Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Квазиимпульс и оптические свойства полупроводников

В полупроводниковых лазерах, в отличие от лазеров на примесных кристаллах, активным веществом служит сама кристаллическая матрица полупроводника, а примеси лишь служат источником носителей заряда электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. При создании с помощью накачки избыточного (по сравнению с равновесным) числа электронов и дырок позможно возвращение к состоянию равновесия посредством оптического межзонного перехода — фоторекомбинации. Вероятность фоторекомбинации велика лишь для прямозонных полупроводников, таких, у которых максимум энергии.в валентной зоне и минимум энергии в зоне проводимости соответствуют одному и тому же значению квазиимпульса. По этой причине все полупроводники, на которых получена генерация, являются прямозонными. Перечислим важнейшие свойства полупроводниковых лазеров  [c.946]



Смотреть страницы где упоминается термин Квазиимпульс и оптические свойства полупроводников : [c.449]   
Физика твердого тела Т.2 (0) -- [ c.0 ]

Физика твердого тела Т.1 (0) -- [ c.0 ]



ПОИСК



Квазиимпульс

Полупроводники

Свойства полупроводников



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте