Полупроводники электросопротивление

Метод, основанный на отражении энергии сверхвысокочастотных колебаний. В этом методе, применяемом для полупроводников, электросопротивление измеряется по коэффициенту отражения электромагнитной волны, зависящего от проводимости (диэлектрическая постоянная принимается постоянной). [c.123]

Электросопротивление ферритов изменяется от 5-10" до 10 ом-м они являются полупроводниками наименьшее электросопротивление у магнетита. Электросопротивление ферритов зависит от их состава, структуры и посторонних примесей. Температурные зависимости электропроводности и электросопротивления ферритов определяются формулами [c.187]

Диапазон изменения электросопротивления у полупроводниковых материалов весьма широк (р = 10 - - 10 ом-см) однако материалы характеризуются некоторыми другими специфическими свойствами, отличающими их от металлов и изоляторов, Например, если электросопротивление металлов возрастает с повышением температуры, то у полупроводниковых материалов оно падает, т. е. полупроводники в большинстве случаев обладают отрицательным температурным коэффициентом электросопротивления примеси уменьшают электропроводность металлов, но увеличивают проводимость полупроводниковых материалов. Полупроводники обладают фотопроводимостью, т. е. при действии излучений у них возникают дополнительные свободные носители заряда. В приборной технике полупроводники нашли широкое применение, поскольку они могут служить выпрямительными элементами, генерировать огромные термо-э. д. с., усиливать ток, позволяют увеличить ресурс и надежность электронных устройств, уменьшить размеры и вес приборов, а также сократить потребление электрической энергии. [c.279]

Большая часть силицидов имеет высокую электропроводность с металлическим характером проводимости, кроме дисилицидов хрома, железа, марганца, рения и некоторых других силицидных фаз, являющихся полупроводниками. Силициды обладают относительно высокими термоэлектрическими свойствами. Электросопротивление некоторых дисилицидов приведено в табл. 37. [c.432]

Рассмотрим теперь причину высокого электрического сопротивления ферритов. В силу одинакового хода температурной зависимости логарифма электросопротивления от обратной температуры ферриты по электрическим свойствам относят к полупроводникам. Однако кристаллическая решетка ферритов состоит из чередующихся положительно и отрицательно заряженных ионов. Поэтому механизм электропроводности ферритов должен отличаться от механизма электропроводности полупроводников типа германия с большой длиной свободного пробега носителей тока. [c.35]

Мн. свойства кристаллов чувствительны к повреждениям кристаллич. решётки. Одиночные дефекты обычно упрочняют металл, но снижают его пластичность. Электросопротивление металлов или сплавов возрас тает за счёт образования дефектов, хотя в сплавах возможно уменьшение электросопротивления, если радиац. воздействие приводит к упорядочению структуры. В полупроводниках под действием облучения концентрация точечных дефектов увеличивается, что приводит к изменению электрич. и оптич. свойств. [c.202]

Плутоний — во многих отношениях уникальный элемент. Он имеет шесть кристаллических модификаций. а-Фаза (устойчивая при комнатной температуре) имеет необычно высокий положительный коэффициент расширения и отрицательный температурный коэффициент электросопротивления, а 6-фаза (устойчивая при нагревании в интервале 319—45Г) имеет отрицательный коэффициент расширения и положительный температурный коэффициент электросопротивления. Электрическое сопротивление всех фаз высокое, более характерное для полупроводника, чем для металла. [c.519]

Отличие проводников от полупроводников проявляется также в характере изменения величины их удельного электросопротивления при воздействии температурных полей. С повышением температуры электросопротивление проводников увеличивается, а полупроводников — уменьшается. [c.141]

Все материалы, применяемые в технике, по своим электрическим свойствам делят на три группы проводники, полупроводники и диэлектрики. Различаются эти материалы по величине электросопротивления, характеру его температурного изменения и типу проводимости. Резкой границы между диэлектриками и полупроводниками провести нельзя. По величине удельного электросопротивления принято следующее деление проводники — 10 ... 10 Ом м и менее полупроводники — 10 ... 10 Ом м диэлектрики — 10 ...10 Ом-м. [c.91]

Механизм передачи теплоты в первую очередь определяется типом связи в металлах теплоту переносят электроны в материалах с ковалентным или ионным типом связи — фононы. Самым теплопроводным является алмаз. В полупроводниках при весьма незначительной концентрации носителей заряда теплопроводность осуш ествляется в основном фононами. Чем совершеннее кристаллы, тем выше их теплопроводность. Монокристаллы лучше проводят теплоту, чем поликристаллы, так как границы зерен и другие дефекты кристаллической структуры рассеивают фононы и увеличивают электросопротивление. [c.63]

Материалы по электрическим свойствам подразделяют па три группы проводники, полупроводники и диэлектрики. Различают эти материалы по значению удельного электросопротивления, характеру зависимости его от температуры и типу проводимости. [c.569]

