Полупроводники окисные

Таким образом, чтобы определить скорость окисления расчетом, необходимо дать способ определения величины / . Для этого рассмотрим 1 см материала полупроводника (окисной пленки), к противоположным граням которого подведено постоянное напряженке, равное . В этом случае значение величины удельного сопротивления (р) р/атериала пленки (окисла) будет равно обратной величине удельной проводимости [c.69]

Пленки нестехиометрических продуктов химической коррозии на металлах являются полупроводниками с двумя типами проводимости — ионной и электронной (см. гл. 2, 7). В зависимости от характера проводимости различают три типа окисных пленок 1) р-полупроводники, которые растут вследствие передви- [c.62]

Окисные пленки имеют толщину 0,5—3 нм и более и обладают свойствами полупроводников, а иногда и диэлектриков. Интенсивность образования окисных пленок и изменение структуры граничных слоев зависят от температуры в зоне контакта, которая увеличивается с ростом скорости вращения, от удельного давления на щетки и проницаемости окисной пленки для кислорода. [c.316]

Плавка в холодных тиглях [25]. Одним из методов получения особо чистых металлов, полупроводников и окисных материалов является плавка в холодных тиглях, т. е. в металлических (медных и реже серебряных) водоохлаждаемых тиглях, помещаемых в плавильный индуктор. Низкая температура тигля предотвращает химическое взаимодействие между ним и расплавом. [c.242]

Пятиокись ниобия (Nb Os) является полупроводником п типа с недостатком анионов (т.е. кислорода) в кристаллической решетке. Элемент с более высокой валентностью, например Мо, должен снижать проводимость окисной пленки, так как для сохранения нейтральности окисла количество вакантных мест в решетке должно уменьшаться (что равнозначно уменьшению отношения Me О). Введение элементов с меньшей валентностью (Ti, Zr) приводит к увеличению отношения Me О, т.е. число дефектных мест в решетке и проводимость сплава при этом будут возрастать. [c.73]

С напряжениями несоответствия приходится встречаться при получении окисных пленок на металлах и полупроводниках, при вы-раш,ивании эпитаксиальных слоев и т. д. В частности, для ориентированного роста пленок на кристаллических подложках необходимо, чтобы параметр решетки монокристалла подложки не отличался от параметра решетки материала пленки более чем на 14%. [c.85]

Физические свойства окисных полупроводников [c.409]

A. Защита металлов и сплавов от окисления (светлый отжиг, светлая закалка и др.), восстановление окислов (получение, например, порошков чистых металлов — вольфрама, молибдена, железа и др.) или окисление — получение окисных пленок заданной толщины (окисление полупроводников и никеля в электронной технике, получение ферритов). [c.123]

Если далее учесть, что адсорбция влаги, как правило, изучается на металлах, Находящихся в чехле из окисла [20], можно ожидать известную идентичность в адсорбционной способности окисленной поверхности металла и объемных окислов. Так, на большинстве полупроводников и диэлектриков окисного типа количество адсорбированной воды в области относительной влажности ниже 100% не превышает [c.156]

Опытные данные по кинетике изменения потенциала металлов в воздухе различной влажности могут трактоваться на основе современных представлений о поверхностных свойствах окисных полупроводников. В исходном состоянии [c.162]

Следует заметить, что полупроводники с поверхностным состоянием типа германия и кремния, имеют окисные пленки, представляющие собой слой диэлектрика толщиной 10 нм. Расчетные значения адгезионного взаимодействия под действием электрических сил для таких пленок будут меньше фактического значения, т. е. расчет дает заниженный результат. При наличии тонкой окисной пленки диэлектрика возникает возможность образования двойного слоя между собственно поверхностью диэлектрика и окисной пленкой, что оказывает влияние на адгезионную нрочность прилипшей нленки. [c.119]

Как уже отмечалось, иногда поверхность полупроводника, а также поверхность металлов покрыта окисной пленкой. Это имеет место при использовании в качестве субстрата поверхности германия. [c.121]

Жермен [1] в связи с рассмотрением окисных полупроводников р-типа, имеющих значение катализаторов, показывает механизм образования твердого раствора на основе окиси никеля. Он допускает [c.288]

Это относится также и к случаю, когда полупроводник в виде тонкой окисной пленки находится на поверхности металла [2]. [c.47]

Кроме того, известно, что от состава и строения окисной пленки зависят ее электрические свойства. Окисную пленку на металле, погруженном в электролит, можно рассматривать как слой диэлектрика в конденсаторе, обкладками которого служат с одной стороны металл, а с другой — электролит. При образовании на элект-. роде пленки, вещество которой является изолятором или полупроводником, наблюдается заметное снижение емкости и увеличение сопротивления, так как в этом случае промеряется уже не емкость двойного слоя, а емкость указанного конденсатора, зависящая от толщины и электрических свойств изолирующего слоя, т. е. окисной пленки. [c.202]

