Полупроводники измерение ширины

Изменение поглощающих свойств полупроводниковых материалов в области края межзонных оптических переходов при нагревании известно давно. В курсе общей физики [5.1] обсуждается оптическое явление, на основе которого можно разработать метод бесконтактного измерения температуры слой иодида ртути HgI2 на отражающей подложке при нагревании изменяет свой цвет от желтого до красного. Соединение HgI2 является полупроводником с шириной запрещенной зоны g 2,4 эВ (что соответствует длине волны примерно 517 нм, относящейся к зеленому диапазону видимого спектра), которая изменяется с температурой как (1Е /(1в —10 эВ/К [5.2]. [c.109]

Диапазон измеряемых температур. Для широкозонных кристаллов (ЫР и т. д.) и стекол верхний температурный предел, вероятно, обусловлен разрушением (плавлением и т. д.) материала. Для полупроводников с шириной запрещенной зоны Eg 1 эВ верхний предел связан с увеличением поглощения света и, вследствие этого, падением контраста интерферограммы до неразличимого уровня (см. рис. 6.10). Предельно допустимыми для измерений будем считать такие температуры, при которых чувствительность 5 уменьшается до минимальной величины, еще позволящей различать осцилляции интенсивности света на интерферограмме. Например, условимся считать, что при уменьшении контраста интерферограммы до 0,001 измерение становится невозможным. [c.163]

В технике измерения электрофизических параметров полупроводников термоэлектрический эффект используется для определения преобладающего типа проводимости (по знаку т ермо-э. д. с.) и ширины запрещенной зоны [по формуле (9.18)1. [c.263]

Экспериментальные методы. Сказанное выше относилось к рассеянию носителей внутри одной зоны (долины) с энергетич. спектром носителей, вырожденный только по ориентации спина. В более сложных ситуациях (вырожденные зоны, многодолинные полупроводники) трудно определить теоретически, какой механизм рассеяния доминирует в той или иной областн темп-р и энергии носителей. Поэтому осн. источником сведений о механизме Р, н. з. является эксперимент. Механизм рассеяния импульса обычно определяют по измерению подзижности носителей заряда ц - = (е/m)ip и по ширине линии циклотронного резонанса Дшв = 1/тр. Входящее сюда Тр усреднено по энергии. Для невырожденного полупроводника усреднение сводится к замене f на Г. Поэтому, изучая температурные зависимости ц или Дое, можно отличить рассеяние на примесях, когда р Г /, от рассеяния на акустич. фононах, когда р еч для деформационного или [c.276]

Впервые акустические колебания с периодом, меньшим 100 ПС, были зарегистрированы в [77]. Для возбуждения и регистрации акустических волн в аморфных пленках SiOa и АзгТез использовались пикосекундные оптические импульсы (т = 1 пс) с энергией кванта hv = =2 эВ, следовавшие с большой частотой повторения Vn=0,5 МГц. Импульсы возбуждающей последовательности имели энергию нДж, зондирующие — примерно на два порядка меньшую. Эксперимент заключался в измерении прохождения через пленку и отражения зондирующих импульсов в зависимости от их задержки по отношению к возбуждающим. На фоне монотонно уменьшающегося сигнала, вызванного фотовозбуждением носителей и их релаксацией, наблюдались затухающие осцилляции коэффициентов отражения и прохождения Тпр света, связанные с модуляцией зонной структуры пленок возбужденными в них акустическими волнами (рис. 3.35). Например, сужение ширины запрещенной зоны в аморфных полупроводниках при акустической деформации вызывает увеличение поглощения зондирующего излучения и соответственно уменьшение пропускания пленки. Экспе- [c.163]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...