Сегнетоэлектрики полупроводники

Рассмотрим последовательно перечисленные процессы. Для реализации фоторефрактивного эффекта необходимы глубокие локальные уровни в запрещенной зоне кристалла, которые под действием света с подходящей длиной волны могут изменять свое зарядовое состояние. Для этого в фоторефрактивные кристаллы, большинство из которых входит в класс так называемых сегнетоэлектриков-полупроводников [4], обычно вводят специальные примеси, склонные к перезарядке (ионы Fe, Си, Rh [5] и др.). Однако даже в номинально чистых кристаллах без специально введенных активаторов всегда содержатся неконтролируемые [c.43]

Элементы на основе сегнетоэлектриков-полупроводников. К ним относятся два типа радиокомпонентов, использующих полупроводниковые свойства модифицированной (легированной, восстановленной) сегнетокерамики преимущественно на основе тита- [c.180]

Существуют различные подходы к классификации твердых тел. Их различают по типу кристаллических структур кубическая, гексагональная и т. д., по характерным физическим, химическим, механическим свойствам магнетики, сверхпроводники, полупроводники, сегнетоэлектрики, высокопрочные материалы и т. д. [c.95]

Сегнетоэлектриками являются полупроводники группы А В , обладающие малой шириной запрещённой зоны 0,1—0,3 эВ. К ним относятся СеТе, [c.474]

Кристаллы и поликристаллы — важнейшие материалы электронной техники именно они используются во многих современных акустических, электронных и оптических приборах (см. гл. 5—7). В отличие от типичных полупроводников, в которых преобладает ковалентная связь атомов, кристаллические диэлектрики, в том числе пьезо-, пиро- и сегнетоэлектрики, характеризуются главным образом конной связью (хотя во многих случаях в них нельзя пренебрегать и другими видами связей [9]). [c.82]

Зависимость проводимости от концентрации легирующей добавки в сегнетоэлектриках типа ВаТ Од существенно отличается от аналогичной зависимости для других полупроводников (рис. 21.16). При увеличении концентрации добавки до 0,1 0,3 ат. "о р уменьшается на 10—12 порядков, а в дальнейшем вновь возрастает. При концентрации добавки около I ат. удельное сопротивление близко к значению р нелегированного титаната бария. Наличие минимума в концентрационной зависимости р связано с ограниченной растворимостью добавки, с изменением типа твердого раствора. [c.226]

К оксидным полупроводникам с электронной электропроводностью относятся широко используемые в радиоэлектронике ферриты и сегнетоэлектрики. [c.253]

Современная эпоха — эпоха твердотельной электроники. Основой ее следует, видимо, считать полупроводники, ферриты и сегнетоэлектрики. Время, когда электротехника базировалась только на понятиях активного сопротивления, индуктивности и емкости, давно прошло. [c.7]

П. м. являются также жидкие полупроводники, сегнетоэлектрики, ферриты, пьезоэлектрики (см. Пъе- [c.116]

Многие вещества и материалы классифицированы относительно определяемых ФЭ, с которыми связаны их свойства, например полупроводники, диэлектрики, парамагнетики, ферромагнетики. сегнетоэлектрики и т. д., что упрощает поиск марок веществ и материалов при решении возникающих задач. Однако перечень свойств, которые их характеризуют, как правило, весьма неполный, что затрудняет принятие решения о применении того или иного материала. [c.10]

Особое внимание было обращено на подбор справочных сведений по новейшим областям физики (полупроводники, сегнетоэлектрики, физика ядра и т. п.), что, естественно, вызвало необходимость выхода за рамки действующей программы школьного курса физики. [c.10]

Подобным методом исследовались полупроводники [180—184] (см. также библиографию в указанных выше обзорах), металлы [177, 185, 186], сегнетоэлектрики [187] и др. Обнаружено влияние поля на отражение 2-й гармоники [178]. Для повышения градиента поля у поверхности практиковалась иммерсия в электролит [188]. [c.240]

