерен.  [c.243]


Смотреть страницы где упоминается термин Полупроводники : [c.169]    [c.169]    [c.36]    [c.50]    [c.63]    [c.130]    [c.123]    [c.189]    [c.191]    [c.197]    [c.198]    [c.271]   
Смотреть главы в:

Радиотехнические материалы  -> Полупроводники

Радиотехнические материалы  -> Полупроводники

Основы физикохимии и технологии композитов  -> Полупроводники

Теплоэнергетика и теплотехника Общие вопросы Книга1  -> Полупроводники

Теплопроводность твердых тел  -> Полупроводники

Электротехнические материалы Издание 6  -> Полупроводники

Новые материалы в технике  -> Полупроводники

Лазерное охлаждение твердых тел  -> Полупроводники

Электротехнические материалы Издание 3  -> Полупроводники

Электротехнические материалы Издание 2  -> Полупроводники

Современная теория твердого тела  -> Полупроводники

Современная теория твердого тела  -> Полупроводники

Механика электромагнитных сплошных сред  -> Полупроводники

Статистическая механика  -> Полупроводники

Введение в физическое металловедение  -> Полупроводники


Физика. Справочные материалы (1991) -- [ c.153 ]

Физика твердого тела (1985) -- [ c.55 , c.209 , c.229 , c.242 , c.360 , c.369 ]

Физика низких температур (1956) -- [ c.289 , c.292 , c.347 , c.348 ]

Атомная физика (1989) -- [ c.341 , c.350 , c.355 ]

Электротехнические материалы (1976) -- [ c.4 ]

Машиностроение Автоматическое управление машинами и системами машин Радиотехника, электроника и электросвязь (1970) -- [ c.320 , c.382 , c.383 ]

Теплоэнергетика и теплотехника Общие вопросы (1987) -- [ c.213 ]

Теплопроводность твердых тел (1979) -- [ c.253 , c.254 ]

Принципы лазеров (1990) -- [ c.0 ]

Конструкционные материалы Энциклопедия (1965) -- [ c.2 , c.33 , c.331 ]

Диэлектрики Основные свойства и применения в электронике (1989) -- [ c.14 ]

Физико-химическая кристаллография (1972) -- [ c.213 ]

Химия и радиоматериалы (1970) -- [ c.65 ]

Материалы в радиоэлектронике (1961) -- [ c.14 , c.15 , c.20 , c.35 , c.250 , c.282 ]

Электротехнические материалы Издание 3 (1955) -- [ c.302 ]

Электротехнические материалы Издание 3 (1976) -- [ c.4 , c.270 , c.288 ]

Задачи по термодинамике и статистической физике (1974) -- [ c.3 , c.7 , c.8 , c.16 , c.16 , c.19 , c.19 , c.19 , c.19 ]

Теория твёрдого тела (1972) -- [ c.242 , c.438 ]

Краткий справочник по физике (2002) -- [ c.116 , c.120 ]

Физика твердого тела Т.2 (0) -- [ c.0 , c.184 , c.232 ]

Ультразвук (1979) -- [ c.264 ]

Справочник по элементарной физике (1960) -- [ c.113 ]

Физика твердого тела Т.1 (0) -- [ c.0 , c.184 , c.232 ]



ПОИСК



Абсолютная величина теплопроводности полупроводников

Автоматический регулятор режима сварки трехфазной дугой Ж на полупроводниках с двусторонним ограничением

Автоматический регулятор режима сварки трехфазной дугой на полупроводниках с односторонним ограничением

Азоароматические соединения как полупроводники

Актуальные проблемы технологии и материаловедения полупроводников

Акцепторные примеси II 199. См. также р — re-переход Полупроводники Примеси в полупроводниках

Аморфные полупроводники

Атомно-электронное строение вещества. Металлы, полупроводники, изоляторы

Атомные свойства изоляторов и полупроводников

Безызлучательная релаксация в полупроводниках

Блинова) ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА j Термодинамика экситонов в полупроводниках. Дж. Волф (пе

