Электропроводность полупроводников эффекта Холл

Рис. 5-2. Метод определения типа электропроводности полупроводников при помощи эффекта Холла.

Рис. 8-3. Определение типа электропроводности полупроводников а — при помощи эффекта Холла б — при помощи нагрева одного из концов испытуемого полупроводника

На рис. 159, а иллюстрируется сущность метода определения типа электропроводности полупроводника по изменению знака поперечной э. д. с. эффекта Холла. Если поместить полупроводниковую пластинку во внешнее поперечное магнитное поле Н и приложить в направлении длины ее разность потенциалов, создающую электрическое поле Е, то вследствие смещения носителей тока к одной из граней пластинки возникает поперечная э. д. с., измеряемая вольтметром V. (Направление смещения зарядов определяется по правилу трех пальцев левой руки, относящемуся к техническому направлению тока). Из рис. 159, а видно, что при изменении механизма электропровод- [c.286]

Основа для интерпретации явлений переноса все еще находится в стадии развития и все еще имеются существенные расхождения, например в истолковании таких явлений, как эффект Холла. Кроме того, хотя и имеются основания верить в то, что существующая теория верна для таких-параметров, как электропроводность и термо-э. д. с., лишь в немногих случаях удается продемонстрировать детальное согласие теории и эксперимента. Поэтому нет уверенности в том, что все существенные аспекты поведения жидких полупроводников правильно описываются теорией. [c.97]

Электропроводность зависит как от концентрации, так и от подвижности носителей. Для металлов на основе простых представлений о валентности нетрудно определить концентрацию носителей, а следовательно, и определить их подвижность. Установить концентрацию носителей в полупроводниках несколько труднее. Можно провести полный химический анализ и определить концентрацию донорных и акцепторных примесей. Однако проще и удобнее ее находить из измерений эффекта Холла. Если приложить магнитное поле в направлении, перпендикулярном направлению тока в полупроводниках, то в третьем направлении, перпендикулярном двум первым, возникает электродвижущая сила, пропорциональная силе тока и напряженности магнитного поля. Константа пропорциональности, как нетрудно показать (см. задачу 4.3), прямо определяет концентрацию носителей и их знак. Зная величину удельной электропроводности, легко вычислить подвижность носителей. [c.75]

Багдуев Г. Б., Абакаров С. А. Исследование электропроводности и эффекта Холла в Теллуре с примесями йода. —Сб. 1. Исследования по физике полупроводников и по геофизике . Орджоникидзе, 1968, с. 3. [c.144]

Входящие в это выражение концентрация носителей тока п см ] и их подвижность v [см 1сек-в являются характеристиками полупроводника. Путем измерения электропроводности полупроводников можно определить только произведение этих двух величин. Для их разделения можно воспользоваться эффектом Холла. Смещение носителей тока в поперечном направлении в полупроводнике прекратится, когда лоренцова сила уравновесится силой возникшего поперечного электрического поля сместившихся зарядов [c.288]

Фиг. 154 поясняет сущность метода определения типа электропроводности полупроводника по изменению знака поперечной электродвижущей силы эффекта Холла. Если поместить лластинку из полупроводника во внешнее поперечное магнитное поле Н и приложить в направлении ее длины некоторую разность потенциалов, создающую электрическое поле Е, то вследствие смещения носителей тока к одной из граней пластинки возникает поперечная электродвижущая сила, измеряемая вольтметром V. Из фиг. 154 видно, что при изменении механизма электропроводности меняется и направление отклонения стрелки вольтметра, по которому и судят о типе ( р или п ) испытуемого полупроводника. [c.305]

МСВИ). Этот метод обеспечивает измерение низкой концентрации примесей (например, 5 10 см бора и мышьяка в кремнии), обладает высоким разрешением по глубине (несколько нанометров), универсальностью. Метод МСВИ наряду с радиоактивным методом позволяет определить общее количество введенной примеси, поэтому, если необходимо определить электрически активную часть примеси, то следует воспользоваться электрическими методами. К настоящему времени разработаны и широко используются специфические полупроводниковые методы измерения диффузионных профилей электрически активных примесей (или их электрически активной части) и их коэффициентов диффузии в полупроводниках. Эти методы основаны главным образом на исследовании изменений электрических свойств в различных частях полупроводникового образца, обусловленных проникновением туда диффундирующих атомов. Эти методы не столь универсальны, как радиоактивные и МСВИ, но их преимуществом является незначительная трудоемкость и отсутствие специфики, связанной с применением радиоактивных изотопов. Однако следует иметь в виду, что практическое применение полупроводниковых методов исследования возможно только при использовании материалов высокой химической чистоты. Кроме того, диффундирующее вещество должно быть электрически активной примесью и оказывать влияние на электрические свойства исследуемого полупроводника. К полупроводниковым методам относятся метод электронно-дырочного перехода, метод фото-э.д.с., метод электропроводности и емкостный метод [39,41]. Мы ниже рассмотрим лишь один из них — метод р — я-перехода, позволяющий непосредственно определять концентрацию даже при очень малых глубинах проникновения примесей, когда измерение эффекта Холла невозможно. [c.298]

На рис. 66 показаны результаты обратного вычисления квазивремен релаксации вариационным методом для удельной электропроводности, термоэлектродвижущей силы и коэффициента Холла в полупроводниках (статистика Больцмана). Из рисунка видно, что для низких (н соответственно высоких) температур квазивремена релаксации для разных эффектов совпадают, и, следовательно, использование единого времени релаксации со степенью 1/2 (соответственно 0) в выражении т оказывается оправданным. [c.247]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...