Конфигурации электронны

Обозначим через энергию, обусловленную вращением ядер (ротационная энергия), через ХРт, — энергию, соответствующую колебаниям ядер (вибрационная энергия), и через We — энергию, обусловленную электронной конфигурацией (электронная энергия). Энергия взаимодействия отдельных типов молекулярных движений обычно бывает мала даже по сравнению с Поэтому мы можем ею пренебречь и с достаточным приближением выразить полную энергию какого-либо стационарного состояния молекулы в виде [c.746]

Изучение конфигурации электронного строения атомов металлов указывает на наличие небольшого числа электронов на валентной орбите (1—3), которые слабо связаны [c.10]

Распределение ионов по А- и 5-узлам определяется следующими факторами а) ионным радиусом б) конфигурацией электронных оболочек ионов в) электростатической энергией (зарядом ионов). [c.101]

Конфигурация p nd, в силу принципа Паули, примененного для подгруппы р5, эквивалентна рассмотренной выше конфигурации из двух электронов pd. Как видно, здесь снова получилось 12 различных состояний с теми же значениями квантового числа. /, которые получались при [L, 5]-и [у. У]-связях. Полученное совпадение числа результирующих состояний при всех типах связи не является случайным оно является результатом общего положения, вытекающего из так называемого принципа адиабатической инвариантности, установленного Эренфестом, в силу которого квантовое число У сохраняет свое значение при любых изменениях типа связей. Таким образом, результирующее состояние электронной оболочки атома или иона, соответствующее данной конфигурации электронов, характеризуется одним и тем же набором квантовых чисел У независимо от типа связи между моментами электронов. Число термов, соответствующих данной электронной конфигурации, не зависит от того, какого рода связи осуществляются между моментами электронов. Меняются только расположение термов и ряд их свойств, проявляющихся при воздействии внешних полей. Поэтому в тех случаях, когда надо знать лишь число термов, соответствующих какой-либо электронной конфигурации, всегда можно исходить из предположения, что имеет место [L, 5]-связь, и пользоваться обычной символикой для обозначения термов. Надо только помнить, что в тех случаях, когда [L, 5]-связь нарушена, квантовые числа L и 5 теряют свой смысл. [c.214]

Из теоретических соображений следует, что должны существовать электростатические и спин-орбитальные взаимодействия между различными конфигурациями электронной оболочки атома, которые могут быть учтены с помощью теории возмущений. [c.219]

Способность к аморфизации Термическая стабильность Электросопротивление (сверхпроводимость) Термическая стабильность Упругость Твердость, прочность Пластичность, вязкость Магнитная проницаемость Коррозионная стойкость Температура Давление Скорость охлаждения Деформация Атмосфера Атомные конфигурации Электронные состояния Химический состав Структура Диффузия Превращения [c.291]

Устойчивость кристаллических структур металлов связывают также со стабильными конфигурациями электронов в полностью и наполовину заполненных оболочках. Такое объяснение структур металлов встречает значительные трудности. Считают, что 0]Дк структура металлов V, VI групп связана с большим весом d -кон-фигураций [371. Однако ОЦК структуру имеют щелочные металлы и барий, радий, европий (s ), где f-состояний нет, и высокотемпературные модификации металлов II—IV групп, лантаноидов и актиноидов, где всего 1—2 rf-электрона. Конфигурационные представления используются при анализе строения и свойств металлов [38]. [c.8]

Возможные конфигурации электронов в атоме контролируются принципом Паули два электрона не могут находиться в атоме в одном и том же квантовом состоянии. Это ограничивает число [c.55]

Как следует из самих названий, в первом типе добавленный атом В занимает место атома А в исходной решетке, а во втором типе все атомы А остаются на своих местах, а атом В лишь внедряется в промежутки между ними. В обоих случаях добавление атомов В возможно, если они достаточно малы, чтобы внедриться в решетку и либо занять место атома А, не нарушая положения его соседей, либо войти в промежутки между ними. Было показано [Л. 5], что образование твердых растворов возможно, когда атомы А я В отличаются по величине не больше чем на 14—15% большая же разница препятствует этой возможности. В специальных случаях возможно множество ограничивающих условий, однако это рабочее правило наиболее ценно. На рис. 7-10 приведена диаграмма, облегчающая применение этого правила Л. 13]. В этой диаграмме элементы расположены в порядке диамегра их атомов по нескольким горизонтальным линиям, соответствующим различным типам конфигурации электронов в атоме. На первой линии расположены элементы с одним 5-электроном и не имеющие -электронов (столбец I-A периоди- [c.160]

