Пайка полупроводников

ПАЙКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ГРАФИТА И ДРУГИХ НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ [c.272]

Составы припоев, используемых для низкотемпературной пайки полупроводников, приведены в табл. 1. Для пайки полупроводников применяют также припои—пасты на основе галлия. Для обеспечения надежности смачивания контактной поверхности используют ультразвук. Составы при- [c.272]

Для пайки полупроводников на основе халькогенидов сурьмы и висмута в качестве припоев применяют сплавы, содержащие висмут, свинец, олово, кадмий, сурьму, теллур, алюминий, галлий, индий, серебро. При производстве терморегулирующих устройств применяют припои и флюсы, приведенные в табл. 3 и 4. Припои № 2 и 3 (табл. 3) используют также для однослойного и двухслойного лужения полупроводников. При пайке полупроводников этого типа большинство процессов выполняется вручную. Для [c.273]

Пайка полупроводников, графита п других материалов [c.274]

Составы флюсов для пайки полупроводников на основе халькогенидов сурьмы и висмута [c.274]

Технология пайки полупроводников G теплообменниками определяется коммутационным материалом, используемым для изготовления теплообменника (медь или алюминий). [c.274]

Пайка полупроводников — Особенности 272 — Подготовка паяемой поверхности 272, 274 — Припои 272, 273 — Способы 272 — Флюсы 273 [c.392]

Индий благодаря своей высокой способности смачивать различные металлы и неметаллические материалы введен в припои системы Т1—In—Hg, нашедшие применение для пайки полупроводников, стекла, пластмассы, волокон металлов. По данным [c.80]

Золочение применяется для защиты деталей точных приборов от коррозии и окисления при работе их под действием высоких температур, электрических контактов, работающих на истирание, ответственных токоведущих элементов, а также при пайке полупроводников легкоплавкими припоями. [c.93]

По конструкции паяные и клееные соединения подобны сварным — рис. 4.1. В отличие от сварки пайка и склеивание позволяют соединять детали не только из однородных, но и неоднородных материалов например, сталь с алюминием металлы со стеклом, графитом, фарфором керамика с полупроводниками пластмассы дерево, резину и пр. [c.67]

Одним из преимуществ пайки по сравнению со сваркой плавлением является возможность соединения в единое целое за один прием множества заготовок, составляющих изделие. Поэтому пайка, как ни один другой метод соединения, отвечает условиям массового производства. Она позволяет соединять разнородные металлы, а также металлы со стеклом, керамикой, полупроводниками, графитом и другими неметаллическими материалами. [c.5]

Поверхность изделия из полупроводника, подлежащую пайке, предварительно облуживают в расплаве припоя с помощью ультразвукового паяльника, способом гальванического покрытия (никелирование, золочение) [c.272]

В производстве полупроводников операции по сборке изделия под пайку выполняют в сборочных линейках, имеющих контролируемую атмосферу и состоящих из нескольких соединенных между собой скафандров, в которые подается воздух или азот определенной температуры и влажности. [c.272]

Одна из разновидностей прессовой пайки — компрессионная пайка металла с неметаллами (полупроводниками и диэлектриками — керамикой) — аналогична разновидности сварки давлением — компрессионной (прессовой) сварки металлов с неметаллами. При этом речь идет о прессовой пайке металлов с неметаллами обычными металлическими припоями. Преимущества прессовой пайки перед компрессионной сваркой заключаются в более полном контакте соединяемых металлов с неметаллами в связи с наличием жидкого припоя, а также со значительно меньшими возможными давлениями, применяемыми при пайке (0,3— [c.179]

Бездиффузионные спаи основное значение могут иметь в тех случаях, когда необходимо максимально сохранить неизменными свойства подложки, например при пайке металлов высокой чистоты и полупроводников. [c.117]

В производстве наиболее часто применяют пайку металлов с керамикой, стеклом, кварцем, полупроводниками, графитом. При применении металлических припоев в соединении основного металла с неметаллом образуются два вида спаев металлический — между основным металлом и припоем и металло-неметалличе-ский между припоем и неметаллическим материалом. [c.177]

Температура пайки зависит от физико-химических свойств полупроводника и металла и определяется экспериментально. Для системы алюминий — кремний и серебро— кремний она соответственно равна 800 и 860° С. С повышением температуры пайки растет скорость растворения и, кроме того, могут наступить необратимые изменения физических свойств полупроводника. [c.185]

При изготовлении паяных конструкций приходится соединять пайкой металлы с различными физико-химическими свойствами, а также металлы со стеклом, графитом, керамикой, полупроводниками и т.п. Так, в производстве инструмента широко применяют пайку пластинок из твердых сплавов с конструкционными сталями. Различие коэффициентов линейного расширения указанных материалов ведет к образованию в паяном шве внутренних температурных напряжений. [c.211]

Индукционные ЭТУ предназначены для технологических процессов плавки металлов, нагрева металлов под обработку давлением и термообработку, а также сварку и пайку, для плавки оксидов и полупроводников и нагрева газов (плазмы). [c.144]

Пайка соединений металлов с неметаллическими материалами. Пайкой можно получить соединения металлов со стеклом, кварцем, фарфором, керамикой, графитом, полупроводниками и другими неметаллическими материалами. [c.459]

