Эффект Холла в полупроводниках

Эффект Холла. В полупроводнике, который помещен в магнитное поле, перпендикулярное протекающему по нему току, возникает электрическое поле, перпендикулярное току и магнитному полю. Это — так называемый эффект Холла, описываемый соотношением [c.454]

ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.93]

Термоэлектрические явления я эффект Холла в полупроводниках [c.73]

Рис. 9.4. К объяснению эффекта Холла в полупроводниках и-типа (а) и р-ти-

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.89]

Для наблюдения формы выпрямленного (сварочного) тока, определения относительной глубины пульсаций и сравнения относительных значений тока при изменении режима сварки можно применять приборы, основанные на использовании эффекта Холла в полупроводниках, например прибор типа ДСТ-2М [4]. Чувствительным элементом прибора ДСТ-2М является пластинка из арсенида индия, помещенная в небольшой кожух. К пластинке подводится постоянный 94 [c.94]

Рассмотрим только эффект Холла. Если полупроводник, вдоль которого течет электрический ток, поместить в магнитное поле, перпендикулярное направлению тока, то в полупроводнике возникнет поперечное электрическое поле, перпендикулярное току и магнитному полю. Это явление получило название эффекта Холла, а возникающая поперечная ЭДС — ЭДС Холла. [c.278]

Приведенные результаты позволяют сделать некоторые выводы о возможном объяснении эффекта Холла в жидких полупроводниках [c.40]

В гл. 2, 3, было отмечено, что экспериментальные методы, применяемые для измерения эффекта Холла в жидких полупроводниках, представляют собой результат нескольких одновременных исследований жидких металлов, в которых впервые удалось получить согласующиеся данные из различных лабораторий. Специальные проблемы этих измерений, обусловленные жидкой природой образцов, и способы работы с такими образцами описаны в коллективной статье ряда исследователей [44]. [c.78]

Исследования эффекта Холла в жидких полупроводниках были выполнены всеми возможными для стационарных образ- [c.78]

Таким образом, теория Фридмана описывает ряд важных аспектов эффекта Холла в жидких полупроводниках. Однако она все же не согласуется с экспериментом в некоторых отношениях, что наводит на мысль, что некоторые факторы, необходимые для описания имеющейся ситуации, не учитываются. Это может быть связано с необычной природой почти заполненной зоны в жидкостях р-типа. [c.108]

Термоэлектрический эффект наблюдается в полупроводниках и не наблюдается в ионных проводниках. Поэтому, так же как и Холл-эффект, он является признаком электронной проводимости. [c.83]

Концентрация носителей заряда и их подвижность являются характеристическими параметрами полупроводника. Измерение удельной проводимости полупроводников позволяет определить только произведение этих двух параметров. Для их разделения можно воспользоваться эффектом Холла. Смещение носителей заряда Б поперечном направлении в полупроводнике прекратится, когда сила Лоренца уравновесится силой возникшего поперечного электрического поля сместившихся зарядов [c.238]

Эффект Холла является мощным экспериментальным средством изучения свойств носителей заряда в полупроводниках. Измерив постоянную Холла/ х. можно определить концентрацию носителей, а по направлению э. д. с. Холла определить их знак. [c.268]

Эффект Холла — появление в проводнике или полупроводнике с током / при приложении к нему перпендикулярного магнитного поля (В) разности потенциалов в плоскости, перпендикулярной магнитному полю (В) и току /). [c.140]

Датчики Холла. Датчики Холла, которые иногда называют преобразователями или генераторами Холла, работают по принципу возникновения ЭДС в результате искривления пути носителей тока в металлах и полупроводниках. В 1879 г. американский физик Эдвин Г. Холл обнаружил, что в плоском проводнике, по которому в продольном направлении идет электрический ток, помещенном в магнитное поле, направление индукции которого перпендикулярно плоскости проводника, возникает разность потенциалов на его узких сторонах в точках Атл. В (рис. 7.3). Эффект Холла объясняется действием силы Лоренца, возникающей при движении заряда в магнитном поле и направленной перпендикулярно векторам движения заряда и индукции магнитного поля. [c.105]