Боровский радиус для примесного уровня в полупроводнике

Ван Флека в легированных полупроводниках

Взаимодействие света с диэлектриками, полупроводниками и металлами

Влияние дефектов на электропроводность металлов и полупроводников

Воздействие внешних факторов на электропроводность полупроводников

Вольт-амперные характеристики полупроводников

Вольтамперные характеристики полупроводников

Время ншзни электронов в полупроводнике

Встреча с полупроводниками

Вынужденное излучение в полупроводниках

Выражение для потока носителей заряда в полупроводнике

Выращивание объемных кристаллов полупроводников

Вырожденные полупроводники

Вырожденные полупроводники также Полупроводник

Вычисление уровня Ферми в собственном полупроводнике

Газ классический электронами в невырожденных полупроводниках

Галогениды щелочных металлов. Галогениды щелочноземельных металлов. Двуокись кремния. Двуокись германия. Сапфир. Фианит Кварцевые стекла. Окисные стекла. Оптические стекла. Оптические бескислородные стекла. Оптическая керамика. Тектиты. Полупроводники Оптические постоянные полимеров

Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках

Генерация электронов в полупроводника

Глава двенадцатая ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Двухэлементные полупроводники

Джозефсоновские контакты с прослойкой из нормального металла и полупроводника

Джоэефсоиовские волны с полупроводником

Диамагнетизм в легированных полупроводниках

Динамика дырок в полупроводниках

Динамика электронов и дырок в полупроводниках

Диод с переходом типа металл — полупроводник (диод

Диффузия в полупроводниках

Диэлектрики отличие от полупроводников

Диэлектрическая проницаемость полупроводников

Донорные полупроводники

Донорные примеси II 199. См. также р — ппереход Примеси в полупроводниках

Другие полупроводники

Дырки и проводимость полупроводников

Дырочные полупроводники

Зависимость удельного сопротивления полупроводника от температуры

Замечание о пьезоэлектрических полупроводниках

Заполнение зон электронами деление тел на проводники, диэлектрики и полупроводники

Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники

Запрещенная зона в полупроводниках

Заряжение реальной поверхности полупроводников при адсорбции донорных и акцепторных молекул

Зеебека коэффициент в полупроводниках

Зиличихис А. Л. ТермоЭДС в магнитных полупроводниках с вырожденной d-зоной

Зонная структура полупроводников н изоляторов

Зонная структура типичных полупроводников

Иванов Б. Н. О некоторых свойствах плазмы полупроводников и металлов

Идеальный полупроводник

Излучательная рекомбинация в полупроводниках. Светодиоды

Измерение малых времен жизни люминесценции в полупроводниках методом сдвига фаз в интерферометре

Изоляторы и полупроводники . 3. Описание с помощью одноэлектрониых функций Грина . 4. Сопротивление жидких металлов

Имплантация в полупроводниках

Импульсный лазерный отжиг полупроводников

КАРС-спектрохронография в диагностике состояния и быстрых лазерно-индуцированных фазовых превращений поверхности полупроводников

Калориметры для твердых теплоизоляторов и полупроводников

Квазиимпульс и оптические свойства полупроводников

Кинетические явления в полупроводниках

Классификация и общие свойства полупроводников

Классификация механизмов рассеяния света в полупроводниках

Ковалентные диэлектрики Пироэлектричество Сегнетоэлектрики Задачи Однородные полупроводники

Компенсация в полупроводниках

Контакт металл — полупроводник

Контакт металл — полупроводник и р-п переход

Контакт электронного и дырочного полупроводников. Свойства электронно-дырочного перехода

Контактные явления в полупроводниках

Концентрация носителей в полупроводниках

Концентрация носителей в полупроводниках в неравновесном р— re-переходе

Концентрация носителей в полупроводниках в несобственном полупроводнике

Концентрация носителей в полупроводниках в равновесном р — re-переходе

Концентрация носителей в полупроводниках в собственном полупроводнике

Концентрация носителей в полупроводниках генерация при тепловом возбуждении

Концентрация носителей в полупроводниках координатная зависимость

Концентрация носителей в полупроводниках неосновных

Концентрация свободных носителей заряда в невырожденном и вырожденном полупроводниках

Кристаллы галоидно-щелочных соединений-полупроводников

Лазерная интерференционная термометрия полупроводников и диэлектриков

Лазеры иа полупроводниках

Легирование полупроводников

Легирование полупроводников и получение р-п-переходов

Лискер. Измерение коэффициента теплопроводности полупроводников в нестационарном режиме

Лужение полупроводников

Люминесценция полупроводников

Магнитная релаксация и динамическая поляризация в полупроводниках ж изоляторах

Материалы для полупроводников

Меднозакисные полупроводники. Селениды и теллуриды

Межзонные переходы и рекомбинация в полупроводниках

Мелкие локальные уровни в полупроводниках

Металлическая составляющая связи, ионная составляющая связи и ширина запрещенной зоны в полупроводниках

