Концентрация электронов

На расстоянии fi, достаточно удаленном от поверхности для довольно толстой пленки, концентрация ионов в междоузлиях должна быть равна концентрации электронов [c.51]

Скорость образования ионных соединений в отличие от полупроводников (скорость образования которых определяется перемещением ионов) определяется величиной электронной проводимости, которая зависит от концентрации электронных дефектов. [c.87]

Накопление электронов. Когда положительно заряженные твердые частицы, имеющие заряд 2 , вводятся в ионизованный газ с концентрацией ионов щ (равной начальной концентрации электронов Пе1 при ионизации типа М М+ -[- е), конечная конг центрация электронов будет равна [c.463]

Электропроводность смеси в условиях термической электризации была исследована oy [728]. Смесь состояла из твердых заряженных частиц (размером 1 мк или менее), электронов (образующихся только благодаря термической электризации) и атомов газа. Было установлено, что сечение столкновений между электронами (индекс е) и заряженными твердыми частицами (индекс р) при кулоновском взаимодействии намного превосходит сечение столкновений, скажем, между атомами гелия (индекс а) и электронами, взаимодействующими по закону одной пятой . Вследствие большого дебаевского радиуса в этом случае сочетание диффузного рассеивания и пространственного заряда обусловило более низкую электропроводность, чем в ионизованном газе с подобной концентрацией электронов. [c.466]

При добавлении небольших количеств иона Li+ к ZnO, который является полупроводником п-типа, концентрация электронов снижается в соответствии с требованием сохранения электронейтральности, а концентрация промежуточных ионов цинка возрастает в соответствии с законом действия масс — см. уравнение (3). Это облегчает диффузию межузельных ионов Zn . Следовательно, L+ повышает скорость окисления цинка, т. е. влияние Li+ здесь противоположно его влиянию при добавлении в NiO. Ионы по тем же причинам снижают скорость окисления цинка, что подтверждается следующими данными [28] (/ = 390 °С, ро = = 0,1 МПа) [c.198]

Уровень или граница Ферми Wf определяется концентрацией электронов, т. е. зависит от расстояния между атомами и валентности металла. При числе п свободных электронов [c.31]

Одним из видов неупругого электромагнитного взаимодействия заряженных частиц с веществом является ионизационное торможение, при котором кинетическая энергия частицы тратится на возбуждение и ионизацию атомов среды. Величина удельной потери энергии на ионизацию не зависит от массы частицы, пропорциональна квадрату ее заряда и концентрации электронов в среде и обратно пропорциональна (в первом приближении) квадрату скорости частицы [c.255]

Рассмотрим полупроводник, не содержащий примесей и дефектов. Не будем также учитывать влияние поверхностных состояний. При T—QK электропроводность такого полупроводника равна нулю, поскольку в нем нет свободных носителей заряда. Действительно, валентная зона полностью заполнена электронами и не дает никакого вклада в проводимость, а зона проводимости пуста. При Т>ОК возникает вероятность заброса электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. 7.15). В валентной зоне при этом образуются дырки. Ясно, что концентрация электронов п равна концентрации дырок р [c.242]

Концентрация носителей. Равновесная концентрация электронов, для которых возможный интервал энергий лежит в пределах зоны проводимости, определяется выражением [c.243]

Видим, что для определения концентрации электронов и дырок необходимо вычислить интегралы Ферми — Дирака. Эти интегралы [c.245]

Используя приближение (7.143) и учитывая (7.135), находим концентрацию электронов в невырожденном собственном полупроводнике [c.246]

Полученные, выражения д я пир позволяют вычислять концентрацию электронов и дырок, если известно положение уровня Ферми. Поскольку положение уровня Ферми определяется условием электронейтральности собственного полупроводника, его можно найти, решив уравнение п=р или [c.247]

Постепенно концентрация электронов в зоне проводимости становится сравнимой с Nd. В этом случае выражение (7.167) для становится неприменимым. Детальный анализ показывает, что здесь [c.252]

Дальнейшее повышение температуры вызывает увеличение концентрации электронов за счет межзонных переходов. При этом Er- [c.253]

Опыт показывает, что с увеличением концентрации доноров (или акцепторов) наклон прямых 1па от 1/Т в области примесной проводимости уменьшается. Согласно (7.168) это значит, что уменьшается энергия ионизации примеси. При некоторой критической концентрации она обраш,ается в нуль. Для элементов пятой группы в германии эта критическая концентрация составляет ЗХ Х10 см , в кремнии 8-10 см . Полупроводник, в котором энергия ионизации примеси обратилась в нуль, называют часто полуметаллом. В нем концентрация электронов и электропроводность нечувствительны к температуре (кроме области температур, где начинается собственная проводимость). [c.254]

В слабых полях t d< Wr и результирующая скорость определяется тепловой скоростью vt- Она не зависит от напряженности поля, вследствие чего не зависит от S и подвижность. Поскольку концентрация электронов также не зависит от поля, электропроводность является величиной постоянной. [c.256]

Первой теорией, достаточно успешно описавшей свойства сверхпроводников, была теория Ф. Лондона и Г. Лондона, предложенная в 1935 г. Лондоны в своей теории основывались на двух-жидкостной модели сверхпроводника. Считалось, что при Т<.Т в сверхпроводнике имеются сверхпроводящие электроны с концентрацией Пз(Т ) и нормальные электроны с концентрацией n—tis (здесь и — полная концентрация электронов проводимости). Плотность сверхпроводящих электронов rts уменьшается с ростом Т и обращается в нуль при Т—Тс. При 7- 0 К она стремится к плотности всех электронов. Ток сверхпроводящих электронов течет через образец без сопротивления. [c.266]

