Вольтамперные характеристики полупроводников

Рис. 91. Вольтамперная характеристика полупроводника

При повышении нап]ряжения, приложенного к полупровод-ввку, величина тока в нем возрастает значительно быстрее напряжения (рис. 91), т. е. наблюдается нелинейная зависимость между током и напряжением. Если при перемене напряжения U на обратное (— /) изменение тока в полупроводнике имеет такой же характер, но в обратном направлении, то такой полупроводник обладает симметричной вольтамперной характеристикой. В полупроводниковых выпрямителях подбором полупроводников с разного типа электропроводностью (п-типа и р-типа) добиваются несимметричной вольтамперной характеристики (рис. 92). В результате этого при одной полуволне переменного напряжения полупроводниковый выпрямитель будет пропускать ток. Это ток, протекающий в прямом направлении / р, который быстро возрастает с повышением первой полуволны переменного напряжения. При воздействии же второй полуволны напряжения система двух полупроводников (в плоскостном выпрямителе) не пропускает тока в обратном направлении /обр-Очень незначительная величина тока /pgp протекает через р-п-пере-хбд вследствие наличия в полупроводниках неосновных носителей тока (электронов в полупроводнике р-типа и дырок в полупроводнике л-типа). Причиной этого является большое сопротивление пере- [c.308]

Туннельные диоды. Действие туннельных диодов основано на наличии падающего участка на вольтамперной характеристике р—п-переходов, изготовленных из вырожденных полупроводников (р порядка 10" —10ом-см) (рис. 6). Т. к. туннельный механизм переноса тока (см. Туннельный эффект), [c.122]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...