См. также Полупроводники

Генерация носителей тока П 223. См. также Полупроводники [c.404]

См. также Полупроводники Переходные металлы [c.427]

См. также Полупроводники Примитивная ячейка I 83, 84 объем I 83 [c.435]

Генерация носителей тока II 223. См. также Полупроводники Геометрический структурный фактор см. [c.394]

Решетка дает заметный вклад в термоэлектрический эффект также и в случае полупроводников. Теоретическое рассмотрение в этом случае усложняется, так как электроны взаимодействуют только с фононами очень низкой частоты кш 4 КТ), и поэтому необходимо рассматривать в явном виде не только взаимодействие между электронами и фононами, но также взаимодействие низкочастотных фононов с фононами тепловых частот. Этот вопрос подробно обсуждался Херрингом [189] (см. также [23]). [c.286]

Из формулы (3.36) (см. также гл. III, 5) следует, что если полупроводник п-типа. [c.142]

Прежде чем приступить непосредственно к вычислению проводимости, сделаем одно замечание. Мы отмечали а параграфе 5.1. первого тома (см. также приложение 5Б), что в теории электропроводности могут встретиться два предельных случая. В адиабатическом пределе средний импульс носителей заряда релаксирует значительно быстрее, чем устанавливается равновесное распределение частиц по энергиям или, как говорят, происходит термализация в системе. Такая ситуация возникает, например, в полупроводниках, когда концентрация электронов проводимости и дырок мала, а средний импульс носителей заряда быстро релаксирует из-за их упругого рассеяния на примесных атомах. Как мы видели в приложении 5Б, в адиабатическом пределе необходимо рассматривать процесс релаксации всех моментов одночастичной функции распределения, поскольку упругие процессы рассеяния сами по себе не приводят к установлению равновесного распределения частиц по энергиям. Относительно проще обстоит дело в изотермическом пределе, когда характерное время термализации носителей заряда значительно меньше времени релаксации их полного импульса. В этом пределе достаточно рассматривать лишь процесс релаксации первого момента одночастичной функции распределения, т. е. среднего импульса. В плазме ситуация близка к изотермической, поскольку сильное кулоновское взаимодействие между электронами быстро приводит к термализации электронной подсистемы. Важно подчеркнуть, что само по себе это взаимодействие не меняет полный импульс электронов, который релаксирует только за счет взаимодействия между электронами и ионами. Из-за эффектов экранирования в плазме электрон-ионное взаимодействие является относительно слабым и может быть учтено а рамках теории возмущений. [c.38]

В полупроводниках и диэлектриках валентная зона целиком заполнена и зона проводимости свободна от электронов. Однако у полупроводников расстояние между заполненной зоной и зоной проводимости мало, Дш 2 5б (рис. 2.3, в), а у диэлектриков — велико, А1(У 2 эв (рис. 2.3, г). Связь концентрации носителей с шириной запрещенной зоны для кристаллов при 300° К представлена в табл. 2.1 (см. также [10, 3.3]). [c.37]

Когда величина кТ сравнима с шириной запреш,енной зоны, становится возможным процесс теплового переброса электронов из верхней части валентной зоны в нижнюю часть зоны проводимости. Как уже подробно обсуждалось в задаче 18.11 (см. также задачу 19.4), пустоты, оставшиеся в валентной зоне, могут рассматриваться как дырки. Поэтому полупроводник с собственной проводимостью следует считать веществом, в котором одновременно присутствуют носители заряда двух сортов. Некоторые из вышеизложенных концепций уже обсуждались в связи с задачами гл. 16. [c.490]

Наряду с токовым механизмом в полупроводнике действуют и другие (решеточные) механизмы нелинейности [77] (см. также гл. II). Однако они обычно на 2—3 порядка слабее. [c.330]

См. также Полуклассическая модель Полупроводники Дырочная поверхность 1171 [c.409]

См. также Колебания решетки Фононы Акцепторные примеси II 199. См. также р — п-переход Полупроводники Примеси в полупроводниках Аморфны е тверды е тела I 74 [c.392]

См. также р — п-переход Полупроводники [c.402]

Циклотронная масса I 236, 243 в металлах I 278 в полупроводниках II 193 См. также Эффективная масса Циклотронная частота I 31 в полупроводниках II 193 численные формулы I 31, 372 Циклотронный резонанс в металлах I 278—280 в полупроводниках I 278 (с), II 193, 194 [c.414]

Подобным методом исследовались полупроводники [180—184] (см. также библиографию в указанных выше обзорах), металлы [177, 185, 186], сегнетоэлектрики [187] и др. Обнаружено влияние поля на отражение 2-й гармоники [178]. Для повышения градиента поля у поверхности практиковалась иммерсия в электролит [188]. [c.240]

К. р. п. основана работа важнейших элементов полупроводниковой электрояики р — и-переходов и контактов металл—полупроводник. Учёт К. р. и. важен при конструировании электровакуумных приборов. В электронных лампах К. р. п. влияет па вид вольт-аи-перных характеристик. При прямом преобразовании тепловой энергии в электрическую в термоэжиссионном преобразователе создаётся напряжение как раз порядка К. р. п. (см. также Полупроводники). [c.445]

Выпрямляющее действие р — п-перехода II217—220, 225—230 Вырожденные полупроводники П 195 см. также Полупроводники Газ классический [c.404]

