Полупроводник узкозонный

ВИЯХ в отличие от узкозонных полупроводников собственная проводимость здесь ничтожна. [c.272]

Из табл. 8.4 видно, что эти соединения являются узкозонными полупроводниками. Халькогениды свинца используют для изготовления фоторезисторов в инфракрасной технике, инфракрасных лазеров, тензометров и термогенераторов, работающих в интервале температур от комнатной до 600 С. [c.293]

Наилучшими параметрами обладает Г. па основе трёхслойной (двойной) гетероструктуры (ДГС) с активным слоем из узкозонного полупроводника, заключённым между 2 широкозонными (ДГС-лазеры, рис. 1, в). Двустороннее оптическое и электронное ограничение приводит к совпадению области инверсной населённости и светового поля, что позволяет получить генерацию при малом токе накачки. Использование для инжек-ции носителей гетероперехода позволяет осуществить сверхинжекцию для достижения достаточно большой инверсии населённости в активном слое. [c.445]

Sg — широкозонного полупроводников, то спектр излучения Г. совпадает со спектром фотилюмипесцепции узкозонного полупроводника. При спектр [c.447]

Фотоэффект в Г., как и в р — га-нереходе, возникает за счёт пространственного разделения в поле объёмного заряда Г. возбуждённых светом носителей. При освещении поверхности р—Л -Г. или я—Р-Г. со стороны широкозонного полупроводника в узкозонном полупроводнике поглощаются фотоны с энергией, удовлет- — воряющей (3) (рис. 5, а). Широкозонный полупровод- 44/ [c.447]

При изготовлении Т. о. у. обычно используют полупроводниковые. материалы, преим. халькотениды висмута и сурьмы. Такие соединения являются узкозонными полупроводниками с высокой подвижностью носителей заряда, для к-рых характерно к тому же увеличение тер.шюде в умеренных магн. полях (до I Тл). Противокоррозионная и антисублимац. защита термо.элемснтон в Т, о. у. осуществляется путём заливки термобатарей эпоксидными компаундами. [c.99]

Для нестационарной спектроскопии многоатомных молекул, разработки методов получения неравновесных внутримолекулярных возбуждений, изучения физики узкозонных полупроводников принципиальное значение имеет создание источников мощных сверхкоротких импульсов дальнего ИК диапазона. [c.276]

Во-вторых, значительно более высокая скорость термогенера-ции Go носг1телей в узкозонных полупроводниках <Зо Qxp —Eg/2kT) (здесь —ширина запрещенной зоны сокращает время накопления в таких структурах Go Это означает также, что одновременно в той же степени возрастает минимальная интенсивность регистрируемого светового сигнала /рег-Гн-. [c.187]

Ширина запрещенной зоны полупроводниковых и диэлектрических кристаллов принимает значения от Eg 0,1 эВ (для узкозонных полупроводников) до 12 эВ (для Ь1К). Величина Е зависит [c.84]

Плазменное отражение. Модификацией термометрии по отражению от поверхности полупроводников для области криогенных температур можно считать регистрацию спектра отражения в дальнем ИК диапазоне, где для узкозонных материалов ( g 0,3 эВ для 1пАз, 1п8Ь и т.д.) наблюдается плазменный резонанс [4.27]. Причина плазменного резонанса — обращение в нуль действительной части диэлектрической проницаемости [c.102]

Видно, что температурная чувствительность фазы Ф и регистрируемой интенсивности отраженного света 8 в случае полупроводниковых пластинок примерно на порядок выше, чем в случае диэлектрических. Это связано со значительным отличием показателей преломления и особенно значений (1п/(1в для узкозонных и широкозонных материалов. Причины, по которым многие полупроводники имеют большие показатели преломления (от п 3-Ь4 в области прозрачности до п = 5-ь7 в области сильного поглош,ения) обсуждаются в [6.44]. Большие значения температурных коэффициентов преломления полупроводников связаны, согласно соотношению Крамерса-Кронига, с суш,ественным увеличением оптического поглош,ения при нагревании. [c.162]

HgTe и HgSe являются узкозонными полупроводниками с высокой подвижностью электронов. Их используют при создании высокочувствительных приемников излучения и датчиков Холла. [c.99]

Гораздо более благоприятны условия для наблюдения квантовых эффектов в полуметаллах и узкозонных полупроводниках, например, висмуте и антимониде индия — веществах, характеризующихся малыми величинами как эффективной массы свободных носителей заряда т = 0,01 то) так и энергии носителей Е = Ю эВ). Длина волны де Бройля в этих материалах Хд = 100 нм, поэтому квантовые эффекты отчетливо проявляются в кристаллах и пленках толщиной 0.0 d = 100—200 нм. [c.40]

В гетеропереходах каждый из полупроводников может быть р-типа или п-типа. Таким образом, могут быть реализованы четыре комбинации. Если использовать для широкозонного материала обозначения прописной буквой N или Р, а для узкозонного — строчной п или р, то возможны следующие переходы с различными свойствами п N, р -= Р, п Р и Р п. Кроме того, могут появиться различия, обусловленные разным электронным сродством. Система электронных уровней в двух изолированных материалах, образующих гетеропереход, [юказана на рис. 9.1. Эта система соответствует свободным GaAs и GaAIAs, причем материал с узкой зоной имеет большее электронное сродство, а различие еу мало, так как As присутствует в обоих полупроводниках. [c.239]

