ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Полупроводники из "Современная теория твердого тела " Поэтому нельзя быть уверенным, что полученные этим методом электропроводности действительно являются постоянными, характерными для исследуемого материала. [c.77] Преимущество этого метода заключается в том, что здесь исключается контактное сопротивление, ибо заряды, оставаясь в среднем на месте, просто колеблются в ту и другую стороны внутри зёрен. В качестве основных недостатков нужно упомянуть следующее I) метод не позволяет в широких пределах менять условия, прн которых производятся эксперименты, 2) точность его не очень велика — ошибки обычно бывают порядка Ю /,. [c.77] Результаты, полученные двумя различными методами, в одних случаях совпадают, в других сильно расходятся. Гиллерн- нашёл. [c.77] Прямая и пунктирная линии, а также крестики соответствуют данным, полученным прямым путём. Кружки и треугольники соответствуют величинам, полученным Фольклем при помощи описанного в тексте метода. [c.78] Рассмотрим подробнее каждый из этих случаев. [c.79] Предположим, что вещество состава МХ, где М — металлический, а X — электроотрицательный компоненты, имеет ионную (обусловленную ионами М+) и электронную проводимости. Тубандт располагал три кристаллических нли сделанных нз спрессованного порошка диска исследуемого материала в ряд с тремя дисками вещества МУ, относительно которого известно, что его проводимость обусловлена только ионами М+, и помещал их между двумя электродами из металла М (рнс. 75). Прилегающие к электродам диски, а также сами электроды тщательно взвешивались. Затем через полученную таким образом систему пропускался ток, причём при помощи кулонометра измерялось полное количество протекшего электричества. Если электролиз имеет место, то соприкасающиеся с электродами диски слипаются с ними. Для определения количества материала, потерянного анодом и приобретённого катодом, электроды вместе с прилипшими к ним дисками взвешивались. [c.79] Из измеренных таким образом величии можно определить число переноса положительного иоиа. [c.80] Практически во всех случаях этот прямой метод даёт результаты, согласующиеся с результатами, полученными другими методами. Ряд принятых в настоящее время чисел переноса, полученных этим путём Тубандтом и другими авторами, содержится в таблице XIX. Нужно заметить, что некоторые полупроводники имеют небольшую, но конечную ионную проводимость. [c.80] Как впервые было обнаружено Бедекером ) в 1909 г., полупроводники имеют измеримый Холл-эффект, причём подвижность носителей оказывается того же порядка величины, что и подвижность электронов в металлах. В настоящее время наличие измеримого Холл-эффекта рассматривается как доказательство того, что данное вещество является полупроводником. Число полупроводников с кажущимся положительным знаком заряда носителей тока примерно такое же, как и с отрицательным знаком. Эта аномалия, так же как и в случае металлов, объясняется современной теорией твёрдых тел. [c.82] В некоторых образцах закиси меди при повышении температуры постоянная Холла меняет анак с положительного на отрицательный, обращаясь в нуль примерно при 500 С. Однако при этом закись меди остаётся электронным проводником, откуда следует, что отсутствие эффекта Холла ещё не является доказательством ионной проводимости ). [c.82] Термоэлектрический эффект наблюдается в полупроводниках и не наблюдается в ионных проводниках. Поэтому, так же как и Холл-эффект, он является признаком электронной проводимости. [c.83] Влияние первых двух факторов еистематически не было исследовано. Однако известно, что различные образцы большинства одноатомных полупроводников, как, например, кремния, селена и теллура, имеют разные электропроводности при одной и той же температуре. Отсюда можно заключить, что при определении электропроводности загрязнения играют важную роль. Точно так же было обнаружено, что электропроводность порошков, полученных при размельчении одного и того же материала, меняется с изменением степени измельчения. Вследствие этого было сделано заключение о влиянии механической обработки на электропроводность. Возможно, что эти два явления тесно связаны друг С другом, т. -е. распределение атомов загрязнений в полупроводнике частично зависит от его механической обработки. Однако эти вопросы нуждаются в дальнейшем исследовании. [c.83] Вернуться к основной статье