В теории неупорядоченных систем используется обобщённое определение 3. з, как области энергии, в к-рой плотность состояний либо равна О, либо отлична от О лигаь в отд. точках, где она имеет особенности типа дельта-функции (этим точкам отвечают дискретные уровни, т. е. локализованные электронные состояния). Определяемую таким образом 3. з. называют также щелью подвижности (см. также Аморфные и стеклообразные полупроводники). [c.52]

Для квантовой системы, имеющей в определ. диапазонах значений энергии непрерывный энергетич. спектр, диаграмма выглядит в виде непрерывных последовательностей У. J. в соответствующих диапазонах. Напр., для атома И такая непрерывная последовательность имеет место при S где (Уз, — гра1шца ионизации (рис. 1, й к ст. Атом), а для электрона в кристалле получается чередование разрешённых и запрещённых энергетич. зон (см. Диэлектрики, Полупроводники). При излучательных квантовых переходах между дискретными У. э. и У. э., относящимися к непрерывной последовательности, а также между непрерывными последовательностями У. э. получаются сплошные спектры но[ Лощения и испускания. [c.238]

ФЁРМИ-ГАЗ—газ из частиц с полуцелым (в единицах Л) спином, подчиняющихся квантовой Ферми—Дирака статистике. Ф.-г. из невзаимодействующих частиц наз. идеальным, а в отсутствие внеш. полей—свободным. К Ф.-г. относятся электроны в металлах и полупроводниках, газы из атомов с нечётным числом нуклонов (напр., Не) электроны в атомах с большими атомными номерами, изучаемые в Томаса—Ферми теории нуклоны в тяжёльсх сильно возбуждённых ядрах, описываемые в рамках статистической модели ядра элементарные возбуждения электронов, взаимодействующих с фононами в кристаллич. решётке, и т. д. (см. также Ферми-жидкость). [c.282]

Ф, с сильным внутр. электрич. полем представляют собой полупроводниковые структуры с выпрямляющими контактами полупроводник—металл и гетеропереходами (см. также Контактные явления в полупроводниках). В таких Ф. свет возбуждает электроны в зону проводимости ниже уровня вакуума, а дополнительную энергию, необходимую для выхода в вакуум, фотоэлектроны приобретают в сильном электрич. поле внутри полупроводника. Длинноволновая граница таких Ф. определяется шириной запрещённой зоны полупроводника (Хо[мкм]я = l,24/ < j [эВ]). Ф. с выпрямляющим контактом полупроводник — металл изготавливаются на основе полупроводниковых соединений /i-InGaAs и -InGaAsP и представляют собой эпитаксиальные слои таких полупроводников, на поверхность к-рых наносится тонкая ( 10 нм) плёнка Ag. Работа выхода Ag снижается адсорбцией цезия и кислорода до величины а 1,1 эВ, Такие Ф. работают при включении на контакт внеш. напряжения в обратном направлении (плюс , на Ag) V=2—5 В. Фотоэлектроны, возбуждённые светом в зону проводимости, разогреваются. в сильном электрич. поле контакта и выходят в вакуум сквозь плёнку Ag, Ф. на основе InGaAs с 0,75 эВ имеют порог чувствительности /(-о 1,7 мкм, а квантовый выход достигает 10" —10 электрон/фотон при ).< 1,6 мкм. [c.349]

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРОБОЙ диэлектриков и полупроводников— резкое падение их электрич. сопротивления при достаточно высоком приложенном к образцу напряжении (см. также Пробой электрический). Э. п. отличается от теплового пробоя тем, что на подготовит, стадии пробоя ни разогрев, ни хим. процессы не имеют существенного значения, а также малым временем развития пробоя, слабой зависимостью пробивного напряжения от темп-ры. Э. п. обусловлен ударной ионизацией атомов и молекул электронами. Электрон получает возможность ударной ионизации, если энергия U, передаваемая ему электрич. полем, оказывается больше энергии U, теряемой электроном при рассеянии на фононах, дефектах и примесях кристаллич. рещётки. При этом электрон мо- [c.514]

Теоретич. исследования иоказывают, что при этом предположении сохраняются основные свойства кристаллич. П. в энергетич, спектре имеются запрещенные зоны, разрешенные уровни образуют непрерывные или квазинепрерывные зоны, движение электрона (в 1-м приближении) описывается волнами, распространяющимися в твердом теле, т. е. электроны, как и в кристалле, квазисвободны, Т. о., структура спектра и др. особенности определяются не дальним, а ближним порядком в расположении атомов. Однако имеют место особенности, связанные с отсутствием дальнего порядка, напр, существует дополнительное, специфическое для аморфного тела рассеяние электронов в аморфных П. отсутствует примесная проводимость (см, также Жидкие полупроводники). [c.112]

Большой раздел М. полупроводников составляет изучение зеемановского расщепления уровней энергии мелких водородоподобных примесей и экситонов (см. также Квазичастицы). Наблюдение магнитопоглощения и отражения И К излучения в узкозонных ПП позволяет исследовать коллективные колебания электронной плазмы (см. Плазма твёрдых тел) и её вз-ствие с фононами. [c.383]

Смотреть страницы где упоминается термин См. также Полупроводники : [c.422] [c.440] [c.393] [c.404] [c.407] [c.66] [c.696] [c.96] [c.33] [c.123] [c.405] [c.76] [c.150] [c.400] [c.409] [c.423] [c.425] [c.434] [c.444] [c.451] [c.396] [c.402] [c.407] [c.4] [c.20] [c.159]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...