Стеклообразные полупроводники

Стеклообразные полупроводники могут быть изготовлены как в виде объемных образцов методом охлаждения расплава, так и в виде тонких пленок, получаемых различными методами вакуумного напыления. [c.11]

Из каких химических элементов состоят халькогенидные стеклообразные полупроводники [c.22]

Неорганические стекла обладают во многих случаях полупроводниковыми свойствами. Теория аморфных полупроводников указывает, что при плавлении кристаллов нарушается только- дальний порядок симметрии, ближний же порядок сохраняется. Энергетический спектр стеклообразного полупроводника состоит также из зон, как и у кристаллического, но из-за разупорядоченного строения происходит расширение валентной и свободной зон и сужение запрещенной зоны. В отличие от обычных стекол с преобладанием ионной проводимости стеклообразные полупроводники обладают чисто электронной проводимостью. [c.192]

Были исследованы зависимость чувствительности материала от температуры и ЧКХ. Максимальное значение дифракционной эффективности 20% достигалось при считывании на волне длиной 632,8 нм. Высокая дифракционная эффективность и высокая разрешающая способность записи на халькогенидных стеклообразных полупроводниках привели к более широким исследованиям этих материалов. [c.137]

Пленки большинства халькогенидных стеклообразных полупроводников имеют хорошую адгезию к оксидному стеклу и слюде. [c.139]

Стеклообразные полупроводники 166—167 Составляющие светового поля 48 [c.302]

Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) 137—144 [c.302]

Она и не про столь важную сейчас оптику неупорядоченных материалов и не про явления переноса в них, хотя в ней и есть два параграфа, посвященные теории явлений переноса в жидких металлах и прыжковой проводимости в неупорядоченных полупроводниках. С многочисленными (уже ) приложениями аморфных и стеклообразных полупроводников эта книга тоже никак не связана. [c.5]

Использование стеклообразных и аморфных полупроводников для изделий электронной техники определяется относительной простотой их получения, низкой стоимостью и набором определенных электрофизических свойств. Так, на примере аморфного кремния в книге описывается, как можно не только получать 99 %-ную экономию дорогостоящего полупроводникового материала, но и значительно улучшать технические характеристики полупроводниковых преобразователей солнечной энергии (солнечных батарей). [c.3]

СТЕКЛООБРАЗНЫЕ И АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ [c.11]

Халькогенидные стеклообразные полупроводники менее чувствительны к введению в них примесей. Это связано с особеннностя-ми химических связей в этих материалах. В то же время исследования последних лет дают основание говорить о возможности изменять спектр локальных состояний в запрещенной зоне этих полупроводников путем введения примесных атомов. [c.367]

В некоторых стеклообразных полупроводниках переход в вы-сокопроводящее состояние может быть осуществлен под действием света. Это открывает большие возможности для использования их. в области печати. Из аморфного полупроводника с таким запоминаемым переключением можно изготовить постоянную матрицу и сделать с нее неограниченное число электрофотографических отпечатков без необходимости добавочного экспонирования. Вообще,, одной из наиболее перспективных областей использования некристаллических полупроводников является область получения изображения. [c.371]

В зависимости от химического состава стеклообразные материалы могут быть диэлектриками, полупроводниками и проводниками. Типичными представителями стеклообразных полупроводников являются халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП), которые представляют собой сплавы халькогенов — элементов шестой группы периодической системы (серы 5, селена 5е или теллура Те) с элементами пятой (мышьяк Аз, сурьма 5Ь) или четвертой (кремний 51, германий Ое) групп. К этим же материалам относят элементарный халькоген — стеклообразный селен. [c.12]

Пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников применяют для создания элементов памяти в микросхемах перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств ЭВМ, передающих телевизионных трубок (видиконов), фоточувствительных сред для записи оптической информации, а также в качестве неорганических фото- и электронных резистов при производстве изделий микроэлектроники. [c.12]

В данной главе рассматриваются оксиды, сульфиды, сслениды, теллу-риды, стеклообразные полупроводники, соединения А — В , А — В , составы Ge — Si и люлп1нофоры. [c.187]

