Оксидные полупроводники

Между силой ионного тока в толщине оксидного полупроводника и напряженностью электрического поля существует экспоненциальная зависимость [c.123]

К оксидным полупроводникам с электронной электропроводностью относятся широко используемые в радиоэлектронике ферриты и сегнетоэлектрики. [c.253]

Физические свойства некоторых оксидных полупроводников приведены в табл. 5.2. [c.253]

Таблица 52 Физические свойства оксидных полупроводников

На основе оксидных полупроводников С(10, СиО, ВаО, ВеО получены резисторы с величиной сопротивления Я = = 10—500 ом, имеющие предельную рабочую температуру +250° С. [c.334]

Рис. 8-41. Зависимость удельного сопротивления и его температурного коэффициента сложного оксидного полупроводника от содержания компонентов при 20 С.

Фоторезист под действием соответствующего освещения изменяет свои свойства, и в результате на поверхности полупроводника получают защитный рельеф из фоторезиста, повторяющий рисунок фотошаблона. Неэкспонированные участки фоторезиста удаляют, а открытые участки оксида снимают травлением. Так создается оксидная маска требуемой конфигурации (схематически процесс фотолитографии показан на рис. 25.2а,б). Сквозь окна маски примеси поступают в полупроводник для создания элементов микросхемы. [c.539]

Эффективные фотокатоды. Все эффективные фотокатоды — полупроводники. Металлы имеют высокий квантовый выход (около 0,1 электрон/фотон) только в области hv> 12 эВ и обычно при наличии на их поверхности оксидных пленок. [c.576]

Оксидное покрытие является полупроводником. Перенос электронов происходит в кристаллической структуре оксида. Различают два типа полупроводников [c.62]

Исследования электрохимического поведения Ti в различных условиях показали, что оксидная плёнка, образующаяся на поверхности металла, напоминает по своей роли в коррозионном процессе полупроводник п - типа катодный процесс восстановления окислителя протекает без особых затруднений, в то время как анодный процесс окисления сильно замедляется. [c.63]

В полупроводнике носители зарядов могут существовать в следующих формах 1) в форме обычных электронов, рассеиваемых решеткой 2) в форме куперовских пар, создающих сверхпроводимость материала, но не рассеивающихся решеткой. Вследствие туннельного эффекта как электрон, так и куперовские пары могут проходить через оксидный слой, что и является причиной возникновения следующих эффектов. [c.23]

Пленки большинства халькогенидных стеклообразных полупроводников имеют хорошую адгезию к оксидному стеклу и слюде. [c.139]

А-2. Электрохимическое окисление. Одним из распространенных способов получения электроизоляционных оксидных пленок на металлах и полупроводниках является электрохимическое или анодное окисление. Если металл, покрытый естественной оксидной пленкой, поместить в ячейку с электролитом, не растворяющим металл и его оксид, и поляризовать анодно, то начинается рост оксидного слоя. Такие слои называют анодными оксидными пленками (АОП). Источником кислорода при анодном окислении является вода (и лишь в незначительной степени анионы электролита, внедряющиеся в оксидный слой). Суммарная электродная реакция образования оксида [c.257]

Кроме того, при наличии на поверхности полупроводника оксидной пленки на энергетической [c.79]

Неполярными и более стабильными являются оксидные конденсаторы, в которых роль диэлектрика играет тонкий слой окисла на поверхности полупроводника. В качестве обкладки служит слой металла, осажденного в вакууме. Конденсаторы оксидного типа характеризуются температурным коэффициентом ТКЕ = 100-10" град и высокой стабильностью во времени. Величина емкости не превышает 0,1 нф/мм . [c.187]

II тип. Оксидно-полупроводниковые конденсаторы. Качественным скачком в развитии оксидных конденсаторов явилось создание в конце 50-х годов оксидно-полупроводниковых конденсаторов (другое название твердые электролитические конденсаторы), в которых жидкий или пастообразный электролит заменен полупроводником—обычно двуокисью марганца. На поверхность оксидированного вентильного металла последовательно наносятся три слоя полупроводник,слой углерода, слой легкоплавкого металла или серебряной пасты. Второй и третий слои нужны для подведения тока к полупроводнику, выполняющему роль второй обкладки в конденсаторе. Конденсаторы 11 типа благодаря отсутствию электролита имеют по сравнению с электролитическими повышенную надежность — примерно такую же, как у малогабаритных бумажных конденсаторов, большой срок службы — до [c.383]

Полупроводниковыми свойствами обладает ряд окислов, в частности, окислы переходных металлов. К полупроводникам относятся окислы меди, цинка, кадмия, титана, молибдена, вольфрама, ypajia, марганца, никеля и др. Среди оксидных полупроводников рассмотрим закись меди ujO и окись марганца МП3О4. [c.187]

Рис, 14.1. Темпе1)атурные зависимости сопротивления образцов оксидных полупроводников [c.188]