Ввиду различия физико-химических свойств металлов и неметаллических материалов природа связи в паяных швах будет иной, чем в соединениях между металлами. При пайке металлов основным условием образования прочного соединения является удаление с поверхности соединяемых металлов и припоя слоя окислов. При пайке лее металлов с неметаллическими материалами, такими, как стекло, кварц и др., состоящими из окислов, образование паяного соединения будет происходить между металлом и окислами элементов. При пайке металлов с графитом и полупроводниками соединение создается между еще более различными по природе материалами. Ввиду резкого различия коэффициентов термического расширения и других свойств металлов и неметаллических материалов технологические процессы пайки последних разработаны в меньшей степени, чем для металлов. [c.459]

Не исключена, конечно, возможность создания неразъемных соединений между материалами с разными типами связи. Но это не чистая пайка, а образование соединений только с участием процессов пайки (например, пайка стекла, силикатов или полупроводников с металлом). Применяемые способы вжигания серебра в керамику имеют сложную, пока полностью не выясненную природу на поверхности создается слой, который удается соединить с металлом методами пайки. Известно, что стекло можно соединить с металлом, применяя припой, содержащий индий (50% In — 50% Sn). [c.6]

Металлокерамическая пайка припоями — смесями галлия с частицами твердых металлов используется для соединения элементов в электронных приборах, в частности для крепления термопар к полупроводникам [137] (табл. 29). [c.158]

Пайку полупроводников используют как при внутреннем монтаже приборов — припайка токоотводов, напайка перехода на кристаллодержа-тель, так и при наружном монтаже — припайка внешних выводов, герметизация. [c.272]

Составы припоев для пайки полупроводников на основе халькогенидор Сурьмы и висмута [c.274]

Пайка полупроводников с металлами. Пайкой можно успешно соединять металлы с полупроводниками. что является значительным ее преимущест- [c.184]

У. большой интенсивности (гл. обр. диапазон низких частот) применяется в технике, оказывая воздействие на протекание технол, процессов посредством нелинейных эффектов— кавитации, акустич. потоков и др. Так, при помощи мощного У. ускоряется ряд процессов тепло- и массо-обмена в металлургии. Воздействие УЗ-колебаний непосредственно на расплавы позволяет получить более мелкокристаллич. и однородную структуру металла. УЗ-кавитация используется для очистки от загрязнений как мелких (часовое произ-во, приборостроение, электронная техника), так и крупных производств, деталей (трансформаторное железо, прокат и др.). С помощью У. удаётся осуществить пайку алюминиевых изделий, приварку тонких проводников к напылённым металлич. плёнкам и непосредственно к полупроводникам, сварку пластмассовых деталей, соединение полимерных плёнок и синтетич. тканей. У, позволяет обрабатывать хрупкие детали, а также детали сложной конфигурации. [c.216]

Паяемость полупроводников на основе твердых растворов халькогени-дов сурьмы и висмута зависит от следующих факторов способа производства полупроводников (экструзия, прессование, зонная плавка), технологии подготовки поверхности, состава при-поев, режима пайки. [c.273]

Полученное таким путем паяное соединение должно обеспечивать определенное сопротивление контакта площадью 1 см . Это требование к качеству пайки ужесточается с уменьшением высоты ветвей полупроводников (для ветви высотой порядка 2 мгл сопротивление к онтакта площадью 1 см ие более Ь10 Ом-см ). Кроме того, соединение должно быть вйброустой-чивым, коррозионно-стойким и выдерживать заданное время работы в условиях термоциклирования от 100 °С до 0°С в течение 10 000 ч, сохраняя требуемые эксплуатационные свойства. [c.274]

Облуживание и пайка материалов теплообменников. При облуживании меди применяют такие же флюсы и припои, как и при облуживании полупроводников ПВДХ-1 и ПВЭХ-1 по однослойному и двухслойному способам (табл. 5). [c.274]

Составы припоев, режимы пайки и свойства паяных соединений полупроводников ПВДХ-1 и ПВЭХ-1 с теплообменниками, изготовленными из меди и алюминия, приведены в табл. 5. [c.274]

На рис. 2.10 показана описанная в работе [31] схема слоистого ТЭЭЛ, указан состав материалов и их рабочие температуры. На холодном конце контакт металл — полупроводник обеспечивался пайкой, а на горячем конце — прижимом. Испытания проводились в атмосфере аргона. По характеристикам указанных материалов при разности температур 530° С к. п. д. должен был составить 14%, а фактически измеренный оказался равным 12%. После 300 ч работы к. п. д. снизился на 20% вследствие увеличения контактного сопротивления металл — полупроводник. [c.34]

Под ред. Г. Камминса и Э. Пайка. 1978. 4-20. СРИНИВАСАН Р., ПАРТАСАРАТИ С. Применение статистических методов в рентгеновской кристаллографии. 1979. 3-10. СТОУНХЭМ А. Теория дефектов в твердых телах. Электронная структура дефектов в диэлектриках и полупроводниках. В 2-х томах. 1978. 6-10 за комплект. [c.455]

I — корпус 2, 4 п 6 место пайки 3 — кри-сталл полупроводника 5 — диск электрода 7 — внутренний вывод 8 — фланец изолятораз 9 — изолятор 10 — штенгель II — лепесток /2 —медный канатик /3 — наконечник 74 — стальное кольцо [c.119]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...