Рекомбинационное излучение в полупроводниках

РЕКОМБИНАЦИОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.313]

Межзонное рекомбинационное излучение. Выше отмечалось, что поглощение света полупроводником может привести к образованию электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Если межзонный переход является прямым, то волновые векторы этих носителей заряда одинаковы к —к. Образовавшиеся свободные носители заряда участвуют в процессах рассеяния, в результате чего за время релаксации —10 с) электрон опускается на дно зоны проводимости, а дырка поднимается к потолку валентной зоны. При их рекомбинации генерируется фотон, т. е. возникает излучение света. Переходы электронов из зоны проводимости в валентную зону могут быть прямыми и непрямыми (так же как переходы при поглощении света). Прямой излуча-тельный переход изображен на рис. 9.7. [c.314]

Две другие грани контактируют с токоподводами. Площадь р—п перехода составляет примерно 0,1 см . Действие полупроводникового диода основано на использовании рекомбинационного излучения, возникающего за счет возбуждения электронов и дырок в полупроводнике при прохождении тока через р—п переход при подаче с.мещения иа диод в прямом направлении. Рекомбинационное излучение возникает при прохождении носителей заряда в р—п переходе, что создает неравновесное распределение носителей заряда. При малых плотностях тока возбуждается, а затем рекомбинирует только небольшая часть носителей, а сам процесс происходит случайно. [c.30]

Толщина активной (или рекомбинационной) зоны 1 очень мала, и в случае лазера на переходе в полупроводнике она обычно оказывается меньше поперечного размера моды излучения й (рис. 5.40). Поэтому сечение лазерного пучка частично захватывает поглощающие р- и и-зоны, прилегающие к активной области. Например, в ОаАз-лазере (X 0,84 мкм) / 1 мкм, ас 2—5 мкм. [c.224]

Если излучение полупроводника возникает в результате непосредственной рекомбинации электрона с дыркой или рекомбинации через локальный центр, то излучение называют рекомбинационным. Вещества, обнаруживающие рекомбинационную люминесценцию, называют кристаллофорами шш просто фосфорами. Практически все типичные фосфоры являются полупроводниками. [c.73]

Излучение света при рекомбинации. Наряду с поглощением в полупроводниках наблюдается также и обратный процесс — излучение света при переходах неравновесных носителей из одной зоны в другую, а также при переходах на уровни примесей и дислокаций. При это.м наблюдается и.злучение, обусловленное как вертикалышми, так и невертикальнылш переходами с участием фононов. Доля излучательной рекомбинации велика в полупроводниках с узкой запрещенной зоной, таких как 1п8Ь. Этот вывод справедлив для малых нарушений равновесия (малые уровни инъекции). Для больших уровней инъекции интенсивное рекомбинационное излучение было получено в СаА — полупроводнике с широкой запрещенной зоной [15]. Явление излучательной рекомбинации в полупроводниках может быть использовано для усиления и генерации инфракрасного света. Подробные сведения об этом явлении приведены в [3, 12, 13, 14]. [c.525]

Вероятность межзоиной рекомбинации и излучательных переходов зона — примесь растет с увеличением (до определенного предела) степени легирования полупроводника, что также используется при изготовлении светодиодов. Рис. 12.12. Схема оптронной Спектральный состав рекомбинацион- ного излучения определяется распреде- [c.332]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...