Прежде чем обратиться к результатам основных работ, посмотрим на атом в условиях а ол > качественно, в рамках классической механики. Для определенности положим, что внешнее поле линейно поляризовано. Осциллируя в таком поле, электрон периодически находится то с одной, то с другой стороны от атомного остова. При этом максимальное время электрон проводит около точки поворота, где его скорость изменяет знак. Это приводит к трансформации конфигурации электронного облака от типичной для отсутствия внешнего поля с максимумом в области ядра к двум максимумам на расстоянии а ол от остова и минимуму вблизи остова (см. рис. 10.1 и 10.16). Такую трансформацию принято называть дихотомией [c.284]

ЭЛЕКТРОННАЯ КОНФИГУРАЦИЯ — ЭЛЕКТРОННАЯ ОПТИКА [c.474]

Рассеяние электронное атомный множитель зависит от sin О/Я поляризационный множитель зависит от угла. Амплитуда рассеяния монотонно возрастает с увеличением атомного номера н может быть найдена по известной конфигурации электронов различия между изотопами нет амплитуда рассеяния всегда положительна [c.844]

Таким образом, энергия активации реакционной диффузии должна быть всегда связана с нарушением (возбуждением) стабильных конфигураций электронов атомов переходного металла и неметалла и уменьшаться с понижением этой стабильности. Она должна также уменьшаться при росте концентрации коллективизированных электронов за счет их разрыхляющего действия. В то же время скорость реакционной диффузии, по-видимому, определяется активностью электронных переходов между партнерами процесса реакционной диффузии. [c.13]

Автоматизация схемотехнического проектирования предполагает решение на ЭВМ задач выбора конфигурации электронной схемы (структурный синтез) предварительного расчета параметров элементов схемы на основе упрощенных формул и соотношений определения выходных параметров схемы в зависимости от изменения внутренних и внешних параметров (одновариантный и многовариантный анализ) определения значений внутренних параметров схемы, обеспечивающих наилучшие значения выходных параметров (параметрическая оптимизация). Автоматизированное решение задач анализа и оптимизации основано на инвариантных методах и алгоритмах (см. гл. 2, 3). Специфика математического обеспечения схемотехнического проектирования проявляется в моделировании элементов электронных схем и анализе конкретных типов проектируемых схем. [c.128]

Далее необходимо построить все возможные конфигурации электронов в сильном КП К = (у >,. ..у р), где -Н... + кр = п. Для [c.6]

Свойства металлов зависят от внутреннего строения ион-атомов, а следовательно, и ог конфигурации электронов в металле. [c.187]

Как и всюду в книге, мы считаем, что твердое тело состоит из ионных остовов (т. е. ядер и тех электронов, которые столь сильно связаны с ними, что другие ионы и валентные электроны твердого тела не могут существенно изменить их конфигурацию по сравнению с атомной) и валентных электронов (т. е. электронов, распределение которых в твердом теле может существенно отличаться от конфигурации, существующей в изолированном атоме). Как подчеркивалось ранее, деление на электроны остова и валентные электроны носит условный характер. В металлах (и особенно в простых металлах) в качестве валентных обычно достаточно рассматривать лишь электроны проводимости, относя все остальные электроны к жесткому ионному остову. В переходных металлах, однако, иногда весьма существенно рассматривать электроны верхних й-оболочек как валентные электроны, а не как электроны ионного остова. Утверждая, что в основе схемы классификации лежит распределение валентных электронов, мы хотим лишь сказать, что в ней используются те особенности атомной конфигурации электронов, которые претерпевают существенное изменение, когда отдельные атомы соединяются, образуя твердое тело. [c.5]

Свойства металлов зависят от внутреннего строения ион-атомов, а следовательно, и от конфигурации электронов в металле. Но пассивность определяется не только металлом, но в значительной степени также и окружающими условиями. Поэтому допустить, что только конфигурацией электронов объясняется пассивное состояние, по-видимому, нельзя. И действительно, эта теория не объясняет всех особенностей пассивного состояния, не привлекая пленочную или адсорбционную теорию [29]. [c.305]