Полупроводники — материалы, удельное электросопротивление которых находится в пределах 10 — 10 Ом-м и с ростом температуры уменьшается применяют для выпрямления, усиления электрических сигналов, превращения различных видов энергии в электрическую и т.д. [c.569]

При образовании в сплаве промежуточных фаз электросопротивление резко изменяется. В промежуточных фазах с ионным или ковалентным типом связи проводимость возникает из-за дефектности структуры вследствие недостатка или избытка атомов одного сорта. Те и другие фазы являются полупроводниками, при этом проводимость в ковалентных кристаллах создают электроны, а в ионных кристаллах также и ионы. [c.573]

К полупроводниковым относятся материалы, обладающие удельным электросопротивлением в пределах 10 -10 Ом-м. К этим материалам относятся 12 элементов (табл. 18.3), представляющие простые полупроводники, а также многие химические соединения элементов различных групп Периодической таблицы химических элементов Д.И. Менделеева (табл. 18.4). [c.585]

Появление электрического тока в полупроводнике возможно лишь тогда, когда часть электронов покидает заполненную валентную зону и переходит в зону проводимости, где они становятся носителями электрического тока. Для такого перехода электроны должны пройти зону запрещенных энергий АЕ, для чего необходима определенная энергия, которую полупроводник может получить в виде света или теплоты. При нагреве увеличивается концентрация носителей электрического тока, а электросопротивление полупроводника уменьшается. [c.586]

Степень легирования, так же как и степень очистки, контролируют изменением электросопротивления. Специальными методами определяют тип проводимости, время жизни или диффузионную длину L. Измеренные параметры указывают в марках легированных полупроводников. [c.596]

Большинство т. о. относятся к классу изоляторов, а UOj является полупроводником со смешанной проводимостью. Окислы имеют высокое электросопротивление и обладают хорошей совместимостью со мн. материалами при высоких темп-рах (вплоть до темп-ры плавления). Вместе с тем каждый из Т. о. имеет свои особенности. [c.362]

К 12. D) Неверно. Для полупроводников характерна обратная зависимость электросопротивления от температуры. [c.18]

В) Неверно. Обратная зависимость электросопротивления от температуры характерна, например, для полупроводников. [c.134]

Использование метода измерения электросопротивления дает возможность более глубоко вникнуть в механизм процесса и установить влияние различных факторов на его кинетику, так как электросопротивление является очень чувствительным свойством к малейшим структурным изменениям в веществе. Как известно, электросопротивление полупроводников и твердых электролитов находится в экспоненциальной зависимости от температуры. В координатах логарифм электросопротивления — обратная величина абсолютной температуры эта зависимость должна выражаться прямой линией, но в зависимости от структуры и состава исследуемого вещества, а также от физико-химических превращений, происходящих в веществе в процессе нагрева, ход зависимости меняется. [c.88]

Существуют установки для бесконтактного измерения электросопротивления полупроводников [74,75, 187]. [c.94]

На рис. 16 и 17—представлены величины удельного сопротивления карбида кремния в зависимости от давления, а на рис. 17 — в зависимости от зернистости. Электросопротивление полупроводников, как правило, снижается с повышением температуры, уменьшается под воздействием сильного электрического поля и увеличивается в магнитном поле [27]. [c.98]

Полупроводниковые термометры сопротивления под названием термисторов широко применяют в технике. С их помощью контролируют температуру в большом числе точек, причем показания ее могут быть получены на приборах, установленных в одном пункте. При таком контроле температур в помещениях с помощью термисторов можно поддерживать температуру на желаемом уровне, включая и выключая нагревательные приборы, когда заданный уровень температуры отклоняется от нормы. Работают они при температурах до 300° С (573° К). Термисторы могут выполнять функции ограничителя времени. Для этого последовательно с полупроводниковым термосопротивлением включается то или иное активное электросопротивление. В результате в сети получается возрастающий со временем ток, так как ток разогревает полупроводник и повышает его электропроводность, следовательно, повышается и величина тока в цепи. По мере разогрева полупроводника сопротивление падает, а ток повышается еще в большей степени. Параллельно с ростом температуры увеличиваются и потери тепла в окружающую среду до тех пор, пока они не сравняются с теплотой, выделяемой током тогда будет достигнута равновесная температура, которую полупроводник и будет сохранять, пока к нему приложена данная разность потенциалов. [c.155]

В качестве переменных сопротивлений без скользящего контакта в различных автоматических схемах слабого тока применяют термосопротивления с косвенным подогревом, обозначаемые ТКП-300, ТКП-20, что означает термосопротивление косвенного подогрева, в отличие от ТП — термосопротивления прямого подогрева. Цифры указывают электросопротивление полупроводника в омах при номинальной мощности, рассеиваемое в подогреваемой обмотке. [c.156]

Электрическое сопротивление металлов широко используется в качестве термометрического параметра, но, как мы увидим, для топ же цели можно с успехом применять электросопротивление материалов другого класса — полупроводников. Прежде чем описывать термометры, изготовленные из полупроводников, рассмотрим природу те.мпературной зависимости электросопротивления металлов и полупроводников. [c.158]

В области температур ниже 20° К исследовалось влияние магнитных полей на величину электросопротивления термисторов. Изменение величины электросопротивления под действием магнитных полей напряженностью от 6000 эрстед и выше оказалось заметным. Дальнейшие исследования позволят установить возможность использования этих полупроводников для термометрии. [c.168]

Усиленное исследование германия и кремния за последние годы привело к тому, что эти полупроводники в настояш,ее время являются наиболее хорошо изученными электронными полупроводниками. Это в большой степени стало возможным благодаря развитию техники приготовления образцов с контролируемым содержанием примесей и с широким диапазоном электросопротивлений. Поэтому неудивительно, что внимание в области разработки термометров из элементарных полупроводников уделялось именно этим веществам. [c.168]

Электросопротивление. Соединение Au s является полупроводником. Электросопротивление пленок этого соединения толщиной 1000 А в интервале 4—410°К близко к 0,01 ом-см. При повыщении температуры в интервале 77—300°К оно возрастает на 20%, а между 300 и 410°К — на 10%- Увеличение содержания цезия выше стехиометрического приводит к снижению, а увеличение содержания золота — к повышению электросопротивления Au s [5]. [c.293]

Основная характеристика электропроводности — удельное электрическое сопротивление р, выраженное в Ом см, или его обратная величина — удельная электропроводность о = р . Для металлов удельное электросопротивление колеблется при 77 К в пределах от 0,2—0,5 мкОм см (Аи, Ag, Си) до 4—6 мкОм см (РЬ, Hg, s) и даже до 35 мкОм см (Bi) и резко растет с повышением температуры. Например, при 373 К для Ag р = = 2,13 мкОм см, для РЬ = 27 мкОм см. Многие твердые тела, состоявшие как из одинаковых атомов (алмаз. Si, Ge), так и из разных (Na l, LiF и т. д.), проводят электричество значительно хуже. Для материалов типа Si (полупроводников) при комнатной температуре р—Ю- —Ом см, для типичных диэлектриков при той же температуре р 10 —10 2 Ом - см. Если электросопротивление металлов с повышением температуры растет, то для полупроводников (а в принципе и для диэлектриков) оно падает. [c.41]

Подобно другим полупроводникам, германий применяют для изготовления термистеров. Здесь использована сильная зависимость электросопротивления германия от температуры, что позволяет легко определять температуру по изменению электросопротивления. С помощью маленьких германиевых пластинок, служащих термистерами, можно измерять температуру в любом месте помещений, трубопроводов, судов и различных механизмов, что позволяет легко осуществить автоматическую сигнализацию и управление. [c.531]

Достаточно большое уд. электросопротивление объёма полупроводника по сравнению с сопротивлением двумерного инверсионного слоя, характерный масштаб к-рого 2n /ve . 4) Достаточно большая концентрация п носителей заряда в полупроводнике, соответствующая металлич. проводимости инверсионного слой (п> с.м ). [c.339]

Облуживанш полупроводников. При облуживании вручную используют паяльник с никелевым наконечником применение медного наконечника недопустимо, так как прн взаимоде ствии полупроводника с медью образуются соединения теллура, обладающие большим электросопротивлением. Механизированное облуживание производится погружением деталей (в кассете) в расплав припоя с одновременной активацией поверхности механическим способом или ультразвуком. [c.274]

Органические полупроводники — твердые вещества, которые имеют (либо приобретают под влиянием внешних воздействий) электронную или дырочную проводимость и положительный температурный коэффициент электропроводности. К ним относятся органические красители, ароматические соединения, полимеры с сопряженными связями, некоторые природные пигменты (например, хлорофилл), а также ион-ра-дикальные соли. Эти полупроводники существуют в виде монокристаллов, поликристаллов, аморфных порошков или пленок. Их удельное электросопротивление — 10 . ..10 2 Ом см. У органических полупроводников с низкой электропроводностью наблюдается фотопроводимость. [c.380]

Для высокочастотной техники необходимы материалы с чрезвычайно высоким электросопротивлением, сохраняющие высокую магнитную проницаемость в широком частотном диапазоне. Этим требованиям отвечают ферриты (не пзггать с ферритом в сплавах железа ), представляющие собой магнитную керамику, полученную спеканием и состоящую из РегОз и оксидов таких металлов, как Мп, Mg, Zn, Li (MnO, MgO, ZnO, ТЮг). Фактически ферриты являются полупроводниками, их электросопротивление на 6-12 порядков превышает электросопротивление железа. Благодаря этому, даже при самых высоких частотах они имеют незначительные потери от вихревых токов. [c.826]