Металлы, диэлектрики, полупроводники

Металлы, полупроводники, изоляторы

Микротвердость элементарных полупроводников

Многоволновые OPW ферми-поверхности Зонная структура полупроводников и полуметаллов

Модель энергетических зон полупроводников

Невырожденные полупроводники также Полупроводники

Некристаллические полупроводники

Нелинейные восприимчивости полупроводников Электрические квадрупольные эффекты

Неоднородные полупроводники

Неравновесные носители заряда в полупроводниках. Генерация и рекомбинация. Время жизни

Несобственные полупроводники

Несобственные полупроводники концентрация носителей

ОГЛАВЛЕНИЕ Теория горячих электронов в полупроводниках

Общие сведения и классификация полупроводников

Общие сведения о полупроводниках

Общие свойства и применение полупроводников

Однородно намагниченное тело упругих полупроводнико

Одноэлементные полупроводники

Оксидные полупроводники

Определение зависимости удельного электрического сопротивления проводников и полупроводников от температуры

Определение знака носителей тока в полупроводниках

Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках

Оптические и электрические свойства аморфных полупроводников

Оптические коэффициенты полупроводников

Оптические свойства полупроводников

Оптическое поглощение в полупроводниках

Оптическое усиление в полупроводнике

Органические полупроводники

Основные и неосновные носители заряда в полупроводнике

Основные сведения о полупроводниках

Основные свойства и группы полупроводников

Основы теории полупроводников

Основы физики полупроводников

Отличительные свойства полупроводников

Отличне свойств диэлектриков от свойств металлов и полупроводников

ПОЛУПРОВОДНИКИ И МЕТАЛЛЫ ВЫСОКОЙ СТЕПЕНИ ЧИСТОТЫ Полупроводники (Д. А. Петров)

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Глава тринадцатая. Элементарные полупроводники

ПРОВОДНИКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ И МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

ПРОВОДНИКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ И МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Металлические проводники

ПРОВОДНИКИ,ПОЛУПРОВОДНИКИ И МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Проводниковые материалы

Пайка полупроводников

Пайка полупроводников — Особенности 272 — Подготовка паяемой поверхности 272, 274 — Припои 272, 273 — Способы 272 — Флюсы

Пайка полупроводников, графита и других неметаллических материалов Петрунин, Маркова)

Перенос в полупроводниках (Дж. Хониг)

Переход металл—полупроводник в Т1—Т12Те

Переход р-n типа в полупроводниках

Пигменты-полупроводники

Плотность уровней (электронных) в полупроводниках

Поверхностные состояния и отражение света от полупроводников

Поглощение и усиление акустоэлектрических волн при отражении от границы раздела пьезоэлектрик — полупроводник

Поглощение света полупроводниками

Полиацены как полупроводники

Полимерные полупроводники

Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках

Полуклассическая модель и неоднородные полупроводники

Полуклассическая модель и примесные уровни в полупроводниках

Полуметаллы и полупроводники

Полупроводник p-tsma

Полупроводник невырожденный

Полупроводник непрямозонный

Полупроводник прямозонный

Полупроводник собственный, плотность

Полупроводник собственный, плотность электронов

Полупроводник узкозонный

Полупроводник широкозонный

Полупроводники Общие основы

Полупроводники Основные свойства

Полупроводники Простая модель полупроводника

Полупроводники Расчет удельного электрического сопротивления

Полупроводники акцепторного типа

Полупроводники антимонида индия

Полупроводники биполярная диффузия

Полупроводники в качестве термометров. С. А. Фридберг

Полупроводники валентная зона

Полупроводники валентпые зоны

Полупроводники время рекомбинации

Полупроводники гепорация носителей

Полупроводники германия

Полупроводники диамагнетизм (в легированных полупроводниках)

Полупроводники дифференциальная термо

Полупроводники диффузионная длина

Полупроводники донорного типа

Полупроводники естественные

Полупроводники жидкие

Полупроводники закон действующих масс

Полупроводники заполнение уровней при тепловом равновесии

Полупроводники запрещенная зона (эпергетнческая щель)

Полупроводники зона проводимости

Полупроводники зопная структура

Полупроводники и диэлектрики

Полупроводники и энергия Ферми

Полупроводники излучательные н безызлучательные

Полупроводники измерение ширины

Полупроводники ионизация

Полупроводники истинные

Полупроводники коэффициент диффузии

Полупроводники коэффициент захвата

Полупроводники кремния

Полупроводники легированные

Полупроводники многоэлементные

Полупроводники носители тока неосновные

Полупроводники окисные

Полупроводники основные

Полупроводники парамагпетизм (в легированных полупроводниках)