При расчете энергии сцепления молекулярных и ионных кристаллов в силу того, что конфигурация электронов в этих кристаллах не слишком сильно отличается от их конфигурации в-изолированных атомах или ионах, обычно ограничиваются вычислением классической потенциальной энергии системы сферически симметричных частиц, образующих определенную кристаллическук> структуру. Считается, что силы, действующие между атомами или ионами, являются центральными, т. е. полная потенциальная энергия системы зависит только лишь от расстояния между взаимодействующими частицами, которые локализованы в узлах решетки и кинетическая энергия которых пренебрел<имо мала. [c.63]

Дается интерпречация основных закономерно-сгей периодической сисгемы элементов Менделеева и онисываю1ся ее строение и конфигурация электронных оболочек атома. [c.286]

В результате большой проделанной работы [52-57] g настоящее время удалось классифицировать свыше 4800 линий Fel, которые возникают при переходах между 464 термами. Все термы сопоставлены определенным электронным конфигурациям. Электронные конфигурации Fel и соответствующие им термы можно определить, исходя из электронных конфигураций ионов железа Felll и Fell. [c.281]

Изменения 8 отражают в осн. изменения фононного спектра с давлением. В случае ковалентных кристаллов частоты оптич. продольных LO- и поперечных fO-колебаний решётки растут с дм-] лением, а частоты акустич. LA- и ГА-колебаний пь] дают (см. Колебания кристаллической решётки). Изнь] нение межатомного расстояния под действием давленщ 1 меняет конфигурацию электронной оболочки колеблющихся атомов, поэтому меняется и эфф. заряд ионм (знак изменения возможен любой). [c.188]

Лит. см. при статьях Спиновое стекло. Стёкла. Ю. Г. Рудой. ФТОР (лат. Fluorum), F,— хим. элемент VII группы перио-дич. системы элементов, ат. номер 9, ат. масса 18,9984, относится к галогенам. В природе представлен стабильным F. Конфигурация электронных оболочек ]s 2s p . Энергии последоват. ионизаций 17,422 34,987 62,661 87,2 [c.376]

ХУНДА ПРАВИЛО — правило дня нахождения самых глубоких уровнен энергии, соответствующих определённой электронной конфигурации атома при нормальной связи спиновых и орбитальных моментов образующих эти конфигурации электронов, когда уровни энергии характеризуются квантовыми числами 5, L (см. Атом, Атомные спектры). В случае нормальной связи моментов (см. Связь векторная) при заданном квантовом числе 5 полного спинового момента атома и при заданном квантовом числе полного орбитального момента атома L получается спектральный терм L с мультиплет-ностью K = 2.S-hl—совокупность уровней энергии с квантовыми числами J полного момента атома . / = L-bS, Z.-I-5— L —5 . Расположение мультиплетных термов L определяется электростатич. взаимодействиями электронов (много большими при нормальной связи, чем магн. взаимодействия) и, как следует из эксперим. данных и подтверждается мн. квантово.механич. расчётами, термы, соответствующие определённой конфигурации, лежат, как правило, тем глубже, чем больше 5, а при данном S имеют тенденцию лежать тем глубже, чем больше L. [c.417]

Чистые элементы мог т затвердевать в виде молекулярных кристаллов, кристаллов с ковалентными или металлически.ми связями. В этих же формах люгут кристаллизоваться и соединения. Кроме того, в случае соединений разных атомов появляется новая возможность, которая отсутствует у чистых элементов. Энергия ионизации всех атомов одного и того же чистого эле.мента одинакова и электроны распределены равномерно. В соединениях разных элементов, где в наиболее устойчивой конфигурации электроны не всегда распределены равномерно по отношению к связываемым атомам, может возникнуть электрический диполь. Поскольку два связанных атома могут иметь различные энергии ионизации, электроны большую часть времени могут находиться вблизи одного из положительных ядер. Такое разделение зарядов может привести к возникновению сильных вн трш1юлекулярных сил такого типа, который не найден у чистььх элементов, например ионным типам связи. [c.28]

Показано наличие корреляции между ростом х и уменьшением электроотрицательности. Так, в соединениях РеО, FeS и FeSe величина х равна соответственно 0,1 0,2 и 0,3. Разумеется, такое однопараметрическое описание является достаточно грубым, но все же оно позволяет оценить степень ковалентности связи. Аналогичный подход использован при анализе б на примесных ядрах. Так, атомы Fe в ZnS и ZnSe имеют конфигурацию электронной оболочки, близкую к [c.464]