Б. Ограничение неосновных носителей в двойной гетероструктуре. Ниже будет рассматриваться структура, которая играет значительную роль при разработке оптических источников. Два гетероперехода используются в ней для создания двух слоев узкозонного материала, раС1Юложенных между слоями широкозонного полупроводника. Схематично такая структура представлена на рис. 9.8. Она и называется двойной гетероструктурой. На рис. 9.9 1юказана соответствующая схема энергетических уровней. В области 1 устанавливается более высокая и однородная концентрация неосновных носителей и более высокая скорость рекомбинации. Это схематически иллюстрируется рис. 9.10. [c.244]

В качестве самостоятельного упражнения предлагается показать, что в случае положительнссмещенной п-Р гетероструктуры (рис. 9.6, б) аналогичный коэффициент увеличивает долю инжектированных в узкозонный полупроводник дырок. [c.247]

Гетероструктурные диоды больше подходят для использования в оптической связи на длинных волнах. Образующий поверхностный слой полупроводник должен иметь широкую запрещенную зону, чтобы поглощение излучения было слабым. Поглощение становится значительным при попадании света в узкозонный материал гетероструктуры, где электрическое поле максимально. Если скорость рекомбинации не слишком велика, можно получить высокий квантовый выход. Обычно работают с двумя системами, а именно [c.317]

Для детектирования излучения с длиной волны более 1 мкм требуются узкозонные полупроводники. Из перечисленных в таб-т. 7.2 двухкомпонентных сложных полупроводников П1 — V групп InSb имеет наименьшую ширину запрещенной зоны и может быть использован в качестве ( одетектора вплоть до 6 мкм. Для детектирования излучения лазера на Oj (10.6 мкм) необходимы другие материалы. Раньше на этих длинах волн использовались примесные полупроводники, такие как германий с примесью меди или ртути, действующие как примесное фотосопротивление. Возьмем в качестве примера соединение Ge — Hg. Ртуть вводит полосу акцепторных уровней с энергией на 0,09 эВ выше верхнего уровня валентной зоны. Конечно, при достаточно умеренных температурах они заполнены термически возбужденными электронами из валентной зоны. Но при достаточно низких температурах, менее 30 К, они оказываются в основно.м пустыми, и тогда электроны могут быть возбуждены оптически. Образованные таким образом дополнительные дырки увеличивают электрическую проводимость материала прямо пропорционально поглощенному световому потоку. Совсем недавно появились плоскостные фотодиоды с р-п-пере-ходом, сделанные на основе трехкомпонентного полупроводника из элементов И—VI групп — теллурнда кадмия с ртутью d x.Hg, .v Те. Уменьшение содержания кадмия позволяет сузить ширину запрещенной зоны этого материала при комнатной температуре от 1,8 эВ до 0. Если X = 0,2, ширина запрещенной зоны eg ж 0,1 эВ при 77 К и могут быть получены диоды с квантовой эффективностью, превышающей 0,25 на длине волны 10,6 мкм. Для избежания избыточного темпового тока, вызываемого тепловым возбуждением, необходимо охладить фотодиод до 120 К или ниже. В наземных системах связи для охлаждения фотодиода может быть использован жидкий азот (77 К), а в космических для достижения этих температур потребуются пассивные охладители. Использование обратного смещения 0,2... 0,5 В минимизирует емкость н улучшает временные характеристики диода, не вызывая дополнительного темпового тока в результате туннелирования. В этом случае могут быть получены полосы пропускания свыше 100 МГц. [c.417]

Здесь Е , и г, — запрещенные зоны с М- а р-сторон соответственно, Шр, р и гпп, р — эффективные массы дырок и электронов с р-стороиы, Шр, N и Шп, N — эффсктивные массы дырок и электронов с Л -стороны. Поскольку при комнатной температуре /кТ—ЗЭ эВ- , экспоненциальный множитель в формуле (4.5.38) является доминирующим даже при малых различиях ширин запрещенной зоны, поэтому Таким образом, диффузионный ток обусловлен главным образом инжекцией основных носителей из полупроводника с широкой запрещенной зоной в более узкозонный полупроводник. Обычно ток записывается в виде / = / ехр(9У // П- (4.5.39) [c.278]

Коэффициент термоэлектродвижущей силы (рис. 32) также уменьшается с увеличением содержания вюстита. Полученные в результате измерений электрофизических свойств данные показывают, что сплавы изучаемой системы в жидком состоянии являются узкозонными полупроводниками дырочного типа проводимости. Наличие ковалентной связи - предпосылка для проявления веществом полупроводниковых свойств, что подтвердили данные электропроводности и коэффициента термо-э.д.с. Снижение а расплава с увеличением содержания в нем кислорода свидетельствует об уменьшении подвижности электронов [c.40]

Ширина запрещенной зоны для продутых расплавов находится в пределах 0,18 - 0,29 эВ, поскольку изучаемые расплавы относятся к классу узкозонных полупроводников с дырочным типом проводимости. [c.44]

Большой раздел М. полупроводников составляет изучение зеемановского расщепления уровней энергии мелких водородоподобных примесей и экситонов (см. также Квазичастицы). Наблюдение магнитопоглощения и отражения И К излучения в узкозонных ПП позволяет исследовать коллективные колебания электронной плазмы (см. Плазма твёрдых тел) и её вз-ствие с фононами. [c.383]

Смотреть страницы где упоминается термин Полупроводник узкозонный : [c.576] [c.330] [c.184] [c.447] [c.447] [c.447] [c.447] [c.448] [c.449] [c.92] [c.311] [c.347] [c.47] [c.184] [c.184] [c.188] [c.217] [c.657] [c.663] [c.106] [c.418] [c.304] [c.315] [c.17] [c.17] [c.228] [c.272] [c.116]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...