Все указанные выше явления связаны с тем, что на поверхности полупроводника всегда имеется тонкая окисная пленка. Окисная пленка впитывает молекулы воды и ионы металлов, которые заполняют поры и микрощели. Окисная пленка может отдавать или захватывать электроны, вызывая изменение числа носителей тока в поверхностном слое полупроводника. [c.180]

Кроме водорода, для улучшения смачивания используют флюсы, с помощью которых устраняется окисная пленка с поверхности полупроводника и изменяются силы поверхностного натяжения. Основное назначение флюсов в данном случае — обеспечение смачивания при температурах ниже 400° С, т. е. раньше сплавления. [c.182]

Значение / определяется удельным сопротивлением материалов деталей (р), и по сравнению с другими составляющими R для металлов пренебрежимо мало (для сталей р 6 [10 10" Ом м). Окислы металлов - полупроводники с Рок е [10 10 ] Ом м, однако ввиду большой пористости окисных пленок поверхностей трения Ron обычно имеет невысокие значения. Сопротивление стягивания зависит от радиуса контурной площади контакта а , а также размеров г и числа и действительных пятен контактов поверхностей [c.471]

Это обусловлено тем, что окисная пленка на титане является полупроводником п-тнпа, и, следовательно, способна проводить ток только в одном направлении из раствора в металл Прим. ред.). [c.336]

При окислении титана окисная пленка в основном состоит из Tio 2-рутила, который относится к полупроводникам п-типа с недостатком анионных вакансий. Такой окисел обладает электронной проводимостью. Кислородные вакансии обеспечивают преимущественную диффузию ионов кислорода через кристаллическую решетку окисла. При повышенных температурах наблюдается и диффузия ионов титана. [c.28]

Наиболее высокая коррозионная стойкость титана наблюдается тогда, когда его потенциал находится в области пассивного состояния. Пассивации титана способствуют очень отрицательное значение потенциала пассивации и полной пассивации, низкие значения тока пассивации и тока в пассивном состоянии, высокое положительное значение потенциала питтингообразования и устойчивость пассивного состояния даже в растворах, содержащих значительные концентрации хлор-иона. Процесс растворения титана в пассивном состоянии, как уже обсуждалось в гл. IV, можно рассматривать как электрохимический переход ионов титана через пассивную пленку наряду с ее химическим растворением. На основании исследования особенностей электрохимического поведения титана было сделано заключение о том, что окисная пленка ведет себя как полупроводник -типа (катодный процесс восстановления окислителя протекает без затруднений, а анодный процесс окисления сильно тормозится) [12,13]. [c.225]

Пленки продуктов химической коррозии на металлах являются полупроводниками с двумя типами проводимости— ионной и электронной. В зависимости от характера проводимости различают три типа окисных пленок [c.37]

В книге представлены оригинальные исследования процессов коррозии при высоких температурах в атмосфере, металлических и солевых (галогенных, карбонатных и др.) расплавах. В разделах сборника рассмотрены теоретические аспекты процесса высокотемпературного окисления металлов и полупроводников, закономерности газовой коррозии титана, циркония, ванадия, вольфрама и др., коррозия металлов в расплавах, методы получения, свойства и закономерности коррозии защитных жаростойких силицидных, окисных и хромовых покрытий. Показаны методы защиты конструкционных материалов от высокотемпературной коррозии. [c.2]

О МЕХАНИЗМЕ ОБРАЗОВАНИЯ И РОСТА ОКИСНЫХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.19]

О механизме образования и роста окисных пленок на металлах и полупроводниках. ............. [c.122]

Таким образом, чтобы выразить скорость окисления через определимые величины, необходимо дать способ расчета величины К. Возьмем кубический сантиметр материала полупроводника (окисной пленки), к противоположным граням которого подведено постоянное напряжение, равное е. Для данного случая значение величины удельного сопротивления материала (окпсла) пленки в обычном понимании (о) будет равно обратной удельной проводимости материала пленки [c.59]

Если принять для перехода ионов металла из точки Р (рис. 26) в междоузлия решетки окисла полупроводника п-типа, что W н — энергия, соответствующая этому переходу, Ф — энергия, необходимая для перехода электрона из металла в зону проводимости окисной пленки (рис. 27), а Е — энергия сиязи электрон—ион в междоузлии, то величина — Е будет энергией раство- [c.50]

Теория электропроводности окисных полупроводников (тер-. мисторов) недостаточно ясна и здесь не рассматривается. Ос- [c.186]