При приложении к диэлектрику электрического поля свободные носители начинают ускоряться и таким образом возникает электропроводность. В соответствии с природой носителей заряда (электроны или дырки) рассмотренный механизм - электропроводности называют в общем случае электронным. Очевидно, что вследствие низкой концентрации электронов (дырок) электропроводность диэлектриков незначительна. Для различных веществ она колеблется от 10- ° до Ом -см . Необходимо отметить, [c.272]

Здесь, как и ранее, пир — концентрация электронов и дырок, а и цр — подвижности этих носителей. В случае примесной проводимости вклад в проводимость дает только один сорт носителей. [c.272]

Кроме Toi o, отметим (с целью избежать недоразумений), что формулы (20.2) — (20.4) сравнивают величины We р- W , относящиеся к одному и тому же веществу. Если концентрация электронов изменяется, скажем, путем сплавления с другим металлом, то и и We изменяются. [c.283]

Истинные полупроводники (собственная полупроводимость) СиО, С03О4, СгаОд. Концентрация электронных дырок равна концентрации междоузель-ных электронов Ла + 0 Электропроводимость не зависит от окислительной способности атмосферы. [c.39]

Если Пн (h) — концентрация ионов в междоузлиях в точке /г, а пз (Н) — концентрация электронов в той же точке, то по закону действующих масс должно быть я (/г) X Пз (h) = onst для любой точки h. [c.50]

Легирующий элемент для металлов, образующих ионные соединения (например, AgBr), скорость возникновения которых определяется величиной электронной проводимости, зависящей от концентрации электронных дефектов (дырок), должен удовлетворять неравенству (232). [c.112]

Металлическая связь возникает при образовании из внешних (относительно слабо связанных с ядром) электронов отрицательно заряженного элек-тронного газа , в результате чего положительно заряженные ионы создают плотную, но пластичную кристаллическую решетку. Электроны, свободно перемещаясь между атомами, обеспечивают высокую электропроводность металлов. Металлическая связь усиливается при повышении концентрации электронного газа . [c.6]

Оказывается, что в этом случае у не зависит от концентрации электронов Пе, так как с ростом Пе уменьшается время пробега Те,- при одной и той же температуре у тем больше, чем меньше 2 — заряд ионов X растет пропорционально т. е. весьма быстро. Например, при Те= 5- 10 К водородная плазма имеет такую же электроводность, как обыкновенная медь при комнатной температуре [c.56]

Применяя далее уравнение (2.7) i = rieeve, определяя концентрацию электронов Пе из уравнения Саха (2.38), как Пе — = хп, а также используя принцип Штейнбека, К. К. Хренов получил для температуры в столбе дуги [c.59]

Что касается пересчета на другую среду, то его легко провести, если вспомнить, что есть линейная функция концентрации электронов в среде Пе. Как известно, концентрация электронов в среде Пе = n Z, где Z — заряд ядер среды, а я — их концентрация. Но я onst для всех веществ, и, следо1вательно. [c.209]

Рис. 7.20. Зависимость концентрации электронов от температуры в доиориом полупроводнике

В предыдущей главе при обсуждении вклада электронов проводимости в теплопроводность и теплоемкость металлов было установлено, что электронный газ в металлах является сильно вырожденным. Поскольку в этом случае концентрация электронов от температуры практически не зависит, температурная зависимость электропроводности металла o=e/ip, определяется зависимостьк> подвижности от Т. В области высоких. температур в металлах, так же как и в полупроводниках, доминирует рассеяние электронов на фононах. Выше было показано, что для вырожденного электронного газа подвижность, обусловленная рассеянием на фононах, обратно пропорциональна температуре (7.164). [c.255]

Здесь п — полная концентрация электронов Ап( с) — концентрация электронов в зоне проводимости. Из рис. 11.11 и выражения 11.15) следует, что примесную проводимость можно получить, если каким-либо способом удастся снизить плотность состояний в запрещенной зоне. Второй путь — ввести в полупроводник большое количество примесных атомов так, чтобы перекомпенсировать дефектные состояния. Все это, разумеется, возможно при условии, что примесные атомы образуют донорные (или акцепторные) уровни в запрещенной зоне. [c.365]

Ферми (в термодинамическом равновесии положение уровня Ферми в р-области совпадает с его положением в п-области), 1 — дно зоны проводимости, 2 — вершина валентной зоны. Основными носителями заряда в р-области являются дырки их концентрация много больше концентрации электронов проводимости. В п-области наблюдается обратная картина там основными носителями являются электрощ>1 проводимости. Диффузии электронов проводимости из области с высокой их концентрацией (п-области) в область с низкой концентрацией (в / -область) препятствует потен- [c.180]

Клеменс [72] рассмотрел изменение We в зависимости от электронной концентрации для случая одной зоны, считая константой (поверхности постоянной энергии предполагались сферическими). При малых концентрациях электронов Е к-, так что We постоянно при Л - 0. Вблизи границы зоны величина dEjdk уменьшается ниже значения, соответствующего свободным электронам, и поэтому We увеличивается. Однако при заполнении зоны оно опять уменьшается, ибо площадь поверхности Ферми уменьшается. [c.283]

Так как следует ожидать, что С увеличивается при увеличении концентрации электронов (вследствие того, что Е (к) все больше отклоняется от значения, соответствующего свободным электронам), то We, но-видимому, стремится к нулю при уменьшении 1 , увеличивается при увеличении УУ , достигает максимума и вновь стремится к нулю при заполнении зоны. При совре.меином уровне теории, к сожалению, невозможно сделать более определенных выводов об изменении We в зависимости от концентрации электронов. [c.283]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...