Полупроводники коэффициент захвата

Можно показать, что в условиях квазиравновесия заполнение рекомбинационных центров электронами не определяется положением квазиуровней Ферми Р или Рр (в отличие от центров захвата — см. п.3.5.3). В качестве примера рассмотрим полупроводник л-типа (я >> р). Предположим, что энергетический уровень объемного центра рекомбинации совпадает с /, т.е. п = р = л а коэффициенты захвата электронов и дырок равны (а = ар). Поскольку энергетический уровень центра расположен значительно ниже равновесного уровня Ферми (я >> п ), то в равновесии центры полностью заполнены электронами ( = 1). Это следует и из соотношения (3.45), которое при сделанных допушениях упрошается /, = п 1[п + р"). При возрастании уровня инжекции величина р растет и в пределе большого отклонения от равновесия (я 5 р ) имеем 1/2. Но при столь высоких уровнях инжекции квазиуровень Ферми для электронов находится значительно выше, а квазиуровень Ферми для дырок — ниже / = Е,. Если бы заполнение рекомбинационных центров определялось положением Р то они должны были бы быть полностью занятыми, а если Рр — пустыми. Таким образом, для описания заполнения электронами центров рекомбинации в условиях квазиравновесия нужно вводить еще один квазиуровень Ферми, расположенный между Рп и Рр. Положение этого квазиуровня зависит не только от уровня инжекции, но и от параметров рекомбинационных центров. [c.99]

Результаты измерений представлены на рис. 11.14, где изображена в логарифмическом масштабе зависимость величины к от параметра I — .l = Vo/vs. Точками указаны экспериментальные значения, сплршная кривая — теоретическая, с учетом зазора в структуре. Как видно, при Л1 < О в структуре существует усилепне отраженных волн, при Л1 > О — их ослабление. В то же время экспериментальная зависимость заметно отличается от теоретической. Основная причина такого различия, по мнению авторов [94], влияние ловушек, которое, как известно [95], приводит к существенному изменению поверхностного импеданса полупроводника и, как следствие, к изменению процесса усиления (затухания) волн по сравнению с рассмотренным выше. Сходное влияние захвата носителей в приповерхностном слое полупроводника на коэффициент усиления рэлеевских волн наблюдалось экспериментально при исследовании усиления рэлеевских волн в слоистой структуре Ь1КЬ08—31 [96]. [c.81]

Дед можно также рассматривать как протонный полупроводник. Мы не хотим подробно обсуждать эту достаточно большую область исследования, которую плодотворно изучали Шеррер и его сотрудники [16, 17], тем более, что мы не анализировали детально их результатов, но нам кажется, что их общие заключения вполне обоснованы. Ограничимся лишь несколькими замечаниями. Некоторые ионы передвигаются особенно хорошо в кристаллах льда НзО" , НО , Р , NH4 . (Относительные растворимости солей во льду точно еще не известны, так как при определении этих величин возникают трудности, связанные, например, с ионным обменом.) Поместим в лед молекулу НР. Эта молекула стремится захватить дефект Бьеррума с положительным зарядом. Поскольку дефекты Бьеррума также подчиняются закону действующих масс вида Св Св =К, концентрация дефектов Бьеррума с отрицательным зарядом будет возрастать, а время диэлектрической релаксации уменьшится. Этим же объясняется то обстоятельство, что температурный коэффициент диэлектрической релаксации во многих случаях для льда с примесями меньше, чем для чистого льда. [c.337]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...