В атомной структуре аморфных твёрдых тел (стёклах, аморфных металлах и сплавах, аморфных и стеклообразных полупроводниках) наблюдаются области размером с аномальным взаимным расположением и нлотиостыо атомов, обладающие собств. внутр. напряжениями, избыточным объёмом, подвижностью, т. е. рядом свойств точечных Д. и дислокаций. [c.597]

В теории неупорядоченных систем используется обобщённое определение 3. з, как области энергии, в к-рой плотность состояний либо равна О, либо отлична от О лигаь в отд. точках, где она имеет особенности типа дельта-функции (этим точкам отвечают дискретные уровни, т. е. локализованные электронные состояния). Определяемую таким образом 3. з. называют также щелью подвижности (см. также Аморфные и стеклообразные полупроводники). [c.52]

Расположение атолюв в жидкостях и аморфных веществах нельзя считать некоррелированным. Радиальная ф-ция распределения, описывающая ср. число соседей на заданном расстоянии от случайно выбранного атома, имеет в этих веществах неск. чётко выраженных максимумов, отражающих корреляцию в расположении соседей в пределах неск. координац. сфер. На больших расстояниях максимумы исчезают. Ближний порядок определяется взаимодействием соседних атомов и зависит от характера связи между ними. Напр., в ряде аморфных металлов ближний порядок хорошо описывается в рамках модели твёрдых шаров со случайной плотной упаковкой. Простейшую реализацию этой модели можно получить, если положить в банку большое кол-во одинаковых твёрдых шаров, потрясти их, а затем сдавить. Ср. число ближайших соседей в такой модели близко к 12. Для атомов с ковалентным типом связи (типичные полупроводники) характерна фиксация углов между связями. Так, в аморфных Ge и Si (см. Аморфные и стеклообразные полупроводники) четыре ближайших соседа расположены в вершинах тетраэдра, в центре к-рого находится исходный атом, т. е. точно так же, как в соответствующих кристаллах. Однако, в отличие от ковалентных кристаллов, соседние тетраэдры повёрнуты друг относительно друга на случайные углы, так что дальний порядок отсутствует. [c.342]

Термин переключение возник в связи с обнаружением быстрого (10 с) и большого (4-го порядка) изменения проводимости халькогеннд-ных стеклообразных полупроводников (ХСП) сложного состава фас.). П. э. в ХСП впервые наблюдались в 1961—62 А. Д. Пирсоном (А. D. Pearson), Б. Т. Ко- [c.558]

В некристаллич. и жидких П. примеси ведут себя иначе, чем в кристаллических. Отсутствие кристаллич. структуры приводит к тому, что примесный атом иной валентности, чем замещае 1ЫЙ, может насытить своя валентные связи, так что ему будет невыгодно присоединять лишний электрон или отдавать свой электрон. В результате примесный атом оказывается электрически неактивным. Это обстоятельство не позволяет. менять путём легирования тип проводимости, что необходимо, вапр., для создания р — п-переходов, Нек-рые аморфные П. изменяют электронные свойства под действием легирования, но в значительно меньшей степени, чем кристаллич. П. Чувствительность аморфных П. к легированию может быть повышена технол. обработкой. Насыщение аморфного 81 водородом и последующее легирование донорами или акцепторами обеспечивает п- или р-тип проводимости. Таким способом по-лзч1ен р — -переход в плёнках аморфного 8г, аморфный 8[ стал перспективны.м материалом для солнечных батарей (см. Аморфные и стеклообразные полупроводники, Жидкие полупроводники). [c.38]

ЦРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — низкотемпературный механизм проводимости в полупроводниках, при к-ром перенос заряда осуществляется путём квантовых туннельных переходов ( прыжков ) носителей заряда между разл. локализованными состояниями. Прыжки сопровождаются поглощением или излучением фононов. Наиб, изучена П. п. в слаболегированном кристаллич. полупроводнике, где происходит туннелирование между примесными электронными состояниями, а также в аморфных и стеклообразных полупроводниках, в к-рых носители заряда туннелируют между локализов. состояниями хвоста плотности состояний в квазизапре-щённой Зоне. [c.170]