Полупроводники переходы

Полупроводники плотность уровней

Полупроводники подвижность носителей тока

Полупроводники полуклассическая модель

Полупроводники полярные

Полупроводники при паличии примесей

Полупроводники применение

Полупроводники примеси в них

Полупроводники примесные

Полупроводники прыжковый механизм

Полупроводники р-тнпа

Полупроводники рекомбинация носителей

Полупроводники собственные

Полупроводники температурная зависимость

Полупроводники термоэлектрические свойства

Полупроводники трехэлементные

Полупроводники уровень Ферми

Полупроводники фотопроводимость

Полупроводники химический потенциал

Полупроводники циклотронный резонанс

Полупроводники чувствительность

Полупроводники электросопротивление

Полупроводники электрохимический потенциал

Полупроводники элементарные

Полупроводники энергетические состояния

Полупроводники я-типа

Полупроводники явления переноса

Полупроводники — Классификация

Полупроводники, зонная модель

Полупроводники, характеристика

Полупроводниковые Простые полупроводники

Полупроводниковые Сложные полупроводники

Полупроводниковые соединения химические связи в полупроводниках AIVBVI

Полупроводниковые соединения химические связи в полупроводниках AjBg

Полупроводниковые соединения химические связи в полупроводниках, производных от ANB

Получение металлов высокой степени чистоты и полупроводников

Превращение полуметалла в. полупроводник и полупроводника в полуметалл в сильном магнитном поле

Преобразователи полупроводнике

Применение аморфных полупроводников

Примеры полупроводников Типичные примеры зонной структуры полупроводников Циклотронный резонанс Число носителей тока при термодинамическом равновесии Примесные уровни Заселенность примесных уровней при термодинамическом равновесии Равновесная концентрация носителей в примесном полупроводнике Проводимость за счет примесной зоны Теория явлений переноса в невырожденных полупроводниках Задачи Неоднородные полупроводники

Примеси в полупроводниках боровский радиус

Примеси в полупроводниках доноры и акцепторы

Примеси в полупроводниках и концентрация носителей тока

Примеси в полупроводниках и удельное сопротивление

Примеси в полупроводниках легирование

Примеси в полупроводниках населенность уровней при термодинамическом равновесии

Примеси в полупроводниках проводимость за счет примесной зоны

Примеси в полупроводниках энергия связи

Примеси в элементарных полупроводниках

Примесная электропроводность полупроводников

Примесные состояния в полупроводниках

Примесные уровни в полупроводниках

Примесные центры в полупроводник

Природа хемосорбционной связи водорода на поверхности полупроводников

Причины возникновения нелинейных оптических эффектов в полупроводниках

Пробой (полупроводников)

Пробой электрический в неоднородных полупроводниках

Проводимость в примесных зонах и в аморфных -полупроводниках

Проводимость полупроводника примесная

Проводимость полупроводника эквивалентная раствора

Проводимость полупроводников

Простые комплексы на поверхностях полупроводников Грин и М. Дж. Ли)

Простые полупроводники

Прямозоиные и непрямозониые полупроводники

РНЦ Курчатовский институт, ЗАО Алтек, ЗАО Лад, Институт физики полупроводников

Различные применения полупроводников

Распределение Максвелла — Больцмана и невырожденные полупроводники

Резонансное взаимодействие импульсного лазерного излучения с полупроводниками и металлами - объемные и поверхностные эффекты

Рекомбинационное излучение в полупроводниках

Релаксация в полупроводниках, обусловленная электронами прево- дикости

Релаксация в полупроводниках, обусловленная электронами проводимости

СТАТИСТИКА РАВНОВЕСНЫХ И НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Сварка полупроводников с металлами

Сварка полупроводников с металлами — Выбор свариваемого материала 233— Зависимость времени выдержки от температуры сварки 236, 237 — Зависимость между температурой сварки и давлением сжатия 235 — Конструирование контактов полупроводник-металл 232 — Подготовка свариваемой поверхности 234 — Рекомендуемые покрытия 235 — Режимы 237 —Технология

Свойства атомные полупроводников

Свойства важнейших полупроводников

Свойства однородных полупроводников

Свойства полупроводников

Сегнетоэлектрики полупроводники

Сильно легированные полупроводники

См. также Полупроводники

См. также р — n-переход Полупроводники

Собственная и примесная проводимости полупроводников

Собственная и примесная электропроводности полупроводников

Собственная проводимость полупроводников

Собственное поглощение фотонов в полупроводниках

Собственные и примесные полупроводники

Собственные и примесные полупроводники. Структура энергетических зон некоторых полупроводников

