Полупроводники полярные

Причина изменения полярности, по-видимому, заключается в образовании непроводящ,их пористых осадков гидроксида цинка или основных солей цинка в условиях, когда цинк является анодом по отношению к железу, и в образовании оксида цинка, когда цинк является катодом [15]. Последнее соединение является полупроводником с электронной проводимостью. Следовательно, в аэрированной воде пленка ZnO может работать как кислородный элект-> род, чей потенциал, как и в случае прокатной окалины на стали, положителен по отношению к цинку и железу. Соответственно, [c.237]

ЭТОМ основные носители заряда в р- и п-полупроводниках, имеющие наибольшую энергию, получают возможность проникать через обедненный слой в области, где они оказываются неосновными носителями заряда и рекомбинируют. Такое направленное движение носителей заряда является электрическим током, и можно сказать, что электронно-дырочный переход при такой полярности внешнего напряжения будет открыт и через него потечет прямой ток. [c.282]

В табл. 1 приведены характеристики и энергии связи экситонов для нескольких полупроводников, рассчитанные по этим простым формулам Как нетрудно видеть, в случае кремния и германия водородоподобная волновая функция экситонов распространяется на много элементарных ячеек решетки (расстояние между атомами в кристалле составляет примерно 3 А), чем и оправдывается использование эффективных масс и зарядов. Но в некоторых полярных полупроводниках экситоны имеют малые боровские радиусы, и в этих случаях приближение эффективной массы оказывается не столь хорошим. (Дополнительное усложнение в таких прямозонных полупроводниках обусловлено тем, что имеет место сильная связь экситона [c.131]

В сварочной технике используются твердые выпрямители. Они состоят из трех слоев. Первым слоем служит металл с большим числом свободных электронов. Второй, так называемый запирающий или изоляционный слой, не имеет свободных электронов. Третий слой—полупроводник с небольшим числом свободных электронов. При наличии на крайних слоях разности потенциалов в запирающем слое возникает сильное электрическое ноле, которое способствует вырыванию свободных электронов из прилегающих к нему слоев. Если металлу с большим числом свободных электронов сообщить отрицательный заряд, а металлу с небольшим числом свободных электронов — положительный, то из первого металла будет вырвано значительное число электронов и в цепи станет проходить электрический ток от второго металла к первому. При обратной полярности число электронов, вырванных из второго металла, будет невелико и тока в цепи практически не будет. [c.37]

В зависимости от полярности приложенного внешнего напряжения и от типа электропроводности полупроводника его приповерхностный слой будет обедняться или обогащаться свободными носителями заряда. [c.81]

Экспериментальная кривая зависимости изменения поверхностной удельной электрической проводимости полупроводника от значения внешней разности потенциалов приведена на рис. 11.3. При полярности внешней разности потенциалов, соответствующей обогащению приповерхностного слоя основными носителями заряда, с увеличением напряженности внешнего электрического поля проводимость приповерхностного слоя увеличивается. Поэтому Д7 положительно и растет. При обратной полярности у с увеличением напряженности внешнего [c.81]

Полупроводниковыми выпрямителями являются системы, содержащие полупроводник, обладающие резко различным электросопротивлением при изменении полярности приложенного к ним напряжения. [c.298]

Полупроводниковыми выпрямителями являются системы с участием полупроводника, обладающие резко различным сопротивлением при изменении полярности приложенного к ним напряжения. Детекторами называют высокочастотные выпрямители, отличающиеся малой собственной емкостью. [c.320]

Выбор полярности у острия связан со многими факторами типом полупроводника (с дырочной, электронной или смешанной проводимостью), условиями последующего экспо- пи нирования и др. [c.19]

Эту зависимость называют распределением Больцмана. Она широко используется при рассмотрении энергии в условиях теплового равновесия. Как указывается в 5-1-6, распределение Больцмана представляет собой формулу, аналогичную формуле распределения Ферми — Дирака. Приведенная зависимость играет важную роль при рассмотрении поляризации, обусловленной ориентацией полярных молекул, а также при объяснении парамагнетизма, термоэлектронной эмиссии, электропроводности полупроводников и т. д. (см. 2-4-2, 3-3-3 и задачи 5-18, 5-29). [c.46]