Отметим, что искажения оптического пути в активных элементах при оптической накачке могут происходить не только в результате нагрева. При существенном изменении соотношения между концентрациями возбужденных и невозбужденных ионов активатора показатель преломления может изменяться вследствие различной конфигурации электронных оболочек ионов в этих состояниях. Эффект особенно сильно проявляется в трехуровневых средах (например, в рубине), где для достижения усиления необходимо перевести в возбужденное состояние не менее половины всех ионов активатора. В таких средах неоднородность инверсии, связанная либо с неоднородностью накачки, либо с локальным сбросом инверсной населенности за счет развивающейся генерации, может вызвать динамическую неоднородность показателя преломления. Она бывает настолько сильной, что приводит к так называемой самомодуляции добротности. В четырехуровневых средах инверсная населенность, как правило, составляет величину не более 10—15 % от концентрации активатора и указанным изменением показателя преломления по сравнению с температурным можно пренебречь [исключение могут составлять так называемые атермальные стекла (см. п. 1.4), в которых температурное изменение показателя преломления скомпенсировано фотоупругостью]. [c.32]

У следующего элемента 3Li появляется третий электрон, которому нет места в полностью застроенной первой электронной оболочке (принцип Паули). Поэтому с лития начинается заполнение второй оболочки с главным квантовым числом л = 2, т. е. начинается второй период в таблице Менделеева. Во второй оболочке имеются 4(s—р) квантовых ячеек, содержащих восемь вакантных мест для валентных электронов. В атоме водорода энергии электронов в s- и р-ячейках одной электронной группы одинаковы. В атоме лития имеется двухэлектронный остов, экранирующий заряд ядра до.7 = 1. Вследствие просачивания части электронной плотности 25-состояния внутрь остова ( ныряющая боровская орбита) энергия связи 25-электрона с ядром оказывается меньше энергии 2р-электрр-йа (2s<2p), и электронное строение атома лития будет ls 2s . У 4Ве заполняется 2х -ячейка, а у следующего элемента 5В впервые появляются р-электроны. Далее заполнение р-ячеек, так же как и ячеек следующих d и f электронных подгрупп, идет в соответствии с эмпирическим правилом Хунда, согласно которому конфигурация электронов должна обладать максимальным суммарным спином 5. Это означает преимуществен-ность параллельной ориентации спинов. Возможность параллельной ориентации спинов исчерпывается у седьмого элемента азота, имеющего замкнутую сферически симметричную р-под-группу, что проявляется в некотором повышении первого потенциала ионизации атома азота по сравнению с атомами соседних элементов. Далее с увеличением порядкового номера элемента электроны начинают размещаться в ячейках попарно с антипараллельными спинами. Этот процесс завершается у десятого элемента неона, атомы которого имеют замкнутую валентную оболочку с полностью компенсированными механическими и магнитными моментами и сферически симметричным распределением электронной плотности. Последнее является следствием свойств суммы квадратов сферических функций для заполненных подгрупп. Атомы неона, как и гелия, имеют высокий потенциал ионизации и химически инертны. [c.13]

Никель обладает внутренним магнитным моментом 0,6р на атом. Это дробное значение определяется относительным расположением S- и d-зов, которое определяет также положение энергии Ef относительно дна d-зоны. Для никеля (конфигурация электронный заряд, приходяш ийся на атом, равен Юе/а. Если Ef (см. фиг. 49) соответствует заполнению 5-зоны до уровня 0,6ela (0,Se/a на каждое спиновое состояние) и половина d-зоны с отрицательной проекцией спина заполнена целиком (5е1а), то на долю половины d-зоны с положительной проекцией спина остается Таким образом, получается дырка , которой соответствует заряд 0,6е/а в полузоне с положительной проекцией спина и магнитный момент 0,6 р. [c.126]

В работе [5.70] наблюдался процесс многофотоиной ионизации 31 атома от Mg Z = 12) до Lu ( = 71). Потенциалы ионизации этих атомов лежат в диапазоне от 5,4 эВ для Рг до 9,4 эВ для Zn, а конфигурации электронов во внешней оболочке различны. [c.138]

Хим. свойства П. изучались на изотопах Рт и Pm , т. к. эти изотопы можно получить в сравиител .-но больших количествах в реакторе. Изотоп Рш " отделялся от радиоактивных ичотолюв др. лаатапои-дов (образующихся при делении урана) посредством ионного обмена ira спец. смоле — амберлите. По хим. свойствам П. весьма сходен с неодимом и др. лантаноидами. Конфигурация электронной оболочки атома И. [c.219]

