Кинетические явления в полупроводниках

В оригинале книга состоит из трех отдельных выпусков, два первых из которых, части I и II под общей обложкой, предлагаются читателю. Как видно из оглавления, они представляют собой изложение широкого круга равновесных и кинетических явлений в совершенных (идеальных) кристаллах —металлах, диэлектриках и полупроводниках. В третьем выпуске рассматриваются несовершенные кристаллы, т. е. примеси и поверхности в кристаллах, а также неупорядоченные (аморфные) тела. Его содержание требует особого обсуждения. Во всяком случае отдельное издание первых двух выпусков представляется целесообразным. [c.7]

Очевидно, что конкретный механизм рассеяния электронов играет для термоэлектричества важную роль. Можно, например, предположить, что электроны, имеющие большую скорость, должны рассеиваться атомами решетки под меньшими углами, чем электроны с меньшей скоростью. Другими словами, средняя длина свободного пробега электронов будет зависеть от их кинетической энергии. Это верно в целом, но конкретная взаимосвязь длины пробега и энергии сложна и сильно зависит от электронной структуры решетки. Сложность связи между длиной пробега и энергией электронов не дает возможности получить количественное описание термоэлектричества, хотя качественно картина явления проста. Другими словами, наших сведений о поверхности Ферми реального металла недостаточно для вычисления термо-э.д.с. Следует отметить, что для полупроводников ситуация проще, поскольку число электронов и дырок, участвующих в процессе проводимости, значительно меньше. В этом случае модель электронного газа, в которой частицы подчиняются статистике Максвелла — Больцмана, лучше отражает истинную природу явления. [c.268]

Как второе приложение кинетической формулировки мы рассмотрим явление переноса в ОПЗ полупроводника. В этом случае поле пространственного заряда Ее обычно нормально к поверхности, а движущее поле Е1 [если изоэнергетические поверхности е (р) сферичны] параллельно поверхности [c.149]

К. ф. включает в себя кинетическую теорию газов из нейтральных атомов пли молекул, статистич, теорию неравновесных процессов в плазме, теорию явлений переноса в твёрдых телах (диэлектриках, металлах и полупроводниках) и жидкостях, кинетику магн. процессов и теорию кинетич. явлений, связанных с прохождением быстрых частиц через вещество. К ней же относятся теория процессов переноса в квантовых жидкостях и снерхпроводниках и кинетика фазовых переходов. [c.354]

Вопрос состоит в том, существуют ли аналогичные эффекты влияния геометрии на электронный спектр конденсированной среды, не обладающей дальним порядком. Например, при плавлении полуметалла или полупроводника следует ли ожидать, что характерные особенности зонной структуры, такие, как псевдощели, сохранятся в качестве отличительных черт электронного спектра Ответ на этот вопрос важен не только при расчетах кинетических характеристик электронов, но и при изучении многих других явлений (например, аннигиляции позитронов и сдвига Найта), для которых существенно значение плотности состояний [c.474]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...