Импульсный лазерный отжиг полупроводников

Лазерный отжиг - процесс восстановления кристаллической структуры твердого тела, нарушенной радиационным воздействием. В отличие от обычного, он позволяет контролировать температуру и время нагрева поверхностных слоев различных материалов на заданную глубину. Лазерный отжиг применяется для полупроводников, диэлектриков, металлов и сплавов. Его особенность состоит в том, что, во-первых, ввиду малой глубины проникновения лазерного излучения (10 +10" см) не происходит нарушений более глубоких слоев во-вторых, время действия лазерного излучения при импульсном облучении может быть чрезвычайно малым (нано- и пикосекундный диапазон). [c.523]

Импульсный лазерный отжиг полупроводников. Явление импульсного лазерного отжига (ИЛО) в узком собственном значении этого понятия состоит в чрезвычайно быстром (обычно в течение нескольких десятков наносекунд) восстановлении кристаллической структуры ранее разупорядоченного или даже полностью аморфизованного приповерхностного слоя полупроводникового материала при воздействии на него достаточно мощного лазерного импульса с энергией кванта, большей ширины запрещенной зоны. [c.150]

Возникший в результате неустойчивости рельеф поверхности вызывает сильные изменения поглощательной способности этой поверхности. В частности, в определенных условиях возможно полное подавление зер-кально-отраженной волны от металлов, полупроводшков и диэлектриков, а также возникновение аномально высокого поглощения шероховатой поверхностью. Эти обстоятельства необходимо принимать во внимание при анализе различных процессов термической лазерной технологии — резки, сварки, сверления, закалки материалов с помощью лазерных пучков, а также в процессах импульсного лазерного отжига полупроводников. [c.162]

Вводные замечания. Исследования резонансного взаимодействия коротких импульсов лазерного излучения с полупроводниковыми материалами пол)лшли в середине 70-х годов мощный практический стимул в связи с открытием в нашей стране явления импульсного лазерного отжига поверхности полупроводниковых материалов, используемых в микроэлектронике. Воздействие мощных лазерных импульсов с энергией фотона, превышающей ширину запрещенной зоны, приводит к быстрой (в диапазоне 100 НС — 10 мкс) и высококачественной рекристаллизации аморфизи-рованных в результате ионной имплантации или иных причин приповерхностных слоев полупроводников — происходит отжиг их ранее разупорядоченной поверхности [22]. Лазерный, а в последствии и ламповый (с помощью мощных ламп-вспышек) отжиг стал хорошо освоенным тех коло ги чес ки м приемом обработки изделий полупроводниковой микроэлектроники в то же время эксперименты по импульсному лазерному отжигу поставили целый ряд принципиальных физических вопросов, касающихся поведения полупроводников в сильном импульсном лазерном поле. [c.141]

В отличие от процесса импульсного отжига отжиг сканирующим лазерным или электронным лучом представляет очень удобное и хорошо управляемое средство нагрева поверхности полупроводника до заданной температуры, одновременно сохраняющее его объемную температуру на достаточно низком уровне (обычно 350 — 500° С). Осознание этого факта естественно вызьшает желание сравнить механизмы отжига непрерывным пучком и обьиного отжига в печи. [c.166]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...