Безызлучательная релаксация в полупроводниках

Особые механизмы безызлучательной релаксации имеют место в полупроводниках. Здесь переход электронов из зоны проводимости и переход дырок из валентной зоны осуществляются за счет электронно-дырочной рекомбинации на глубоких ловушках, т. е. рекомбинации свободных носителей одного типа со связанными носителями противоположного типа, В этом случае энергия взаимодействия обусловлена дальнодействующим электростатическим взаимодействием заряженных частиц и отбор излишней энергии осуш,ествляется одним из следующих двух механизмов 1) одним или более решеточным фононом [c.70]

Данная глава, как мы условились в разд. 1.5, посвящена взаимодействию излучения с веществом. Это очень широкая область науки, иногда называемая фотофизикой. Здесь мы ограничимся обсуждением лишь явлений, имеющих непосредственное отношение к веществу, используемому как активная среда лазера. Вводный раздел посвящен теории излучения черного тела, на которую опирается вся современная физика излучения. Затем мы рассмотрим элементарные процессы поглощения, вынужденного излучения, спонтанного излучения и безызлучательной релаксации, На первом этапе это изучение будет проводиться ради простоты для разреженных сред и малой интенсивности излучения. Кроме того, будем вначале считать, что среда состоит только из атомов. Затем будут рассмотрены случаи высокой интенсивности излучения и плотных сред (когда возникают такие явления, как насыщение, суперизлучение, суперлюминесценция и усиленное спонтанное излучение). В последнем разделе мы обобщим некоторые из полученных результатов на более сложный случай молекулярной системы. Некоторые весьма важные, хотя и не столь общие вопросы, касающиеся фотофизики полупроводников, молекул красителей и центров окраски, мы кратко обсудим в гл. 6 непосредственно перед рассмотрением соответствующих лазеров. [c.25]

Для импульсов наносекундной и большей длительности, действующих на полупроводник, становится необходимым учет межзонной рекомбинации, а также диффузии носителей. При высоких концентрациях неравновесных носителей доминирует безызлучательная оже-рекомбинация, в процессе которой электрон и дырка, рекомбинируя, отдают свою энергию третьему носителю, оказавшемуся вблизи рекомбинирующей пары (рис. 2.28). Скорость оже-рекомбинации задается выражением/ = Сп1, где С = onst (например, для кремния С = 4 10" см /с), поскольку этот процесс является трехчастичным , т.е. в каждом элементарном акте одновременно участвуют три свободных носителя. Кстати, оже-реком-бинация фотовозбужденных носителей представляет собой один из примеров нелинейной (зависящей от интенсивности возбуждения) релаксации в сильно возбужденной электронно-дырочной подсистеме кристалла. [c.146]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...