Термоэлектрические явления в полупроводниках

К важнейшим термоэлектрическим явлениям в полупроводниках относятся эффекты Зеебека, Пельтье и Томсона. [c.73]

Какие термоэлектрические явления в полупроводниках имеют место [c.293]

Рассмотрим термоэлектрические явления в полупроводниках с собственной и примесной проводимостью. [c.497]

Термоэлектрические явления я эффект Холла в полупроводниках [c.73]

В полупроводниках благодаря сильной зависимости плотности носите.пей электричества от температуры термоэлектрические явления резко усиливаются. Это приводит к повышению КПД термоэлектрических генераторов и к воз- [c.214]

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.89]

Такое использование полупроводников основано на термоэлектрических явлениях, обратных наблюдающимся в термоэлементах. Ток, возникающий в замкнутой цепи термоэлемента, охлаждает горячий спай и, наоборот, подогревает холодный спай. При пропускании же тока через термоэлементы в обратном направлении выделяется тепло в горячем спае и отнимается тепло от холодного. Оди.ч и тот же спай двух проводников при одном направлении тока нагревается, а при другом охлаждается. Пользуясь этим, можно охлаждать воздух в холодильном шкафу, в который помещен охлаждаемый спай металла. Для этого в термоэлементе поддерживают температуру нагреваемого спая, близкую к комнатной, отводя от него выделяемую теплоту в окружающую среду при этом другой спай значительно охлаждается, а через него охлаждается и окружающий воздух. [c.159]

Изменение термоэлектродвижущей силы (термо-ЭДС). В этих преобразователях используется термоэлектрический эффект Зеебека, заключающийся в появлении термо-ЭДС в цепи, содержащей два спая (измерительный и опорный) из двух разнородных по составу проводников при условии, что между этими спаями имеется разность температур (термопары). Подобные явления возникают как в металлах, так и в полупроводниках. При этом в полупроводниках термо-ЭДС значительно выше. Величина термо-ЭДС ет связана с разностью температур АТ между спаями следующим соотношением [c.232]

ЯВЛЕНИЯ (поверхностные — явления, обусловленные избытком свободной энергии поверхностного слоя тела, особенностями его структуры и состава термоэлектрические — электрические явления, возникающие в металлах и полупроводниках при наличии градиентов температуры фотоэлектрические— электрические явления, происходящие в веществе под действием электромагнитного излучения эмиссионные—явления, связанные с испусканием электронов твердыми и жидкими телами в результате внешних воздействий) [c.303]

Теплопроводность полупроводников играет важную роль в явлении термоэлектрического охлаждения. Хотя эффективность системы определяется свойствами используемой пары материалов, существует несколько общих требовании, которым должен удовлетворять каждый из материалов, входящих в пару. Эти [c.253]

В конце двадцатых годов академик А. Ф. Иоффе с сотрудниками приступил к обстоятельному изучению полупроводников в лабораториях Ленинградского физико-технического института АН СССР. В результате был определен механизм электропроводности полупроводников, исследованы термоэлектрические свойства, гальва-но-магнитные явления и другие вопросы полупроводниковой электроники [16, 17]. Результаты этих исследований показали на возможность создания термоэлектрических генераторов с к. п. д. в 2,5—4%, а в дальнейшем, по мере разработки полупроводниковых термоэлементов, была показана возможность получения к. п. д. до 10—15% [6, 18, 19]. [c.11]

Паровое охлаждение значительно экономичнее газового, которое в настоящее время применяется только в специальных установках при необходимости получения очень низких температур. Весьма перспективным может оказаться способ охлаждения, основанный на использовании термоэлектрических и магнитных явлений. Например, если пропускать постоянный ток через термоэлемент, то в зависимости от направления тока происходит нагревание или охлаждение спая. Успехи в исследовании полупроводников должны привести к практической реализации этого ового принципа охлаждения. [c.152]

К важнейшим термоэлектрическим явлениям в полупроводниках относятся эффекты Зеебека, Пельтье и Томпсона. Сущность яЕ ления Зеебека сбстоит в том, что в электрической цепи, состоящей Из по- [c.276]

