Транзистор МОП (металл-окисел-полупроводник)

Рассмотрим теперь логические схемы на МОП-транзисторах. Полевой транзистор со структурой металл — окисел — полупроводник (МОП) представляет собой прибор, управляемый напряжением. [c.11]

Использование эпитаксиальных пленок в электронной промышленности позволило существенно улучшить характеристики туннельных и лазерных диодов, разработать технологию получения транзисторов с высоким коэффициентом усиления на высоких частотах, мощных и высоковольтных транзисторов. На применении эпитаксиальных слоев основано производство таких приборов, как планарные полевые транзисторы, выполненные на структуре металл-окисел-полупроводник с изоляцией У-образными канавками (У-МОП). Эпитаксиальные структуры также используются для улучшения характеристик памяти с произвольным доступом и комплементарных интегральных МОП-схем. Новые перспективы в технике открыло применение эпитаксиальных гетероструктур, создание которых другими методами затруднено, в полупроводниковых приборах (например, для изготовления инжекционных лазеров). Кроме того, эпитаксия дает возможность получения многослойных структур со свойствами каждого слоя, практически не зависящими от свойств предыдущего слоя. Это открывает широкие возможности для разработки качественно новых типов электронных приборов. [c.322]

Транзисторные ключи имеют малое прямое сопротивление в замкнутом состоянии и требуют меньшего тока управления. Наиболее перспективными аналоговыми ключами являются полевые транзисторы (простота управления, отсутствие остаточного напряжения, полная изоляция управляющей цепн от коммутируемой). Наилучшие характеристики имеют полевые транзисторы со структурой металл — окисел — полупроводник (МОП-транзисторы). [c.236]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...