Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках

Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках [c.278]

Гальваномагнитными эффектами в полупроводниках называ ются такие явления, которые возникают при одновременном дейст вии на полупроводник электрического и магнитного полей. [c.278]

Все гальваномагнитные эффекты делятся на поперечные (действие электрического и магнитного полей обнаруживается на гранях полупроводника, параллельных электрическому и магнитному полям) и продольные (проявляются вдоль образца). [c.278]

Гальваномагнитные преобразователи. Гальваномагнитные эффекты наблюдаются при движении зарядов в проводнике или полупроводнике, находящемся в магнитном поле, и проявляются в возникновении ЭДС Холла, увеличении сопротивления, а также изменении свойств р— -переходов [3]. [c.206]

У полупроводников анизотропия зонной структуры означает, что эффективная масса зависит от направления и возможные эквивалентные экстремумы лежат в разных точках зоны Бриллюэна (при всех ife-векторах звезды, ср. с рис. 40). Следствия этой анизотропии подробно рассмотрены в уже цитированной книге [95]. В металлах анизотропия означает отступление формы поверхности Ферми от сферической, как, например, рассмотренная нами на рис. 33. Один из наиболее важных результатов влияния этой анизотропии наблюдается в гальваномагнитных эффектах у металлов при сильных магнитных полях. Очевидно, что при слабых магнитных полях электрон между двумя столкновениями пробегает только небольшие участки поверхности Ферми, тогда как при сильных магнитных полях описывает замкнутые траектории на поверхности Ферми. Время пробега по порядку величины равно обратной частоте циклотронного резонанса. Граница между сильными и слабыми магнитными полями лежит, следовательно, при о) т=1 или, так как (о = еВ/ст и [х ет/т, при (1/с) fiS=l. [c.244]

Гальваномагнитные эффекты не исчерпываются приведенными эффектами Холла и Эттингсгаузена. Кроме того, существуют еще термомагнитные эффекты, т. е. эффекты, возникающие в присутствии градиента температуры и магнитного поля. Однако наибольшее практическое значение имеют рассмотренные эффекты Холла и Эттингсгаузена. Сведения об остальных эффектах можно найти практически в любом учебнике по физике полупроводников. [c.271]

Поверхностные гальваномагнитные эффекты изучались также в вырожденных полупроводниках в германии, легированном золотом [58], и в РЬЗе [59]. В германии, легированном золотом, не было найдено никакого противоречия с предположением = 0. В вырожденном же РЬЗе была обнаружена высокая степень зеркальности. Катрич и др. [58] распространили теорию Шриф- фера на случай вырожденных полупроводников, предположив,, однако, постоянство электрического поля в ОПЗ. Недавно разработанная Грином [62] количественная теория, использующая точное решение уравнения Пуассона в приближении Ферми— Томаса и содержащая некоторые другие усовершенствования, будет описана в 5. [c.114]

МАГНИТОРЕЗИСТЙВНЫЙ ЭФФЕКТ, изменение электрич. сопротивления ТВ. проводников под действием внеш. магн. поля JHГ. Различают поперечный М. э,, при к-ром электрич. ток I течёт перпендикулярно магн. полю Н, и продольный М. э. (/II ДГ). Причина М. э.— искривление траекторий носителей тока в магн. поле (см. Гальваномагнитные явления). Относительное поперечное изменение сопротивления Дp/p)J при комнатных темп-рах мало у хороших металлов (Др/р) 10- при Н - 10 Э. Исключение —В1 у к-рого (Др/р) [ 2 при Я—3 10 Э, Это позволяет использовать его для измерения магн. поля (см. Магнитометр). У полупроводников (Др/р) 10 2—10 и существенно зависит от концентрации примесей и от темп-ры, напр, у достаточно чистого Ое (Дp/p)J 3 при Г- 90 К и Я=1,8-10 Э. [c.383]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...