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ (фоторезистивный эффект)— изменение электропроводности среды, oбy JЮвл ннoe действием эл.-магн. излучения. Ярко выражена в полупроводниках и диэлектриках. Впервые наблюдалась У. Смито.м (W. Smith, 1873) в аморфном Si (см. Аморфные и стеклообразные полупроводники). Ф. возникает из-за изменения либо концентрации носителей заряда (концентрационная Ф.), либо их подвижности под действием излучения (см. Подвижность носителей заряда). В зависимости от механизма поглощения излучения различают Ф. собственную, примесную и внутризонную. [c.355]

Величина диполь-дипольного взаимодействия парамагн. ядер изменяется в зависимости от ориентации магн. поля На относительно кристаллографич. осей. Изучение этой анизотропии даёт возможность определить взаимную ориентацию спинов ядер, расстояния между ядрами, характер и симметрию ближайшего окружения парамагн. центра, а также исследовать структурные дефекты кристаллов. При взаимодействии большого числа парамагн. ядер анализ сложных спектров ЯМР осуществляют с помощью т. н. второго момента спектральной линии, к-рый при взаимодействии одинаковых ядер описывается ф-лой Ван Флека [1, 2]. Второй момент определяется среднеквадратичной величиной локальных магн. полей, созданных на ядре всеми др. ядерными диполями. Каждая структурная модель характеризуется определ. значениями величины второго л омента, что успешно применяется при анализе структуры стеклообразных полупроводников. Существуют программы Для расчёта на ЭВМ вторых моментов линий ЯМР по структурным моделям для монокристаллов произвольной сингонии [9 ]. [c.678]

Значительный интерес представляет использование халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) для записи оптической информации без последующего проявления. В работе М. Т. Костышина [45J впервые продемонстирована возможность регистрапии голограмм на системе халькогенидный стеклообразный полупроводник — металл. [c.137]

Как известно, халькогенидные стеклообразные полупроводники используются в передающих телевизионных трубках типа видикон, электрографических и других преобразующих устройствах. При работе с видиконами нетрудно заметить, что при воздействии света большой интенсивности появляется остаточное изображение вследствие изменения прозрачности аморфного свето- [c.137]

Оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников, с точки зрения записи оптической информации, представляют наибольший интерес. Как уже было сказано, при облучении ХСП наблюдаегся изменение пропускания материала, обусловленное сдвигом полосы поглощения. Сдвиг происходит в результате определенных изменений, происходящих в структуре ХСП. Кроме пропускания материала, изменяется показатель преломления. Записанная на ХСП информация стирается при нагревании до температуры, близкой к температуре размягчения. Возможно также стирание записи импульсным излучением мощного лазера. [c.139]

Селениды Va подгруппы. AS2Se3 склонно к стеклообразованию, оно принадлежит к полупроводниковому стеклообразователю и является основой так называемых стеклообразных полупроводников. Селениды сурьмы и висмута являются полупроводниками. Они имеют умеренные температуры плавления —612°С для Sb2Ses и 706°С для BI2Se3 применяются для изготовления термоэлементов. [c.37]

Б. Т. Коломийцем с сотрудниками было показано, что халькоге- видные стеклообразные полупроводники в жидком состоянии являются жидкими полупроводниками. Исследования по жидким и стеклообразным полупроводникам в 60-х годах дополняются исследованиями в области жидких металлов, которые проводились главным образом английской группой физиков во главе с Дж. Займаном. Благодаря этим работам шкала физических объектов, на которых базируется физика неупорядоченных систем, становится полной и простирается от близких к диэлектрикам халькогенидных стеклообразных полупроводников до металлов. Это обстоятельство, казалось бы, позволяло охватить проблему электронной проводимости в неупорядоченных системах в целом. Однако на первом этапе исследований эта задача оказалась невыполнимой. Обилие проблем в узких областях требует многих усилий. Идет процесс интенсивного накопления экспериментального материала. [c.6]