Датчик-распределитель выполнен по аналогии с распределителем батарейной системы зажигания, но контактный прерыватель заменен бесконтактным микроэлектронным датчиком (использован эффект Холла, заключающийся в возникновении поперечного электрического поля в пластинке полупроводника с током при действии на нее магнитного поля). [c.105]

В одном и том же полупроводнике могут одновременно существовать и донорные и акцепторные уровни, однако обычно преобладает какой-нибудь один тип. Так, примесная проводимость обычно имеет преимущественно электронный (л-тип) или дырочный (р-тип) характер. Знак и концентрацию носителей тока обычно определяют путем измерения эффекта Холла. [c.162]

На рис. 159, а иллюстрируется сущность метода определения типа электропроводности полупроводника по изменению знака поперечной э. д. с. эффекта Холла. Если поместить полупроводниковую пластинку во внешнее поперечное магнитное поле Н и приложить в направлении длины ее разность потенциалов, создающую электрическое поле Е, то вследствие смещения носителей тока к одной из граней пластинки возникает поперечная э. д. с., измеряемая вольтметром V. (Направление смещения зарядов определяется по правилу трех пальцев левой руки, относящемуся к техническому направлению тока). Из рис. 159, а видно, что при изменении механизма электропровод- [c.286]

Багдуев Г. Б., Абакаров С. А. Исследование электропроводности и эффекта Холла в Теллуре с примесями йода. —Сб. 1. Исследования по физике полупроводников и по геофизике . Орджоникидзе, 1968, с. 3. [c.144]

На рис. 66 показаны результаты обратного вычисления квазивремен релаксации вариационным методом для удельной электропроводности, термоэлектродвижущей силы и коэффициента Холла в полупроводниках (статистика Больцмана). Из рисунка видно, что для низких (н соответственно высоких) температур квазивремена релаксации для разных эффектов совпадают, и, следовательно, использование единого времени релаксации со степенью 1/2 (соответственно 0) в выражении т оказывается оправданным. [c.247]

Поэтому при известном механизме раосеания совместное измерение эффекта Холла и дифференциальной термо-эдс позволяет оценить величину эффективной массы электрона. Кроме того, меняя степень легирования образца, можно проверить, является ли соответствующая зона (свободная >—для образца л-типа, валентная — для р-типа) параболической. Напоминаем, что в качестве грубого критерия вырождения электронного газа принимается совпадение уровня Ферми с дном зоны проводимости (с потолком валентной зоны для полупроводника р-типа), т. е. критическая концентрация электронов, соответствующая началу вырождения, определяется из равенства [c.142]

Если вдоль пластинки полупроводника, находящейся в магнитном поле (рис. 13.5) пропускать ток с плотностью /, то в поперечном направлении появится электрическое поле напряженностью E .. Это явление получило иазвание эффекта Холла. Допустим, что полупроводник обладает дырочной проводимостью. На заряд е , движущийся со скоростью v, в магнитном поле с индукцией В, перпендикулярной скорости, действует сила Лоренца / = e vB. С другой стороны, действующая на заряд сила пропорциоиальна напряженностн ноля Ex. f = e Ex. Отсюда, [c.180]

Органические полупроводники охватывают широкий круг химических соединений, в которых проводимость осуществляется электронами или дырками, а не ионами. Все они отличаются пренебройимо малой ионной проводимостью. Удельная проводимость этих соединений составляет 10 -7- 10 IjoM - M, т. е, находится по преимуществу в интервале значений проводимости полупроводников проводимость сростом температуры увеличивается. У некоторых веществ проявляются эффект Холла (полифталоцианин меди) и фотоэффект, т. е. явления, присущие полупроводнику. [c.206]