Регуляторы напряжения на полупроводниках при проверке и настройке требуют особой тщательности и внимания к полярности и значениям подводимого напряжения и тока. Порядок проверки каждого БРН обусловлен его схемой и типами применяемых полупроводниковых приборов. [c.46]

Если осуществить переход тока из полупроводника типа р в полупроводник типа п, как показано на рис. 30, и приложить к нему постоянное напряжение, то величина тока через такой переход будет зависеть от полярности приложенного потенциала. Если отрицательный полюс батареи подключен к материалу типа п, то свободные электроны будут двигаться слева направо ло направлению к переходу между полупроводниками разной полярности. Равным образом и дырки в материале типа р будут также перемещаться в сторону перехода, где они станут заполняться свободными электронами из материала типа п. [c.48]

При напряжении обратной полярности наблюдается совсем другой процесс (фиг. 100 в). В этом случае электроны в полупроводнике п движутся по направлению к положительному полюсу источника тока, т. е. удаляются от р—п перехода. В полупроводнике р точно так же движутся и удаляются от р—п перехода дырки. [c.120]

Причина изменения полярности цинка по отношению к железу, очевидно, состоит в образовании пористых осадков 2п(0Н), нли основных солей цинка (изоляторов) в условиях, при которых 2п аноден по отношению к Ре, и возникновении пленки 2пО в тех случаях, когда наблюдается смена полярности [8]. Это соединение, будучи полупроводником, хорошо проводит электроны, и в аэрированных водах пленка 2пО работает как кислородный электрод, потенциал которого (подобно прокатной окалине на стали) более благороден по отношению к 2п и Ре. Поэтому в деаэрированных горячих или холодных водах, в которых кислородный электрод не может функционировать вследствие отсутствия О2, 2п всегда аноден по отношению к Ре. По-видимому, в присутствии НСО и N03 при повышенных температурах легче образуется 2пО, а СГ и 502" способствуют образованию гидратированных продуктов коррозии. [c.191]

Принципы, использованные при этом вычислении, могут быть применены к другим случаям для теории полупроводников наиболее важен случай полярных кристаллов состава М Х , где М — атом металла, а X — электроотрицательный атом. В этих кристаллах могут возникать четыре независимых типа искажения идеального расположения а) в решётке имеются узлы, не занятые атомами металла б) имеются узлы, не занятые электроотрицательными атомами в) имеются внедрённые атомы металла г) имеются внедрённые электроотрицательные атомы. Эти четыре типа дефектов решётки могут появляться в любой из различных возможных комбинаций. В следующих параграфах мы рассмотрим несколько реальных случаев. [c.486]

Полярные полупроводники II 189 Поляроны II 243, 244 [c.406]

Рассмотрим так называемый чисто омический контакт, т. е. контакт металл — полупроводник, вольт-амперная характеристика которого линейна вне зависимости от полярности приложенного напряжения. Омический контакт обладает малым переходным сопротивлением. [c.51]

Рассмотрим полевой транзистор, в котором ток осуществляется электронами. У этого транзистора канал, по которому течет ток, состоит из -полупроводника (рис. 138). На рис. 138 канал расположен между электродом И, называемым истоком, и электродом m, называемым стоком. С боков канала имеются две области с -проводимостью. Совокупность этих двух полупроводников называется затвором. Между истоком и стоком прикладывается высокая разность потенциалов (Уст.и порядка 10-20 В. Между истоком и затвором прикладывается обратная разность потенциалов (7з меньшей абсолютной величины (от — 1 до — 3 В). Если 6epei -ся канал />-типа, а затворы- -типа, то полярность батарей необходимо изменить на обратную. [c.367]

Изменять заряжение поверхностности полупроводника можио> посредством внешнего электрического поля. На рис. 8.34, а приведена принципиальная схема прибора, предназначенного для этой цели. На одну сторону полупроводгтковой пластины П напыляется омический контакт Э, второй электрод М прижимается к противоположной стороне пластины через тонкий слой диэлектрика Д. На электроды подается внешняя разность потенциалов от источника V. Меняя величину и знак потенциалов на электродах Э и М, мо кио б широких пределах изменять величину и знак заряда, индуцируемого на поверхности полупроводника, прижатой к электроду Л]. На рис. 8.34, б показан изгиб зон у поверхности п-иолупроводника и обогащение приповерхностного слоя электронами, вызванное внешним полем и приводящее к повышению иоверхиостиой проводимости полупроводника. При протнвоноложной полярности ноля в приповерхностном слое полупроводника возникает обеднение (рис. 8.34, в) и инверсия (рис. 8.34, г). [c.250]

Др. особенность Д. и. з. в п. определяется наличием носителей двух знаков в полупроводниках с биполярной проводимостью. Объёмный заряд, возникающий при диффузии носителей одного типа, может компенсироваться носителями др. типа. Обычно коэф. диффузии носителей разного знака различны. Поле об г,ёмпого заряда замедляет более подвижные и ускоряет менее подвижные носители. В результате происходит совместное перемещение носителей заряда обоих знаков, имеющее характер диффузии (биполярная, или а мб и полярная, диффузия). Диффузион-пые потоки электронов и дырок при биполярной диф-О90 фузии пропорциональны градиентам концентрации со- [c.690]

МДП-транзисторы могут быть как с нормально открытым, так и с нормально закрытым каналами. МДП-транаистор с нормально открытым, встроенным каналом показан на рис. 3 на примере МДП-транзистора с каналом -типа. Транзистор выполнен, на подложке р-типа. Сверху подложки методами диффузии, ионной имплантации или эпитаксии формируются проводящий канал -типа и две глубокие "-области для создания омич, контактов в области истока и стока. Область затвора представляет собой конденсатор, в к-ром одной обкладкой служит металлич. электрод затвора, а другой — канал П. т. Если между затвором и каналом приложить напряжение, то в зависимости от его знака канал будет обогащаться или обедняться подвижными носителями заряда. Соответственно, сопротивление канала будет уменьшаться или возрастать. В показанной на рис. 3 МДП-структуре с каналом -типа напряжение, плюс к-рого приложен к затвору, а минус — к каналу (истоку или стоку), вызывает обогащение электронами приповерхностного слоя полупроводника под затвором. Обратная полярность напряжения на затворе вызывает обеднение канала электронами аналогично П. т. с управляющим р — -переходом. [c.8]

СЕГНЕТОЭЛЁКТРИКИ — кристаллич. диэлектрики (полупроводники), обладающие в определённом диана-гоне темп-р спонтанной поляризацией, к-рая существенно изменяется под влиянием внеш. воздействий. Структуру С. можно представить как результат фазового перехода кристалла с искажением структуры (понижением симметрии) из неполярной структуры (пара-электрич. фазы) в полярную (сегнетоэлектрич. фазу). В большинстве случаев это искажение структуры такое же, как и при воздействии электрич. поля на кристалл в неполярной (п а р а э л е к т р и ч.) фазе. Такие С. ваз. собственными, а искажение неполярной структуры связано с появлением спонтанной электрич. поляризации. В ряде С. поляризация возникает как вторичный эффект, сопровождающий перестройку структуры, к-рая не связана непосредственно с поляризацией и не может быть вызвана электрич. полем. Такие С. наз. несобственными. [c.477]

ТЕРМОПОЛЯРИЗАЦИОННЫЙ ЭФФЕКТ — поляризация диэлектрика (высокоомного полупроводника) при его нагреве в пост, электрич. поле. Т. э. проявляется в виде изменения тока во внеш. цепи нагреваемого диэлектрика. Ток обусловлен перераспределением подвижных носителей заряда (электронов и ионов) и (или) ориентацией полярных молекул. В основе Т. э. лежит активационная зависимость времени релаксации т поляризации от темп-ры Г [c.96]

Регулятор не регулирует напряжение отсутствует возбуждение генератора, амперметр показывает постоянный разряд. Наиболее типичными причинами данной неисправности являются обрыв цепи электродов силового транзистора ТЗ. обрыв цепи диодов Д2 и ДЗ, нарушение контакта в штепсельном разъеме регулятора или генератора. Менее вероятными причинами являются обрыв цепи элек-ттодов транзистора Т2, пробой переходов транзистора Г/, пробой стабилитрона Д1. При проверке отказавших в работе полупроводников, имеющих оОрывы цепей, их сопротивление равно бесконечности вне зависимости от полярности проверки. [c.59]

Одним из перспективных методов соединения стекол и сапфира с полупроводниками и металлами при температурах, не превышающих 450 °С, является сварка в сшьном электростатическом поле. Соединяемые детали приводят в контакт друг с другом, нагревают любым известным способом до температуры, более низкой по сравнению с температурой размягчения диэлектрика, прикладывают напряжение заданной величины и полярности и определенное время вьщерживают в этих условиях. [c.21]

Устройство, состоящее из двух полупроводников различной проводимости, называется полупроводниковым диодом. Первый квадрант вольт-амперной характеристики полупроводникового неуправляемого диода (рнс. 41) характеризует работу диода в прямо.ч направлении при этом приложенное к диоду напрн >кение в прямом направлении 6 р = С , вызывает увеличение прямого тока / р через р —/1-переход. Третий квадрант характеризует работу диода в обратном направлении, когда прн изменении полярности напряжения питания иоо = Ь пт проводимость р — -перехода уменьщается и через него протекает обратный ток / бр. Обратный ток зависит от температуры окружающей среды и приложенного обратного напряжения. При достижении равенства обратного напряжения 11об, напряжению пробоя ищ.ой в р — / -переходе полупроводникового диода происходит увеличение выделяемой мощности. Это приводит к увеличению его температуры и повышению концентрации неосновных носителей, что вызывает резкое увеличение значения обратного тока /о-з и пробой диода. Значение максимального обратного напряжения диода О с.ср а, приведено в паспортных данных на полупроводниковые диоды оно составляет 60 % напряжения пробоя (Урроб при заданной температуре окружающей среды. [c.53]

Основной вклад во внутризонное поглощение в объемных полупроводниках дают переходы электронов с рассеянием на фононах и примесях. В квантовых ямах присутствует также рассеяние на несовершенствах интерфейсов (границы раздела), образующих квантовую яму (например, на границах СаАз/АКЗаАз в структурах АЮаАз/ОаАз/АЮаАз). Эти механизмы рассеяния дают различный вклад в поглощение для разных температур и разных участков спектра. Мы ограничимся описанием внутриподзонного поглощения света 1фи рассеянии на полярных оптических фононах. относительная роль которого обычно достаточно велика. [c.74]

Обшие основы. Су цествует два типа полупроводников одни содержат примеси, а другие их не содержат. Многие полярные соли, такие как окись цинка, принадлежат к обоим классам. Нас будут интересовать главным образом чистые полупроводники, поскольку экспериментально их свойства изучены более систематически, чем свойства полупроводников с примесями. [c.483]

Напряжение не регулируется, амперметр показывает разряд. Наиболее частыми причинами такой неисправности являются обрыв выводов транзистора Гз, диода Дг, нарушение контакта в штепсельном разъеме регулятора пли генератора. Реже наблюдаются обрывы электродов трап нстора Гг, пробой переходов транзистора Г), пробой стабилитрона Дь При проверке омметром отказавших в работе полупроводников, имеющих обрывы цепей, их сопротивление будет бесконечным при любой полярности подключения прибора. [c.59]

Если же шероховатая поверхность к тому же покрыта физически ощутимым слоем оксида, то сумма (1.63) усложняется еще двумя слагаемыми сопротивлением материала самой оксидной пленки Гпл и полярным сопротивлением границы оксид — металл Ггрт- Эта последняя составляющая полярна по той причине, что каждый оксид — это полупроводник, и на границе его с чистым металлом создается электронно-дырочный переход. Мало того, если где-то в плоскости контакта возник островок расплавленного металла, то и граница жидкого металла с твердым тоже представляет собой полярное электрическое сопротивление. Всякая граница структурно различных объемов в металле, а также граница химически различных веществ является физическим контактом. Само собой разумеется, что количественный учет сопротивлений пл. грт и других граничных сопротивлений очень сложен и теоретическим расчетам вообще не поддается. К счастью, расчеты этих сопротивлений практически не нужны. Однако помнить о существовании этих сопротивлений необходимо, поскольку значительный элемент нестабильности электрических, сопротивлений холодных контактов обусловливается именно оксидными и адсорбционными наслоениями на контактирующих поверхностях. [c.49]

Смотреть страницы где упоминается термин Полупроводники полярные : [c.537] [c.44] [c.177] [c.261] [c.472] [c.93] [c.156] [c.475] [c.126] [c.74] [c.322] [c.281] [c.175] [c.146] [c.127] [c.715] [c.113] [c.162] [c.431] [c.189] [c.70]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...