Кроме того, поверхность твердых тел никогда не бывает чистой. Свежесколотая поверхность кристалла обладает столь высокой активностью, что практически мгновенно покрывается молекулами окружающей среды, образующими на ней адсорбированные пленки. На металлах и полупроводниках прежде всего образуются окисные пленки, толщина которых может меняться от мономолекулярного слоя, как это имеет место для благородных металлов (Ag, Au, Pt), до десятков-сотен нанометров. Помимо окисных пленок, поверхность может захватывать достаточно толстые слои воды, жира и других веществ из окружающей среды. Прочность закрепления адсорбированных слоев, особенно окисных пленок, весьма высокая, и удаление их с поверхности представляет большие трудности. [c.78]

Обратный ток может.сильно возрасти вследствие возникно-вення тока утечки, распространяющегося непосредственно и о по-Берхности полупроводника и обусловленного появлением электронной или ионной проводимости по окисной пленке или по адсорбиро- ванной пленке влаги. [c.254]

Анализу пленочных покрытий посвящены работы [219, 232, 235], в которых предлагаются как расчетные, так и экспериментальные методы определения их параметров. Эллипсометрия наиболее успешно применяется при анализе пленочных покрытий (включая окисные слои) металлов, полупроводников, поглощающих пленок, нанесенных на подложки из поглощающих и диэлектрических материалов при толщинах пленок порядка 30 нм и более. Для пленок с толщинами меньше 30 нм интерпретация эллипсометрических данных при помощи and представляет определенную трудность, но тем не менее в сочетании со спектральными методами анализа можно получить количественную информацию [c.205]

Ионизирующее излучение, воздействуя на окисную пленку, образующуюся на поверхности металла, может изменять ее электропроводность, защитные свойства и в соответствии с этим коррозионную стойкость металла. И. Л. Розенфельд и Е. К. Оше [1,29] показали, что ток пар цирконий — алюминий, цирконий — железо в движущемся растворе трехпроцентного хлористого натрия значительно возрастает при облучении катода (цирконий) потоком электронов большой энергии (0,8 Меё) с интенсивностью 15 мка/см . После начала облучения сила тока возрастала в 15—20 раз, а затем в течение всего опыта (1 час) оставалась постоянной. По окончании облучения величина тока уменьшалась почти до исходного значения. При облучении анода исследуемых гальванических пар сила тока не увеличивалась. Изменение электрохимической активности циркониевого электрода под действием облучения связано с изменением физических свойств окисной пленки на циркониевом катоде. Окисная пленка на катоде (2гОг) рассматривается как полупроводник. Электрические свойства полупроводников могут существенно изменяться под влиянием облучения, которое в большинстве случаев вызывает резкое увеличение электропроводности полупроводников. Величина тока исследуемых пар определяется скоростью катодной реакции восстановления кислорода. Если допустить, что скорость этой реакции лимитируется высоким сопротивлением пленки-полупроводника на катоде, облучение, уменьшая сопротивление пленки окиси циркония, должно ускорить катодную реакцию и привести к резкому увеличению тока коррозионной пары. [c.37]

При малой толщине окисной пленки напряженность поля значительна, но по мере утолщения пленки она ослабевает и при толщине порядка нескольких десятков нанометров становится исчезающе малой. В этих условиях в качестве основной движущей силы диффузии остается градиент концентращ1й, обусловленный изменением соотношения металла и окислителя в окисной пленке. На границе металл — окисел в пленке следует ожидать максимально возможную в рассматриваемых условиях концентращ1Ю катионов при некотором недостатке анионов, а на границе окисел - газ следует ожидать максимально возможную концентрацию анионов при некотором недостатке (по отношению к внутренним слоям) катионов. Наряду с этим предполагается наличие в окисле дефектов, которые, по современным представлениям, являются необходимым условием для диффузии [5 - 9]. Эта модель, в совокупности с представлением об окисной пленке как о полупроводнике, является основой теории Вагнера - Хауффе, описывающей рост толстых окисных пленок по закону квадратичной параболы [10]. [c.12]

В последнее время стало очевидным, что способность окисных фаз пассивировать металлы находится в прямой зависимости от полупроводниковых свойств окислов. Еще в наших ранних работах с Оше [19, с. 103], а также в работах Бялоб-жеского с сотр. [20] по изучению влияния облучения на сплавы было обращено внимание на то, что электрохимическое и коррозионное поведение металлов меняется в соответствии с тем, как меняются под влиянием излучения свойства окисных пленок, которые рассматривались как полупроводники. При этом исходили из того, что природа полупроводниковой пленки и отклонения от стехиометрии играют существенную роль в процессах переноса зарядов и вещества через эти пленки. [c.20]