В световодных системах с частотным уплотнением каналов могут быть переменены гибридные оптические интегральные устройства. Для улучшения эффективности согласования излучателей и волокна с канальными волноводами в ниобате лития предлагается использование халькогенидных стеклообразных полупроводников, протонный обмен в титандиффузные слои (Т1РЕ-волноводы), кремниевые матрицы с V-образными канавками. Развитие методов эпитаксиального наращивания волноводов на основе соединений типа А В [c.155]

При рассмотрении таких систем, как сплавы замещения (гл. 9), жидкие металлы (гл. 10) и стеклообразные полупроводники (гл. И), которым свойственно относительно плотное размещение атомов в пространстве, нам обычно удавалось воспользоваться свойством атомистичности полной потенциальной энергии (см. 2.1). Даже в случае топологически неупорядоченной системы при рассмотрении поведения Т (г) в большей части объема образца все еще можно было использовать слабое ячеечное приближение (2.2). Это представляется очевидным, если величина Гу не намного превышает геометрический радиус атомной твердой сферы , а. Тогда каждая ячейка вещества порождает как раз потенциальную энергию V (г) (ср. с 10.3). Однако зта аппроксимация остается в силе и для атомных потенциалов с большим радиусом действия, при условии, что концентрация атомов в данном материале более или менее локально однородна. Так, в частности, обстоит дело в типичных моделях беспорядка в жидкостях (см. 2.11). [c.554]

Оптические регистрирующие среды для однократной записи изготовляют с учетом того физического эффекта, который используется для записи-воспроизведения информации. Наиболее часто используют среды, в которых под действием локального разогрева образуются микроотверстия, микровздутия и т. п. Регистрирующая среда должна иметь достаточно высокий коэффициент отражения для того, чтобы обеспечить приемлемый контраст сигналограммы при воспроизведении. Одним из самых распространенных материалов для рабочих слоев оптических носителей являются теллур и его соединения Те — 5е, Те — 5е — 5Ь, Те —С — За и др. Применяются также титановые соединения и халькогенидные стеклообразные полупроводники. Некоторые вещества под действием кратковременного нагрева переходят из одной структурной фазы в другую без деформаций рабочего слоя. При этом облученные [c.147]

К числу некристаллических полупроводников относятся аморфные полупроводники (а-51, а-Ое, Зе, ЗЬ, Те) жидкие полупроводники (расплавленный Зе, Те, расплавы оксидов, сульфидов, селенидов и теллури-дов некоторых металлов) стеклообразные полупроводники. Наибольшее распространение среди стеклообразных полупроводников получили халь- [c.11]

Введение примесей ие сопровож,яается таким эффектом, как в кристаллах, Атомы примесей в стекле попадают преимущественно в междоузлия ввиду отсутствия Строгого порадка и наличия расширенных междоузлий благодаря этому происходит смещение локальных уровней — донориых в сторону валентной зоны, а акцепторных — по направлению к зоне проводимости поэтому значение уровней и их влияние на проводимость сильно падает. -Кроме того, влияние доноров и акцепторов сильно уменьшается благодаря многочисленным локальным уровням, появление которых обусловлено флуктуацнямн в ближней порядке атомов. В стеклах отсутствует примесная проводимость, что объясняется приведенными соображениями. Наряду со стеклами, полученными сплавлением окислов металлов, известны стеклообразные бескислородные полупроводники, именуемые халькогениднымн. Это [c.192]

Использующиеся в практике полупроводники могут быть подразделены на простые полупроводники (их основной состав образован атомами одного химического элемента) и сложные полупроводниковые композиции, основной состав которых образован атомами двух или большего числа химических элементов. В настоящее время изучаются также стеклообразные и жидкие полупроводники. Простых полупроводников существует около десятка, они приведены в табл. 8-2. В современной технике особое значение приобрели кремний, германий и частично селен. Сложными полупроводниками являются соединения элементов различных групп таблицы Менделеева, соответствующие общим формулам (например, Si ), A4 Bv (InSb, GaAs, GaP), A B>v ( dS, ZnSe), a также некоторые [c.230]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...