Если в обычных диэлектриках наличие активной составляющей тока нежелательно, то в некоторых активных диэлектриках используется именно переход ( переключение ) из непроводящего состояния в проводящее и обратно (позисто-ры, варисторы, полупроводниковые стекла). В сегнетоэлектриках-полупроводниках удельное сопротивление р зависит от поляризованности Р, а в пьезополупроводниках — от деформации х, что может служить основой для создания новых приборов радиоэлектроники (запоминающие устройства, акустические усилители). [c.208]

ПАРАКРИСТАЛЛ — молекулярный кристалл с перемежающимися кристаллическими и аморфными областями ПАРАМАГНЕТИЗМ (есть свойство вещества, помещенного во внешнее магнитное поле, намагничиваться в направлении, совпадающем с направлением этого поля, если в отсутствие внешнего магнитного поля это вещество не обладало упорядоченной магнитной структурой Паули проявляется в металлах и полупроводниках и образуется спиновыми магнитными моментами электронов проводимости ядерный образуется магнитными моментами атомных ядер) ПАРАЭЛЕКТРИК— неполярная фаза сегнетоэлектрика, возникающая выше температуры фазового перехода ПЕРЕОХЛАЖДЕНИЕ— охлаждение вещества ниже температуры его равновесного перехода в другое фазовое состояние ПЕРЕХОД [квантовой системы (безызлучательный характеризуется изменением уровня энергии атома или молекулы без поглощения или испускания фотона вынужденный осуществляется понижением уровня энергии под действием внешнего излучения скачкообразный возникает самопроизвольно или вследствие [c.258]

Высокоомными полупроводниками с примесной проводимостью являются сегнетоэлектрики со структурой перовскита ( g г 3 эВ). Так, ВаТЮд с примесями редкоземельных ионов может иметь проводимость до 10- Ом -см 1 при р < 1 с.м /В-с, в то вре.мя ка при отсутствии примесей а 10 1 Ом -см Ч Относи [c.474]

Рис 7 12 Диаграмма чувствительность к записи (энергетическая I, информационная 10) — разрешающая способность Л для различвых сред, используемых при голографическом хранении информации [64] Обозначения- ОЯ — материал, подвершенный оптическому иркашению ФП — фотополимер МО — магнитооптическая пленка СЭ — сегнетоэлектрик Ф — фотопленка АНН — аморфный полупроводник ФХ — фотохромный материал Г — термопластик, светлые кружки— об1ратимая запись темные кружки — обратимая запись с ограниченным числом циклов, квадратики— необратимая запись. [c.321]

Позисторный эффект в сегиетополупроводниках. Как отмечалось в 4.2, в больщинстве сегнетоэлектриков энергетическая щель в спектре электронных состояний велика, так что они относятся скорее к диэлектрикам, чем к полупроводникам. Как правило, ано.малия температурной зависимости проводи.мости [c.126]

Типичные температурные зависимости удельного сопротивления р полупроводниковых керамических сегнетоэлектриков приведены на рис. 21.17. Вдали от точки Кюри р снижается с ростом температуры, как и у других диэлектриков и полупроводников, однако в определенном интервале в окрестности точки Кюри наблюдается резкий аномальный рост р. Величина р увеличивается в тысячи, а иногда и миллионы раз. Это и есть позисторный эффект. Область положительного ТКр находится в области перестройки решетки при фазовом переходе. Если перестройка решетки происходит в узком интервале температур (четкий фазовый переход), то р увеличивается скачкообразно (кривые 1, 2, 5). В случае же сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом увеличение р с температурой плавное и происходит во всем интервале температур раз.мытия перехода (кривые 3, 4). [c.226]