При воздействии радиации можно применять специальные марки ПСМ и масел. Более перспективно использование фракций ароматических углеводородов, усиленных специальными антиради-ационными присадками. Эти материалы сохраняют свойства при высоком потенциале поглощения энергии вследствие присущей им более подвижной конфигурации электронов по сравнению со структурами электронов линейных молекул парафинов. [c.90]

В таблице для конфигураций электронов в атомах и ионах использованы обозначения. которые применяются во всех учебниках по элементарной атомной физике Буквы s, р, (I,. .. относятся к электронам, имеющим орбитальное квантовое чиело соответственно О, I, 2,. .. (в единицах й). Число, расположенное слева от 5, р, есть главное квантовое число данной оболочки верхний индекс справа—число электронов в данной оболочке. [c.768]

Но пассивность определяется не только металлом, но в значи-7 ельной степени также и окружающими условиями. Поэтому допустить, что только конфигурацией электронов можно объяснить пассивное состояние, повидимому, нельзя. И действительно, эта TeqpiHH не может объяснить всех особенностей пассивного состояния, не привлекая пленочную или адсорбционную теорию [47]. [c.188]

Модель квазивозбужденного атома. Мы приходим к выводу, что в наших очевидных рассуждениях скрыта какая-то ошибка, причем принципиального характера. Эта ошибка не связана с варьированием а (см. 6) остается сделать вывод, что плохо обоснованным является предположение о конфигурации электронных оболочек, использованное в расчете. Действительно, предположим, что в кристалле атом находится в возбужденном, а не в основном состоянии. Для Ге это означает перевод 5-электрона на -орбиту. Тогда (см. 6) экранирование ядра улучшится, уровни атома поднимутся, -резонанс окажется выше, чем для основного состояния. Волновые функции -электронов станут при этом более диффузны, т. е. -электроны несколько делокализу-ются. [c.122]

Данная глава рассказывает о современном состоянии исследований свойств хемосорбированного водорода. Эта область науки в значительной мере обязана своими успехами последним достижениям техники получения ультравысокого вакуума, способной обеспечить чистоту поверхностей адсорбентов, а также квантов.омеханическим и статистико-термодинамическим методам получения надежной информации о хемосорбированном состоянии. Обзор теоретических исследований хемосорбированного состояния начинается с традиционного рассмотрения электронной структуры неограниченного кристалла. Нарушение конфигурации электронов кристалла, связанное с созданием поверхности, принимается во внимание при описании поверхностных состояний и распределения электронов на поверхности металлов (см. 2, п. 1). Хемосорбция водорода на собственных полупроводниках, таких, как Ое и 51, или на примесных полупроводниках, таких, как ZnO, обсуждается в 3 с учетом поверхностных состояний. В случае металлов на основе квантовомеханического рассмотрения делается вывод о существовании двух видов хемосорбированного состояния — г-состояний и -состояний хемосорбированного водорода, условно называемых г- и 5-ато-мами ( 4). [c.11]

Конфигурация электронной схемы бортового вычислителя создана на элементах программируемой логики XILINX ХС 3042 и ALTERA ЕР900 (ПЛИС). Загрузка ПМО ПЛИС и проверка работоспособности устройства проводятся от ПЭВМ. [c.21]

При диффузионной сварке соединение образуется в ре зультате взаимной диффузии атомов в поверхностных слоях контак тирующих материалов, находящихся в твердом состоянии. Температура нагрева при сварке несколько выше или ниже температурь рекристаллизации более легкоплавкового материала. Диффузионную сварку в большинстве случаев выполняют в вакууме, однако она возможна в атмосфере инертных защитных газов. Свариваемые за готовки 3 (рис. 5.45) устанавливают внутри охлаждаемой металлической камеры 2, в которой создается вакуум 133(l(H-f-10" ) Па, и нагревают с помощью вольфрамового или молибденового нагревателя или индуктора ТВЧ 4 (5 — к вакуум1юму насосу 6 — к высокочастотному генератору).Может быть исиользоваитакже и электронный луч, позволяющий нагревать заготовки с eui,e более высокими скоростями, чем при использовании ТЕ Ч. Электронный луч применяют для нагрева тугоплавких металлов и сплавов. После тогй как достигнута требуемая температура, к заготовкам прикладывают с помощью механического /, гидравлического или пневматического устройства небольшое сжимающее давление (1—20 МПа) в течение 5—20 мин. Такая длительная выдержка увеличивает площадь контакта между предварительно очищенными свариваемыми поверхностями заготовок. Время нагрева определяется родом свариваемого металла, размерами и конфигурациями заготовок. [c.226]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...