Эффект Эттингсгаузена сопутствует эффекту Холла и состоит в том, что при пропускании тока через проводник, помещенный в поперечное магнитное поле (рис. 9.7), в направлении, перпендикулярном магнитному полю и току, возникает градиент температуры. Наибольшую величину этот эффект имеет в собственных полупроводниках. Как было показано в предыдущем параграфе, в таких полупроводниках электроны и дырки отклоняются магнитным полем в одну и ту же сторону (к грани С на рис. 9.7). Вследствие этого на одной грани образца концентрация электронов и дырок оказывается выше равновесной и там рекомбинация превалирует над тепловой генерацией носителей, а на другой грани (на грани D рис. 9,7), наоборот, концентрация носителей заряда ниже равновесной и там тепловая генерация преобладает над рекомбинацией. Вследствие этого тепло расходуется на генерацию электронно-дырочных пар в одной части образца и выделяется в результате их рекомбинации в другой части этого образца и в нем возникает разность температур Ti — (рис. 9.7). [c.270]

Гальваномагнитные эффекты не исчерпываются приведенными эффектами Холла и Эттингсгаузена. Кроме того, существуют еще термомагнитные эффекты, т. е. эффекты, возникающие в присутствии градиента температуры и магнитного поля. Однако наибольшее практическое значение имеют рассмотренные эффекты Холла и Эттингсгаузена. Сведения об остальных эффектах можно найти практически в любом учебнике по физике полупроводников. [c.271]

Бурное развитие электроники п фотоэлектроники в последнее десятилетие значительно расширило диапазон средств измерительной техники в теории машин. В последние годы техника, связанная с экспериментальными исследованиями машин, развивается за счет новых свойств полупроводников и диэлектриков, обладающих чувствительностью, в десятки раз превышающей чувствительность обычных тензодатчиков, что упростило и облегчило решение многих задач экспериментального исследования машин. Наряду с полупроводниками в последние годы в измерительную технику вошли диэлектрики, датчики, основанные на эффекте Холла, электрокинема тические датчики и другие средства измерения, основанные на достижениях современной физики, химии и электроники. [c.32]

В моноиолярных проводниках (примесных полупроводниках) происхождение А. э. сложнее. Если в направлении У 3-потока образец электрически замкнут, то имеет место акустоэлектрич. эффект Холла, отличающийся от обычного Холла эффекта тем, что продольный (диссипативный) ток создается не внеш. [c.45]

В полупроводниках под действием у Г носители заряда разных знаков движутся в одну сторону, а в маги, поле отклоняются в противоположные стороны. В результате направление поля Нернста — Эттингсхаузепа, создаваемого зарядами разного знака, ие зависит от знака носителей. Это существенно отличает поперечный Н, —Э. э. от Холла эффекта, где еаправленце поля Холла различно для зарядов разного знака. [c.334]

Измерение напряженности магнитного поля с использованием эффекта Холла [32]. В качестве материалов для датчиков Холла используются полупроводники, обладающие большой подвижностью носителей тока (Те. В1, Не, HgTe, 1пАз, 1п8Ь). [c.307]

Входящие в это выражение концентрация носителей тока п см ] и их подвижность v [см 1сек-в являются характеристиками полупроводника. Путем измерения электропроводности полупроводников можно определить только произведение этих двух величин. Для их разделения можно воспользоваться эффектом Холла. Смещение носителей тока в поперечном направлении в полупроводнике прекратится, когда лоренцова сила уравновесится силой возникшего поперечного электрического поля сместившихся зарядов [c.288]

Фиг. 154 поясняет сущность метода определения типа электропроводности полупроводника по изменению знака поперечной электродвижущей силы эффекта Холла. Если поместить лластинку из полупроводника во внешнее поперечное магнитное поле Н и приложить в направлении ее длины некоторую разность потенциалов, создающую электрическое поле Е, то вследствие смещения носителей тока к одной из граней пластинки возникает поперечная электродвижущая сила, измеряемая вольтметром V. Из фиг. 154 видно, что при изменении механизма электропроводности меняется и направление отклонения стрелки вольтметра, по которому и судят о типе ( р или п ) испытуемого полупроводника. [c.305]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...