Собственные полупроводники понятие о дырках

Собственные полупроводники также Полупроводники

Сопротивление полупроводников

Статистика носителей заряда в металлах и полупроводниках

Статистика электронов в полупроводниках

Статистика электронов в полупроводниках и металлах

Стеклообразные и аморфные полупроводники

Стеклообразные полупроводники

Структура алмаза полупроводников

Структура аморфных полупроводников

Структура краев зоны проводимости и валентной зоны некоторых полупроводников

Структуры металл-диэлектрик-полупроводник

Твердые полупроводники для механизации и автоматизации сборочно-сварочных процессов

Твердые тела с локализованными связями изоляторы п полупроводники

Температурная зависимость проводимости полупроводников

Теорема Блоха. Одномерная модель кристалла Кронига-Пенни. Проводники и диэлектрики. Естественные полупроводники. Примесные полупроводники Переход металл-металл

Теория свободных электронов для металлов н полупроводников

Теория скорости рекомбинации в полупроводниках (Дж Блекмор)

Тепловое расширение и запрещенная вона в полупроводниках

Теплопроводность амбиполярная в полупроводнике

Термодинамическое равновесие для полупроводника

Термоэлектрические явления в полупроводниках

Термоэлектрические явления и эффект Холла в полупроводниках

Технологая изготовления голографических дифракционных решеток и другах оптических элементов на основе светочу- тол ствительных систем полупроводник - металл

Технология полупроводников

Технология получения полупроводников

Технологияполучения элементарных полупроводников

Транзистор МОП (металл-окисел-полупроводник)

Уравнения переноса заряда в полупроводниках

Уровень Ферми в примесном полупроводнике

Уровень[Фермив полупроводниках

Уровни акцепторные в полупроводника

Уровни донорные в полупроводниках

Физическая сущность выпрямления переменного тока в твердых полупроводниках

Физические свойства полупроводников

Фононы и запрещенная зона в полупроводниках

Фотолюминесценция полупроводников

Фоторефрактивные полупроводники

Фталоцианины как полупроводники

Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП

Химическая область систем жидких полупроводников

Химическая связь в полупроводниках

Химические связи в полупроводниках, производных от

Химические элементы — полупроводник

Химический потенциал в полуметаллах и полупроводниках и его зависимость от температуры

Химический потенциал в собственных полупроводниках

Циклотронная масса в полупроводниках

Циклотронная частота в полупроводниках

Циклотронный резонанс в полупроводниках и металлах

Чистые собственные полупроводники

Ширина энергетической щели между валентной зоной и зоной проводимости в некоторых полупроводниках при абсолютном нуле и при комнатной температуре

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. С. Д. Лазарев, Мейлихов

Экспериментальное исследование захвата и рекомбинации носителей заряда на поверхности полупроводников

Электрические свойства контакта полупроводников р- и л-типов

Электрические свойства полупроводников

Электрический ток в полупроводниках

Электрическое сопротивление металлов, сплавов и полупроводников

Электронная структура слоистых систем полупроводник-оксид

Электронная структура- жидких полупроводников

Электронно-дырочные пары, генерация и рекомбинация в полупроводнике

Электронное поглощение ультразвука в полупроводниках

Электронные полупроводники

Электронные процессы на поверхности полупроводников

Электронный механизм оптической генерации звука в полупроводниках на пути к генерации предельно коротких акустических импульсов

Электроны в полупроводнике

Электропроводность полупроводников

Электропроводность полупроводников в сильном электрическом поле. Горячие электроны. Эффект Ганна

Электропроводность полупроводников и ее зависимость от различных факторов

Электропроводность полупроводников определение типа с помощью

Электропроводность полупроводников термического способа

Электропроводность полупроводников эффекта Холл

Электропроводность статическая в полупроводниках

Электропроводность чистых полупроводников

Электропроводность, анизотропия полупроводников

Элементарные возбуждения в полупроводниках и изоляторах. Экснтоны

Элементарные полупроводники кремний, германий

Элементы со свойствами полупроводников

Элементы, обладающие свойствами полупроводников

Эмиссионные постоянные некоторых металлов и полупроводников

Энергия собственной проводимости полупроводника

Эффект Холла в полупроводниках

Эффект поля в полупроводниках



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте