Несобственные полупроводники

Для иллюстрации на рис.3.10, а-г показаны области захвата электронов и дырок при разных значениях параметра u и поверхностного потенциала. Видно, что для несобственного полупроводника при близких величинах а , и а большую часть запрещенной зоны занимают уровни захвата основных носителей заряда. Увеличение сечения захвата неосновных носителей (дырок в рассматриваемом случае) приводит к расширению области их захвата. Изменение поверхностного потенциала полупроводника вызывает увеличение протяженности области захвата тех носителей заряда, которых становится на поверхности больше. [c.93]

В случае несобственного полупроводника, рассматриваемого в настоящей задаче, электрон, перешедший с донорной примеси, должен либо находиться на одном из компенсирующих центров, либо быть одним из По электронов в зоне проводимости. Таким образом, при равновесии имеем [c.421]

В настоящей задаче продолжается изучение плотностей свободных и локализованных электронов в несобственном полупроводнике, которому соответствует фиг. 16.5.1. [c.422]

Будем различать примесные несобственные) полупроводники (задача 16.5) и полупроводники с собственной проводимостью (задача 16.1) при температуре Т. В примесном полупроводнике ширина запрещенной зоны, отделяющей почти заполненную зону от почти пустой, значительно больше кТ, тогда как в полупроводнике с собственной проводимостью она сравнима с кТ. В первом случае вещество было бы изолятором, если бы не влияние примесей (неизбежно присутствующих в любом веществе), играющих роль источника электронов или дырок. Механизм, при помощи которого это происходит, рассматривается в задаче 19.1, [c.489]

Если температура не равна нулю, то для диэлектриков с очень малой энергетической щелью подобное деление становится менее четким, поскольку тогда в зоне проводимости в результате теплового возбуждения появляются электроны. Такие твердые тела называются -собственными полупроводниками. Если в диэлектрике имеются примеси, они также могут поставлять электроны, легко переходящие при тепловом возбуждении в зону проводимости. В результате такое твердое тело оказывается несобственным полупроводником. Типичные свойства полупроводников обсуждаются в гл. 28. В настоящей главе (которая посвящена только идеальным кристаллам при Г = 0) мы считаем, что все полупроводники представляют собой диэлектрики. [c.7]

ОБЩИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИМЕРЫ ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ТОКА ПРИ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОМ РАВНОВЕСИИ СОБСТВЕННЫЕ И НЕСОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ ЗАПОЛНЕНИЕ ПРИМЕСНЫХ УРОВНЕЙ ПРИ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОМ РАВНОВЕСИИ РАВНОВЕСНЫЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРОВОДИМОСТЬ ЗА СЧЕТ ПРИМЕСНОЙ ЗОНЫ ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В НЕВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.184]

СЛУЧАЙ НЕСОБСТВЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. [c.198]

Если примеси поставляют существенную часть электронов зоны проводимости и (или) дырок валентной зоны, то мы имеем дело с несобственным полупроводником. Из-за наличия таких добавочных источников носителей концентрация электронов в зоне проводимости уже не обязательно должна быть равна концентрации дырок в валентной зоне, т. е. [c.198]

Соотношения (28.24) и (28.23) дают возможность выразить концентрации носителей в несобственном полупроводнике через их значения для собственного [c.198]

Чтобы полностью описать концентрации носителей в несобственных полупроводниках, необходимо определить Ап или [х. Для этого нужно исследовать природу электронных уровней, обусловленных примесями, и статистическую механику заполнения этих уровней при термодинамическом равновесии. [c.199]

Концентрация носителей в полупроводниках II 194—199, 203—209 в неравновесном р— п-переходе II 218, 227 в несобственном полупроводнике II 198, 199 [c.398]

Несобственные операции I 132 Несобственные полупроводники II 186 [c.402]

Проводимость, обусловленная электронами и дырками, возникающими при перебросе электронов из валентной зоны в зону проводимости, называется собственной проводимостью. Большинство других полупроводников относится к типу легированных, т. е. содержат те или иные примесные атомы. Они обладают несобственной или примесной проводимостью, так как их проводимость обусловлена природой и количеством примесей. [c.292]

Приведем количественные оценки величины д в нескольких случаях. Для типичного полупроводника — несобственного кремния -типа (е = 11,9 о = см ) при комнатной температуре д s 0,13 мкм. При увеличении концентрации свободных носителей заряда до о 5-10 см" (такая концентрация свободных электронов характерна для полуметалла висмута) вычисление по формуле (1.8) приводит к значению д = 6 нм для концентрации о = см (металл) — д < 0,1 нм. [c.20]

Значения сопротивления при температурах, при которых еще не достигается собственная область, называются несобственными. В общем случае говорят, что полупроводник является собственным, если его электронные свойства определяются электронами, термически переброшенными из валентной зоны в зону проводимости, и несобственным, если его электронные свойства определяются электронами, попавшими в зону проводимости с примесей (или [c.186]

Отметим также, что если отклонение Ап велико по сравнению с n , то, согласно формуле (28.25), концентрация носителей одного типа фактически равна Ап, а концентрация носителей другого типа меньше примерно в AnlniY раз. Поэтому если основным источником носителей тока являются примеси, то один из двух типов носителей будет доминируюш им. Несобственный полупроводник называется полупроводником г-типа или р-типа в зависимости от того, какой тип носителей преобладает — электроны или дырки. [c.199]

В случае несобственной ионной проводимости Q—энергия иона, необходимая для перескока. Аналогичное выражение определяет несобственную электронную проводимость. Если электронная проводимость обусловлена переходом электронов в зону проводимости, то можно применить элементарную зонную теорию полупроводников, при этом Q /2, где Е — ширина запрещенной зоны. Собственная ионная проводимость требует не только образования, но и перемещения ионов собственной проводимости. Поэтому для двойного соединения Q = Q,72 -f-+ QnePe K. где Qi — энергия, необходимая для образования дефектной пары. [c.452]

СЕГНЕТОЭЛЁКТРИКИ — кристаллич. диэлектрики (полупроводники), обладающие в определённом диана-гоне темп-р спонтанной поляризацией, к-рая существенно изменяется под влиянием внеш. воздействий. Структуру С. можно представить как результат фазового перехода кристалла с искажением структуры (понижением симметрии) из неполярной структуры (пара-электрич. фазы) в полярную (сегнетоэлектрич. фазу). В большинстве случаев это искажение структуры такое же, как и при воздействии электрич. поля на кристалл в неполярной (п а р а э л е к т р и ч.) фазе. Такие С. ваз. собственными, а искажение неполярной структуры связано с появлением спонтанной электрич. поляризации. В ряде С. поляризация возникает как вторичный эффект, сопровождающий перестройку структуры, к-рая не связана непосредственно с поляризацией и не может быть вызвана электрич. полем. Такие С. наз. несобственными. [c.477]

Типичный вид зависимостей а < 5) для полупроводника -типа иллюстрируется рис.2.3. Зависимости для материала />-типа выглядят аналогично, только минимумы проводимости сдвигаются в область положительных У - Так как в слое истощения поверхностные избытки основных носителей отрицательны, поверхностная проводимость в соответствующей области потенциалов также меньше нуля. Чем более несобственным является кpи тaJ л, тем при больших изгибах зон регистрируется минимум поверхностной проводимости. [c.51]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...