В книге освещены физические свойства электротехнических материалов (изоляционных, пьезо- и сегнетоэлектриков, ферритов, полупроводников, металлов и сплавов), предназначенных для использования в современной электротехнике и радиоэлектронике, рассмотрены области применения этих материалов, методы контроля их качества и наделчиости. Изложение сопровождается многочисленными примерами решения прикладных задач в указанной области. [c.2]

Существует большая группа кристаллических диэлектриков и полупроводников, у которых в определенном интервале температур и давлений в отсутствие внешнего электрического поля возникает спонтанная поляризация, направление которой может быть изменено электрическим полем или механическим напряжением. Такие вещества называются сегнетоэлектриками. Они обладают нелинейной зависимостью поляризации от напряженности электрического поля и способностью к переполяризации. [c.263]

Все кристаллы по свойствам симметрии разделены на 32 класса, из них кристаллы 20 классов не имеют центра симметрии и являются пьезоэлектриками в это число входят 10 классов пироэлектриков (напр., диэлектрик турмалин), в частности сегнетоэлектрики (напр., титанат бария, сегнетова соль, дигидрофосфат калия), обладающие, как правило, наиболее сильно выраженным пьезоэффектом. Пьезоэлектрич. эффект наблюдается также у нек-рых полупроводников, напр, у сегнетоэлектрика — сульфоиодида сурьмы и пьезоэлектрика — сульфида кадмия. Однако у кристаллов с достаточно высокой электропроводностью наблюдение и использование пьезоэффекта затруднены из-за быстрой компенсации возникающих в них зарядов свободными электронами или ионами или невозможностью создания по аналогичной причине деформирующего кристалл электрического поля. [c.286]

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ — кристаллические диэлектрики и полупроводники, обладаюш,ие в определённом интервале температур спонтанной поляризацией, возникающ,ей в результате фазового перехода. Вследствие этого у С., как правило, наблюдаются аномально большие значения диэлектрич. проницаемости и пьезоэлектрич. постоянных, сильная зависимость свойств от темп-ры, электрич. гистерезис, нелинейные эффекты. С. являются разновидностью пироэлектриков (см. Пироэлектричество, С егнетоэлектричество). [c.316]

Типичным примером этих материалов являются полупроводники со структурой перовскита и стехиометрической формулой АВО3. Их примером могут служить ВаТЮз и РЬТЮз. К этой же группе полупровод-ников-сегнетоэлектриков относятся и некоторые соединения Л В — СеТе и ЗпТе. [c.15]

Полупро- водники Простые полупроводники Сложные полупроводниковые соединения и их твердые раствЪры Ферриты а-кварц, сегнетоэлектрики Окислы металлов Генераторы электромагнитных колебаний, усилители и выпрямители тока, преобразователи энергии, магнитные устройства, сегнетоэлектриче-ские устройства, катализаторы [c.217]

Разнообразие типов П. о. и. определяется многочисленностью способов преобразования энергии и невозможностью создать П. о. и. одинаково чувствительными во всём оптич. диапазоне. Поглощение энергии оптич. излучения вызывает изменение состояния в-ва его чувствит. элемента. Таким изменением может быть повышение темп-ры, к-рое в свою очередь вызывает изменение разл. параметров вещества давления газа, электропроводности ТВ. тела, электрич. поляризации диэлектрика и др. П. о. и., основанные на этом принципе, наз. тепловыми. Наиболее распространённые П. о. и. этого типа — металлич. и полупроводниковые болометры и термоэлементы, применяются также мол. радиометры, оптико-акустич., пироэлектрич. приёмники и др. Действие болометров основано на изменении электрич. сопротивления металла или полупроводника при изменении темп-ры, вызванном поглощением падающего потока оптич. излучения. Изменение темп-ры поглощающей поверхности термоэлементов, про-порциойальное падающему на неё излучению, приводит к появлению в них соответств. термоэдс. Пироэлектрические П. о. и. обычно изготавливают из сегнетоэлектриков при вз-ствии с излучением на их [c.586]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...