Свойства однородных полупроводников

Свойства однородных полупроводников ) [27] [c.77]

Свойства однородных полупроводников [c.316]

Выражения (29.8) имеют в точности такой же вид, как и выражения (28.12) для однородных полупроводников, за исключением того, что постоянный химический потенциал заменяется на электрохимический потенциал 1е (х). Таким образом, величина 1е (°°) представляет собой химический потенциал однородного кристалла п-типа, обладающего такими же свойствами, как и неоднородный кристалл в п-области вдали от перехода, а м е( —°°) — химический потенциал однородного кристалла р-типа, аналогичного р-области неоднородного кристалла вдали от перехода. Соотношение (29.6) можно записать эквивалентным образом ) [c.214]

С практической точки зрения следует отметить и некоторые другие различия между аморфными твердыми веществами и жидкими полупроводниками. Надежное достижение однородности образца для жидкостей обычно представляет собой простую задачу, в то время как приготовление аморфных твердых образцов, обладающих воспроизводимыми свойствами, оказывается очень трудным, за исключением, возможно, природных стекол, химический состав которых может изменяться лишь в ограниченных пределах. С другой стороны, как отмечено выше, тот факт, что жидкости приходится изучать при высоких температурах, создает особые экспериментальные трудности и накладывает серьезные ограничения. [c.19]

Предположение об однородности твердого тела необходимо только в небольшом числе случаев. Влияние внутренних границ, контактов или поверхности мы обсудим в третьем выпуске. Там же мы рассмотрим сплавы и аморфные твердые тела ). Здесь остается только рассмотреть непрерывное изменение свойств, как-то концентрации нарушений в полупроводнике или в решетке смешанного кристалла. В обоих случаях плотность состояний будет зависеть от координат. При этом, например, внутри кристалла могут возникнуть эффекты Пельтье или Зеебека, которые обычно наблюдаются только на контактах. [c.243]

Широко распространено мнение, что выращивание монокристаллов из газообразной фазы не имеет большого практического значения ввиду малых скоростей роста, присущих этому методу. Действительно, скорость роста монокристаллов из газообразной фазы обычно равна сотым долям мм/ч, что на несколько порядков ниже, чем при вытягивании кристаллов из расплава. Рост из газообразной фазы применяется в основном для выращивания тонких эпитаксиальных пленок, используемых в технологии полупроводниковых приборов, и для получения небольших монокристаллов тугоплавких материалов, а также полупроводниковых соединений, которые плавятся с разложением. Кроме того, поскольку высокопроизводительные методы выращивания монокристаллов из расплавов не всегда обеспечивают высокую однородность их свойств, то для получения особо качественных небольших кристаллов полупроводников используются методы выращивания из газообразной фазы. Эти методы, естественно, не устраняют все причины, приводящие к дефектности кристаллов. Процессы выращивания монокристаллов из газообразной фазы тоже весьма чувствительны к колебаниям внешних условий и составу питающей фазы. Однако влияние этих колебаний значительно сглажено благодаря малым скоростям роста, что способствуют приближению к более равновесным условиям роста. [c.250]

В последние годы разработаны теоретические основы диффузионной сварки и получены важные результаты по диффузионным процессам, обеспечивающим образование монолитного соединения твердых неорганических материалов любой природы без изменения их физико-механических свойств. Среди решенных проблем — диффузионное соединение не только однородных, но и разнородных материалов и сплавов, теплофизические характеристики которых резко различны диффузионная сварка деталей больших толщин и изделий разветвленных сечений деталей из пористых, волокнистых и порошковых материалов неметаллических материалов (стекло, полупроводники, керамика, ситалл, кварц, графит, феррит, керметы и т. д.) с металлами расширение применения диффузионной сварки для ремонта и восстановления деталей машин и механизмов. [c.10]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих р — /г-переходы (см. Электронно-дырочный переход) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению темп-ры, действию света, электрич. и магн. полей и др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник — металл, полупроводник — диэлектрик и их сочетания). [c.568]

Инициированные Р. д. изменения свойств материалов нередко затрудняют их практич. использование. Так, изменение механич. свойств, однородности состава и геом. размеров коеструкц. элементов ограничивает срок работы ядерных реакторов. Особенно сильно влияет радиация на полупроводниковые материалы и приборы. В силу высокой чувствительности электрвч. характеристик полупроводников к появлению малой концентрации Р. д. облучение полупроводников даже при низких дозах радиации может сопровождаться существ, изменениями параметров полупроводниковых приборов. [c.204]

Помимо того факта, что при составах, соответствующих соединениям МдзВ12 и Т12Те, флуктуации особенно малы, большой интерес представляют также величины флуктуаций для других составов. Этот интерес вызван тем, что ряд авторов предложили теории электрических свойств жидких полупроводников, основанные на неоднородном переносе [39, 40, 132, 133]. Эти авторы предположили, что при всех составах образуются относительно большие кластеры соединения (например ТЬ Те) или металла (например теллура или таллия, в зависимости от того, который из них имеется в избытке). Считают, что эти кластеры достаточно велики (требуется около 30 атомов), так что общие электрические свойства являются свойствами однородной смеси. При ]У = 30 для упомянутых выше сплавов величина получается меньше 0,1 для всех составов, за [c.65]