Химические методы получения простых полупроводников и чистых элементов, используемых при легировании и в производстве сложных полупроводниковых материалов, обеспечивают высокую степень очистки. Дистилляцией (испарение жидкой фазы) удаляют легкоиспаряющи-еся примеси, ректификацией (многократное испарение и конденсация) — примеси, имеющие невысокие температуры плавления, испарения и большой интервал жидкого состояния. Сублимацией (испарение твердой фазы) очищают от механических примесей и газов и получают монокристалл. Перечисленными методами можно получать монокристаллы с высоким значением удельного электросопротивления. Например, монокристалл германия при р = 0,10 Ом -м содержит в 1 м 10 ° атомов примесей (см. рис. 18.10). [c.590]

СТЕКЛО С ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ — стекло, на поверхность к-рого нанесены тонкие пленки окислов металлов, об.иадающие св-вами полупроводников. Для получения С. с э. п. применяют окислы олова, индия, титана, кадмия, сурьмы, свинца и др. металлов, а также различные комбинации этих окислов с небольшими добавками окислов меди, цинка, кобальта и др. Толщина электропроводящих пленок на стекле колеблется от неск. А до неси,. мк, а их электросопротивление (при одинаковой площади) от нескольких до сотеы тысяч ом. Пленки [c.258]

Неразрушающий контроль полупроводниковых кристаллов. Метод ЯМР позволяет исследовать физические свойства, в частности, электросопротивление полупроводников, не подвергая их разрушению. Примером служит измерение сдвига Найта и запись линии поглощения в полупроводниковом твердом растворе РЬо,94660,обТе при температуре 300 К[13.34]. Монокристалличе-ские пластины образца с концентрацией носителей р == Б - см и электропроводностью а = 560 (Ом.см)" размером 4х10х Х0,25 мм- помещают в катушку приемного контура в соответствии со схемой рис. 12, а. Полученный спектр ЯМР сравнивается с линией от порошка того же материала с размером порошковых 10—50 мкм (рис. 12, б), при этом обнаруживается сильное ушире- [c.194]

Тонкие пленки многих окислов металлов обладают свойствами полупроводников. Для получения стекла с электропроводящей поверхностью успешно применяются окислы олова, индия, титана, кадмия, сурьмы, свинца и других металлов, а также различные комбинации этих окислов с небольшими добавками окислов меди, цинка, кобальта и др. Так, например, прозрачные окиснооловянные пленки, предназначенные для электронагревательных приборов из стекла, содержат обычно от 1 до 10% ЗЬзОд. Толщина пленок на стекле может колебаться от нескольких ангстрем до нескольких микрон, а их электросопротивление (при одинаковой площади) — от нескольких до сотен тысяч ом. Такие пленки вполне прозрачны для лучей видимой части спектра. Они могут поглощать от 1 до 20% и отражать 10— 12% светового потока. [c.210]

Ниже будет рассмотрено изменение электросопротивления с температурой для некоторых типов угольных термометров сопротивления. Даже качественное совпадение с тем, что дает зонная теория, наблюдается только в отдельных случаях. Для некоторых образцов величина удельного сопротивления р увеличивается почти экспоненциально при понижении температуры, указывая на то, что имеет место термическая активация носителей тока. Однако из этого не следует, что весь объем графита является элементарным полупроводником и что теоретическое предсказание оказывается несостоятельным. Характер изменения величины электросопротивления с температурой может быть объяснен тем, что частицы графита, входящие в состав образца, обычно находятся в плохом контакте друг с другом или с металлическими контактами. Поэтому носители должны быть тер.мически активированы для преодоления значительных энергетических барьеров. Этот процесс активации может привести к такой зависимости электросопротивления от температуры, которая наблюдалась выше. Очевидно, что способ изготовления угольных сопротивлений играет наиболее важную, хотя и трудно определимую роль при получении желаемых характеристик. [c.173]

Зависимость величины электросопротивления термометра, изготовленного из радиосопротивлений фирмы Аллен — Брэдли , от температуры ниже 20° К довольно хорошо описывается приведенным выше соотношение.м для температурной зависимости электросопротивления элементарных примесных полупроводников. Причины этого не вполне ясны. Однако, исходя из этого факта, Клемент вывел полуэмпирическое уравнение, связывающее величину электросопротивления термометра Я с температурой Т [c.176]

Величина электрического сопротивления тонких пленок ряда металлов, нанесенных на стекло испарением или разбрызгиванием в вакууме, из.меняется с температурой почти так же, как величина электросопротивления полупроводников. Большой отрицательный температурный коэффициент электросопротпвле- [c.180]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...