Заряжение реальной поверхности полупроводников при адсорбции донорных и акцепторных молекул

Медленные электронные состояния межфазной границы (МСГ). Эта фуппа состояний наиболее типична для реальных поверхностей полупроводников, находящихся в контакте с атмосферой. В присутствии адсорбированных молекул концентрация МСГ может достигать 10 —10 см , что на несколько порядков выше концентрации быстрых состояний (БС). При отсутствии заметного заряда в окисной пленке заряд МСГ часто определяет суммарный заряд поверхности Qs- Как уже упоминалось в п.2.4.2, характеристическое время релаксации заряда в МСГ колеблется от секунд до часов и сильно зависит от природы и концентрации адсорбированных молекул. Многочисленные эксперименты по заряжению различных полупроводников при адсорбции широкого круга донорных и акцепторных молекул показывают, что по крайней мере значительная часть МСГ имеет адсорбционное происхождение (АПЭС). [c.192]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...