Полупроводники прыжковый механизм

Оказалось, что пороги перехода носителей заряда из полупроводника в диэлектрик зависят от температуры. Проиллюстрируем это на примере отрицательного заряжения ДД — рис. 6.6,6 (кривые 1-3). С понижением Т пороги отрицательного заряжения растут. Аналогичное повышение порога можно было достичь, уменьшая время освещения образца. На основании детальных измерений оптического заряжения ЛД и кинетики заряжения было показано, что низкоэнергетические пороги соответствуют заряжению через хвосты состояний — пунктир на рис. 6.6,а. Характер температурной зависимости объясняется прыжковым механизмом переноса заряда (см. 2.7.3) [c.188]

В задаче 19.7 рассматриваются полупроводники совершенно иного типа. В этом случае перекрытие орбиталей достаточно мало по сравнению с расстояниями между атомами в решетке, поэтому уже нельзя пользоваться представлением об энергетических зонах и считать, что носители заряда могут свободно двигаться внутри решетки. В первом приближении скорее следует считать, что носители покоятся в определенных узлах решетки, и для того, чтобы они могли преодолеть энергетический барьер, отделяющий данный узел от эквивалентного соседнего узла, необходима определенная энергия активации Еа- Вещества, в которых проводимость обусловлена процессами диффузионного типа, называются веществами с прыжковым механизмом проводимости. Для того чтобы такой механизм был возможен, в веществе, конечно, должны существовать как избыточные носители, так и соответствуюшие незаполненные узлы. [c.490]

Важно заметить, что из-за резкого уменьшения о (В) на пороге подвижности с а( ) 1 Ом" см для Е<Ес электронный перенос в области 1 <а<200 0м см- обеспечивается, по-видимому, электронами, термически возбужденными в делокализо-ванные состояния выше порога подвижности. Имеется сравнительно мало исследований жидких полупроводников в интервале проводимостей сг<1 Ом- см- , так что суш,ествует мало экспериментальных оснований для обсуждения применимости обрисованной выше теории прыжковой проводимости в жидкостях. В недавнем исследовании частотной зависимости а в сплавах 5е—Те Андреев [9] пришел к заключению, что прыжковый механизм существен в жидких полупроводниках только в области 0<О,1 Ом- см- . [c.106]

Нарушения кристаллич. структуры приводят в определённой части энергетич. спектра к локализации электронных и фононных состояний. В аморфных полупроводниках локализованными оказываются электронные состояния, лежащие в запрещённой зоне там, где плотность состояний относительно мала. Электроны, находящиеся в локализов. состояниях, могут переносить ток лишь путём прыжков из оДного состояния в другое (см. Прыжковал проводимость). Т. к. состояния имеют разную энергию, прыжки осуществляются лишь с поглощением или испусканием фононов. При Г О К этот механизм ее работает и локализов. состояния вообще не могут переносить электрич. ток. Энергетич. граница между локализов. и делокализов. состояниями наз. порогом подвижности. Хим, потенциал (уровень Ферми jr) в аморфных полупроводниках находится глубоко в запрещённой зоне, и при не очень низкой Т электропроводность осуществляется с помощью теплового заброса электронов в состояния, лежащие Bbinie порога подвижности. Т. о., порог подвижности играет роль электрич. границы разрешённой зоны. При самых низких темп-рах электропроводность становится прыжковой. [c.342]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...