Настоящая книга написана в полном соответствии с программой курса, утвержденной Минвузом СССР 05.09.74 г., и представляет собой краткое введение в теорию широкого круга явлений, с которыми приходится непосредственно иметь дело конструктору и технологу радиоэлектронной и электронно-вычислительной аппаратуры. Цель книги — помочь читателю понять физическую природу механических, тепловых, магнитных и электрических свойств твердых тел, контактных и - поверхностных явлений в полупроводниках, наиболее широко используемых в современной радиоэлектронике. В книге освещены также термоэлектрические, гальваномагнитные, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и механизмы переноса зарядов в тонких пленках. На этих явлениях основана работа широкого класса электронных приборов датчиков температуры, индукции магнитного поля, фотоэлектрических приборов, лазеров, тонкопленочных элементов и т. п. [c.3]

При Т. в ионных системах или в растворах электролитов возникают термодиффузионные разности потенциалов, достигающие 1 Mejzpad. Термоэлектрические явления в металлах и полупроводниках объясняются Т. носителей электрич. тока (электронов и дырок). [c.163]

ТЕРМОПАРА — датчик темп-ры, состоящий из двух соединённых между собой разнородных электропроводящих элементов (обычно из металлич. проводников, реже из полупроводников). Действие Т, основано на эффекте Зеебе-ка (см. Термоэлектрические явления). Если контакты (обычно спаи) проводящих элементов, образующих Т. (их часто наз. термоэлсктродами), находятся при разных темп-рах, то в цепи Т. возникает эдс (термоэдс), величина к-рой однозначно определяется темп-рами горячего и холодного контактов и природой материалов, применённых в качестве термоэлектродов. [c.96]

В полупроводниках благодаря сильной зависимости плотности носителей электричества от температуры термоэлектрические явления резко усиливаются. Это приводит к повышению КПД термоэлектрических генераторов и к возможности создания эффективньгх холодильников на основе эффекта Пельтье. [c.236]

Полупроводниковые термоэлементы применяются для прямого (бсзмашииного) преобразования тепловой энергии в электрическую (см. Термоэлектрические явлени.ч в полупроводниках). При пропускании тока через термоэлемент один из спаев ца1ревается, а другой охлаждается (см. Пельтье явление), что используется для создания полупроводниковых охладителей. [c.116]

В настоящее время в Советском Союзе и ряде зарубежных стран начинают применяться новые термоэлектрические холодильные установки и тепловые насосы с полупроводниковыми элементами, использующие явление Пельтье, т. е. поглощение или выделение тепла в спаях двух разнородных проводников или полупроводников при прохождении через них тока. Особенно интенсивно протекает явление Пельтье в термопаре, состоящей из разновидных полупроводников дырочного и электронного. Дальнейшее усовершенствование технологии получения иолупроводников и удешевление последних позволят полупроводниковым тепловым насосам, ввиду их конструктивной простоты и экономичности, получить значительное применение в советском энергетическом хозяйстве. [c.204]

Принцип действия. Применение. Термоэлектрический ЧЭ (тёр мопара) воспринимает тепловую энергию и преобразует ее в термоэлектродвижущую силу (термо-ЭДС) для получения информации о температуре. Термопара представляет собой цепь, составленную из двух последовательно соединенных разнородных проводников (или полупроводников) А и В, называемых термоэлектродами. Зона их электрического соединения называется спаями термопары.. Спай, имеющий тепловую связь с объектом теплового воздействия, называется рабочим спаем термопары, а другой спай — свободным спаем. Принцип работы термопары основан на термоэлектрическом эффекте (явление Зеебека), заключающвьхся в возникновении в термопаре ТЭДС при наличии разности температур спаев термопары. Величина ТЭДС зависит также и от материалов термоэле-ктродов. Если температуру свободного спая поддерживать одинаковой и постоянной, то ТЭДС термопары будет зависеть только от температуры I рабочего спая термопары. [c.165]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...