С электронной поляризацией, обусловленной тепловым движением, связан довольно широкий круг процессов, происходящих в твердых диэлектриках фотодиэлектрический эффект в кристаллах люминесцирующих широкозонных полупроводников диэлектрическая релаксация, обусловленная наличием центров окрашивания в ионных кристаллах, диэлектрическая релаксация электронов, захваченны.х донорны.ми центрами в оксидных полупроводниках наконец, существенное повышение на низких частотах диэлектрической проницаемости в поликристаллических веществах типа рутила, перовскита или стронций-висмут титаната (СВТ). Последний из перечисленных диэлектриков находит важное техническое применение. [c.72]

Эти материалы находят применение в радиотехнических приборах, оптических устройствах, управляемых магнитным полем, и в волноводных устройствах СВЧ. Оксидные полупроводники (N10, 2пО, ЕиО, Си20) используются как разнообразные датчики — температуры, химического состава газа. [c.15]

КЛБ (конфигурируемый логический блок) — термин компании Xilinx, который находится на уровень выше, чем секция. В некоторых устройствах этой компании каждый конфигурируемый логический блок включает в себя по 2 секции, а некоторые — по 4. КМОП (комплементарный металло-оксидный полупроводник) — логический вентиль, состоящий из пары комплементарных МОП-транзисторов соответственно - и / -типов. Код 1) эя >— последовательность двоичных значений, в которых каждая пара расположенных рядом чисел отличается от соседней только одним битом, например 00, 01, 11, 10. [c.385]

В различных областях электротехники используются тонкие нагревостойкие диэлектрические пленки, которые наносятся на поверхность металла, или полупроводника, или на иные подложки. Такие пленки из заранее подготовленного вещества могут наноснться способами испарепия в вакууме, шоопированием и другими способами возможно также осаждение исходных веществ, которые в результате химической реакции между собой дают диэлектрическую пленку. Рассмотрим представляющие большой интерес пленки, получаемые оксидированием — термическим, электрохимическим или плазменным — металла-подложки таким образом, диэлектрическая пленка получается на поверхности металла в виде химического соединения этого металла с кислородом. Это так называемая оксидная изоляция. Для суждения о том, может ли на данном металле образовываться оксидная изоляция в виде сплошного слоя, вводится объемный коэффициент оксидирования, т. е. отношение объема оксида к объему металла, вошедшего в этот оксид [c.183]

Электропроводящее стекло (полупроводниковое) — стекло, обладающее свойствами полупроводников благодаря включению в состав элементов или окислов, придающих стеклу электропроводность. Различают халь-когенидные стекла, в состав которых входят в различных сочетаниях сплавы сульфидов, селенядов и теллуридов, а также мышьяка, висмута и других элементов и оксидные ванадиевые стекла на основе окислов ванадия и фосфора с добавками других окислов. Они находят широкое применение в качестве термисторов, светофильтров и фотосопротивлений. [c.274]

СТЕКЛО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ (электропроводящее) — неорга-нич. стекло, обладающее электрич. св-вами полупроводников. Увеличение электронной проводимости неорганич. стекол достигается существенным повышением их объемной или поверхностной электропроводности. Различают 2 вида С. п. 1) стекла, к-рые содержат элементы или окислы с ярко выраженными св-вами полупроводников и поэтому обладают повыш. объемной электропроводностью 2) стекла, имеющие поверхностные полупроводниковые покрытия и характеризующиеся высокой поверхностной электропроводностью. (См. Стекло с электропроводящей поверхностью). Известны две группы С. п. с повышенной объемной электропроводностью халько-генндные и оксидные. [c.257]

Способность кристаллизоваться у ХС значительно выше, чем у оксидных. Наименее склонны к кристаллизации AsjS, и ASs Sej. По своим электрич. св-вам ХС относятся к типичным электронным полупроводникам с дырочным механизмом проводимости. Электропроводность этих стекол (в зависимости от состава) меняется от 10 до 10 ож- -сж и превышает электропроводность многих известных кристал-лич. полупроводников (электропроводность кристаллич. селена 10 ом -см ). При переходе из стеклообразного состояния в кристаллическое электропроводность халькогенидов может увеличиваться в 10 раз. В табл. 2 приведены данные об электропроводности и спектральном распределении внутр. фотоэффекта для некоторых стеклообразных систем халькогенидов. [c.257]

А-1. Термическое окисление. Практически все металлы и полупроводники, контактирующие с воздухом (кислородом), покрыты естественной оксидной пленкой, толщина которой при обычных условиях не превышает нескольких нанометров. Существование такой пленки возможно потому, что реакция взаимодействия металла с кис.тородом 02=М ,0а [c.256]

Оксидными называются катоды, которые становятся акти вны1мн лри алесении на поверхность их металлических оснований (кернов) окнслов различных металлов, частично восстанавливаемых При откачке и приобретающих свойства полупроводников с характерной для них малой величиной работы выхода. [c.220]

