Полупроводники закон действующих масс

При добавлении небольших количеств иона Li+ к ZnO, который является полупроводником п-типа, концентрация электронов снижается в соответствии с требованием сохранения электронейтральности, а концентрация промежуточных ионов цинка возрастает в соответствии с законом действия масс — см. уравнение (3). Это облегчает диффузию межузельных ионов Zn . Следовательно, L+ повышает скорость окисления цинка, т. е. влияние Li+ здесь противоположно его влиянию при добавлении в NiO. Ионы по тем же причинам снижают скорость окисления цинка, что подтверждается следующими данными [28] (/ = 390 °С, ро = = 0,1 МПа) [c.198]

Таким образом, произведение равновесных концентраций основных и неосновных носителей заряда в данном полупроводнике равно квадрату концентрации собственных носителей в этом полупроводнике. Это важное соотношение, широко используемое в теории полупроводников, называют законом действующих масс, [c.171]

Квазиуровни Ферми. Равновесная концентрация электронов и дырок в полупроводнике определяется равновесным уровнем Ферми и температурой и описывается формулами (6.7) и (6.8). Важно подчеркнуть, что в равновесных условиях электроны и дырки, располагающиеся в зонах и на локальных уровнях, имеют единый уровень Ферми (рис. 6.8, д). Для равновесных носителей выполняется закон действующих масс (6.30). [c.171]

Вывести закон действующих масс для концентраций основных и неосновных носителей в полупроводнике, предполагая, что для носителей тока в зоне проводимости и в валентной зоне, так же как для классических свободных частиц, применима статистика Максвелла — Больцмана и что функция плотности состояний параболическая для обеих зон. Эффективные массы т% (для электронов) и т р (для дырок) считать известными и постоянными. [c.77]

В гл. 5 говорилось, что концентрация дефектов решетки кристалла в равновесных условиях определяется законом действующих масс. Из условия равновесия между концентрациями электронов и дырок в полупроводниках и диэлектриках можно найти концентрации всех дефектов, способных ионизоваться. Рассмотрим несколько примеров [c.122]

Если поверхностное соединение металла является полупроводником р-типа с недостатком металла, например ujO, NiO, FeO, СоО и др., то при окислении таких металлов должна, по Вагнеру, наблюдаться определенная зависимость от величины давления кислорода (см. рис. 90). В идеальном случае к реакции окисления приложим закон действующих масс. В случае окисления никеля по реакции (54) [c.131]

В правой части равенства уже не содержится значение уровня Ферми Ен. Полученное выражение представляет собой закон действующих масс. Поскольку при выводе соотношения (3.41) не предполагалось, что проводимость будет собственной, следовательно, оно будет оправедливо и в присутствии примесей. Единственное условие для примесных полупроводников состоит в том, что энергетическое расстояние уровня Ферми от краев обеих зон должно быть велико по сравнению с коТ. [c.114]

При добавлении Небольших количеств в 2пО, который является полупроводником типа п, концентрация электронов падает и сохраняется злектронейтральность окисла, а концентрация междоузельных ионов цинка возрастает в соответствии с законом действующих масс [уравнение (5)]. Это облегчает диффузию (междоузельных). Следовательно, добавление Li в ZnO увеличивает скорость окисления Zn, т. е. противоположно его влиянию при добавлении в NiO. По тем же причинам АР уменьшает скорость окисления. Сказанное подтверждается значениями константы параболического уравнения окисления К, приведенными ниже [17] [c.156]

Дед можно также рассматривать как протонный полупроводник. Мы не хотим подробно обсуждать эту достаточно большую область исследования, которую плодотворно изучали Шеррер и его сотрудники [16, 17], тем более, что мы не анализировали детально их результатов, но нам кажется, что их общие заключения вполне обоснованы. Ограничимся лишь несколькими замечаниями. Некоторые ионы передвигаются особенно хорошо в кристаллах льда НзО" , НО , Р , NH4 . (Относительные растворимости солей во льду точно еще не известны, так как при определении этих величин возникают трудности, связанные, например, с ионным обменом.) Поместим в лед молекулу НР. Эта молекула стремится захватить дефект Бьеррума с положительным зарядом. Поскольку дефекты Бьеррума также подчиняются закону действующих масс вида Св Св =К, концентрация дефектов Бьеррума с отрицательным зарядом будет возрастать, а время диэлектрической релаксации уменьшится. Этим же объясняется то обстоятельство, что температурный коэффициент диэлектрической релаксации во многих случаях для льда с примесями меньше, чем для чистого льда. [c.337]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...