Алюминий покрыт окисной пленкой глинозема AlaO с высокими защитными свойствами. Это полупроводник п-типа с. анионными дефектами, обладающий исключительно низкой проводимостью. До [c.49]

Суммарный заряд системы адгезив — окисная пленка — германий равен нулю. При отрыве адгезива по границе раздела адгезив — окисная пленка на исходной поверхности, представляющей собой германий с окисной пленкой, остается избыточный заряд. Действие этого заряда приводит к изменению поверхностной проводимости, которое можно обозначить через Aq. При отрыве адгезива происходит релаксация величины Ачто соответствует рассосродоточению остаточного заряда на поверхности полупроводника. Существование величины Aq ш ее изменение в процессе отрыва пленок подтверждают наличие двойного слоя в зоне контакта. [c.121]

За последнее время стали широко использоваться также покрытия на основе окиси индия и окислов титана. Образование на поверхности стекла окисных оловянных покрытий, обладающих свойстиамп полупроводников, происходит при высоких температурах в результате процессов пиролиза или гидролиза различных соединений олова. Эти процессы основываются на следующих типичных реакциях. [c.211]

Существующие в настоящее время методы определения характера и степени разупорядочения полупроводников и ионных кристаллов, такие, как измерения гальваномагнитной или термо-э.д.с., реитгенодифракция, пикнометрический метод, метод гидростатического взвешивания, химический анализ, в случае тонких поверхностных окислов на металлах в растворе непригодны. Применение этих методов связано с извлечением образца из раствора или с изоляцией поверхностного окисла от металлической подложки. Между тем наибольший интерес представляют измерения в неравновесных условиях при наложении потенциала, поскольку отклонение от стехиометрии в окисных слоях в неравновесных условиях может сильно отличаться от такового в условиях равновесия. [c.36]

Считая, что механизм реакции [Ре (СМ) ] " + е [Ре(СМ)в] " на окисленной поверхности олова и ЗпОа-электрбде, объемном полупроводнике, одинаков, можно сделать вывод о полупроводниковой природе окисных пленок, образующихся на олове, й локализации в них, в области анодных потенциалов, основного скачка потенциала. [c.50]

Этот окисный полупроводник применяется главным образом в термосопротивлениях (термисторах) объемного типа, медномарганцевых (тип ЛШТ), у которых удельное сопротивление находится в пределах ом-см в зависимости от соотношения окислов Си,О и МП3О4 и кобальт-марганцевых, отличающихся меньшим диапазоном номинальных сопротивлений и несколько большим значением ТКд. [c.253]

Эпитаксиальный рост не происходит и в том случае, если поверхность катода покрыта полупроводящими пленками масла, окисла, сульфидов и т. п. Это может иметь место при плохой предварительной обработке подложки, при загрязнении гальванической ванны или когда на таких металлах, как нержавеющая сталь, алюминий, титан и т. д. после их промывки вновь быстро образуются окисные пленки. Слабая адгезия электролитических осадков при неэпитаксиальном осаждении используется в гальванопластике с целью облегчения отделения осадка от подложки. При нанесении гальванических покрытий на полупроводники нли диэлектрики важно обеспечить и механическое сцепление типа ласточкин хвост (по методике подготовки неметаллических подложек). Для легко пассивирующихся сплавов разработаны методики, подобные используемым при осаждении покрытий на нержавеющей стали и алюминии (см. выше). Иногда даже при применении специальных методов некоторое количество окислов сохраняется на поверхности и электролитическое покрытие закрепляется на подложке только на небольших участках эпитаксиального осаждения. В этом случае существует опасность получить отслаинанне покрытия. Термические напряжения или даже сравнительно слабая шлифовка могут привести к отслоению на несцепленных участках границы раздела. Адгезию можно улучшить путем отжига детали после электроосаждення. При этом окисел, находящийся на границе раздела, растворяется в одном или обоих металлах или диффундирует к границам зерен, а сплавление металлов на границе раздела приводит к [c.343]

Медленные электронные состояния межфазной границы (МСГ). Эта фуппа состояний наиболее типична для реальных поверхностей полупроводников, находящихся в контакте с атмосферой. В присутствии адсорбированных молекул концентрация МСГ может достигать 10 —10 см , что на несколько порядков выше концентрации быстрых состояний (БС). При отсутствии заметного заряда в окисной пленке заряд МСГ часто определяет суммарный заряд поверхности Qs- Как уже упоминалось в п.2.4.2, характеристическое время релаксации заряда в МСГ колеблется от секунд до часов и сильно зависит от природы и концентрации адсорбированных молекул. Многочисленные эксперименты по заряжению различных полупроводников при адсорбции широкого круга донорных и акцепторных молекул показывают, что по крайней мере значительная часть МСГ имеет адсорбционное происхождение (АПЭС). [c.192]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...