Способность кристаллизоваться у халькогенидных стекол значительно выше, чем у оксидных, однако она меняется в зависимости от их состава. Наименее склонны к кристаллизации АззЗз и АэзЗвз- По своим электрическим свойствам халькогенидные стекла относятся к типичным электронным полупроводникам с дырочным механизмом проводимости. Их электропроводность в зависимости от состава может меняться в широких пределах — от 10 до 10 ом слГ . [c.207]

В различных областях электротехники, в частности в радиотехнике, используют тонкие нагревостойкие диэлектрические пленки, которые наносят на поверхность металла или полупроводника илп на иные юдложки. Такие пленки д ожно наносить сиособаднт испарения в вакууме, шоопированием и т. п. возможно также осаждение исходных веществ, которые в результате взаимной химической реакции дают диэлектрическую пленку. Представляют большой интерес пленки, получаемые путем оксидирования (термического, электрохимического или плазменного) металла-подложки, т. е. получение диэлектрической иленки на поверхности металла за счет химического ссединения этого металла с кислородом — так называемая оксидная изоляция. [c.206]

Наиболее ишроко применяют оксидную изоляцию в оксидных (электролитических) конденсаторах, в которых оксидная пленка на алюминии работает в контакте с жидким электролитом (находящимся в свободном состоянии или же пропитывающим твердый пористый материал), с твердым полупроводником (в оксидно-полупроводниковых конденсаторах) или с металлическими слоями (металло-оксидных конденсаторах). [c.206]

В качестве люминофоров обычно применяют полупроводники с большой шириной запрещенной зоны AW сульфиды (ZnS, aS, SrS), оксиды щелочноземельных металлов (ZnO, СаО) и некоторые оксидные соединения ( aWOj, Zn2Si04). Для создания уровней 2 (ловушек) (см. рис. 24.2), на которых возможно длительное пребывание электрона в возбужденном состоянии, полупроводники легируют металлами (Ag, u, Au, Мп, Со) и их комбинациями. Получаемая картина энергетических уровней представлена на рис. 24.5. [c.254]

Некоторые полупроводящие соединения, отличные от применяемых для изготовления термисторов, используются также в термометрии по сопротивлению. Например, термометр, изготовленный из иОг [23], оказался весьма чувствительным и имел хорошую воспроизводимость в области температур от О до 100° С. Другим примером является термометр из корунда АЬОз [24], который допускает использование в области более высоких температур (от 850 до 1100°С), чем те, при которых применяются обычные термометры из полупроводников. В 1953 г. Вейль, Пе-ретти и Лаказ [25] описали изготовленные ими термометры из ZnO и привели их характеристики вплоть до температур жидкого гелия. Эти термометры были изготовлены нанесением в вакууме пленки металлического цинка на керамическую подложку с серебряными контактами с последующим нагреванием в атмосфере кислорода или в воздухе до температуры 400—450° С. Сопротивление оксидной пленки при гелиевых температурах оказалось порядка 5- 10 ом и изменялось при 2° К на 10% при изменении температуры на 1°. Эти характеристики можно изменять подбором условий изготовления пленки. Значения сопротивлений этих термометров удовлетворительно воспроизводятся и мало чувствительны к присутствию адсорбирующегося газа в области гелиевых температур, а, как мы увидим, эффект адсорбции весьма существен при использовании других низкотемпературных термометров. До настоящего времени не было описано ни одного применения этого термометра. [c.167]

Оксидные пленки первого класса предназначены как для работы в контакте с жидким электролитом (находящимся в свободном состоянии или же пропитывающим пористый твердый материал) в обычных оксидных (электролитических) конденсаторах, а также в электролитических разрядниках и выпрямителях, так и в сухом состоянии — в контакте с твердым полупроводником (в оксиднополупроводниковых конденсаторах) или с металлическими слоями (в металло-оксидных конденсаторах). Оксидная пленка первого класса — практически сплошная (непористая), высокой плотности (порядка 3,2 г см ) и тонкая (ее толщина не более 1 мк). Она получается электрохимическим окислением алюминия в слабых, не растворяющих оксидную пленку, электролитах (например, в водных растворах борной кислоты и ее солей или солей янтарной, виннокаменной, лимонной кислот) этот процесс получения оксидной пленки часто называют формовкой. [c.273]

Среди конденсаторов на основе тонких неорганических пленок наибольшее распространение получили оксидные конденсаторы. В зависимости от вида второй обкладки конденсатора (первой металлической обкладкой служит сам вентильный металл, покрываемый оксидной пленкой) оксидные ко.мденсаторы можно классифицировать следующим образом тип I — электролитические кондгнсаторы (вторая обкладка — электролит) тип II - оксидно-полупроводниковые конденсаторы (вторая обкладка — полупроводник) тип III — оксидно-металличгские конденсаторы (вторая обкладка — металл, нанесенный поверх оксидной пленки). [c.382]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...