К настоящему времени синтезирован еще ряд тетраэдрически координированных гидрированных аморфных полупроводников, также обладающих очень интересными электрическими и оптическими свойствами a-Si, q H a-Si,. Ge Н, a-Sii Sn Н, a-Si, 4 Н, а-С Н. К числу принципиальных преимуществ использования этих материалов в электронной технике относятся их малая стоимость и сравнительная простота получения однородных по толщине тонкопленочных структур (в том числе многослойных, квантоворазмерных) при низких температурах осаждения на самых разнообразных и дешевых подложках очень большой площади (> 1 м ), а также их специфические полупроводниковые свойства, которые можно изменять в широких пределах, варьируя состав пленки. [c.101]

Энергетическая структура кристалла (или ОПЗ) с крупномасштабными флуктуациями электрофизических свойств может быть представлена в виде пространственно модулированной флуктуаци-онным потенциалом зонной схемы. Для однородных систем ширина запрещенной зоны всюду сохраняется постоянной — дно зоны проводимости и потолок валентной зоны промодулированы одинаково. При химической или структурной неоднородности системы ширина запрещенной зоны также может изменяться. В любом случае энергия электрона на дне зоны проводимости неоднородного полупроводника является функцией координаты (далее мы ограничимся рассмотрением электронного переноса) — рис.2.15,а. Наиболее глубокие минимумы потенциальной энергии, где Г > (., заполнены электронами и образуют некое подобие системы "озер" на неровной местности. При небольшом количестве таких "озер" электроны остают- [c.72]

Домены со своей сверхструктурой, макроскопические дефекты, нарушения стехиометрии в сложных полупроводниках вносят в поверхность элементы неупорядоченности, причем эта неупорядоченность носит скорее не 2D, а 3D-характер. Согласно пока немногочисленным экспериментальным данным, в ряде случаев доменные области достигают нанометрических размеров. Для них могут проявляться как классические, так и квантовые размерные эффекты. В результате поверхностные (5) и объемные (V) свойства оказываются взаимосвязанными. Такая ситуация пока не обсуждалась в теоретических работах. Не исключено, что для атомарно-чистых поверхностей оптимальной может оказаться полидоменная структура с кластерами нанометрических размеров. Из-за тесной взаимосвязи 5 и К свойств кластеров, а также "подстройки" их структуры к строению всего кристалла, поверхность некоторых относительно больших участков может оказаться достаточно однородной. К таким поверхностям, с учетом размерных эффектов, может быть применена представленная в гл. 1—3 электронная теория поверхности. [c.153]

При рассмотрении таких систем, как сплавы замещения (гл. 9), жидкие металлы (гл. 10) и стеклообразные полупроводники (гл. И), которым свойственно относительно плотное размещение атомов в пространстве, нам обычно удавалось воспользоваться свойством атомистичности полной потенциальной энергии (см. 2.1). Даже в случае топологически неупорядоченной системы при рассмотрении поведения Т (г) в большей части объема образца все еще можно было использовать слабое ячеечное приближение (2.2). Это представляется очевидным, если величина Гу не намного превышает геометрический радиус атомной твердой сферы , а. Тогда каждая ячейка вещества порождает как раз потенциальную энергию V (г) (ср. с 10.3). Однако зта аппроксимация остается в силе и для атомных потенциалов с большим радиусом действия, при условии, что концентрация атомов в данном материале более или менее локально однородна. Так, в частности, обстоит дело в типичных моделях беспорядка в жидкостях (см. 2.11). [c.554]

В а й н ш т е й н л. А., Эпектройшгнит- верхности. На поверхности реального ности раздела. Образование и развилки Ф ш и ц Е м. Элек5оданамка сплош- кристалла всегда есть слой окисла, тие зародышей новой фазы в первона-ных сред, М., 1959. И. Г. Кондратьев, адсорбированные атомы, структурные чально однородной среде, находящей-ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ПО- дефекты и т. п. Это приводит к появ- ся в метастабильном состоянии, также Л У ПРОВОДНИКОВ, свойства, обус- лению дополнит. П. с. с волновыми определяется П. я. (с этим связано половленные поведением носителей заря- ф-Циями, имеющими максимум на по- вышение растворимости малых капель да (электронов и дырок) вблизи гра- верхности или вблизи неё и затухаю- и кристалликов и повышение над ними ницы раздела полупроводника с др. Щими по мере удаления от неё (у р о в- давления насыщенного пара см. Яель-средой. На поверхности существуют Шокли). вина уравнение). [c.553]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...