Кристаллы галоидно-щелочных соединений-полупроводников

Кристаллы галоидно-щелочных соединений-полупроводников. Хильш и Поль ) со своими многочислеииыми сотрудниками провели обширные исследования полупроводимости в кристаллах галоиднощелочных соединений эти кристаллы становятся полупроводниками при нагревании их в атмосфере паров соответствующего щелочного металла до тех пор, пока оии не приобретут окраску. Рис. 224 показывает для ряда случаев абсорбционные полосы, появляющиеся при этом в спектрах поглощения. Облучение рентгеновскими и катодными лучами может [c.486]

Полупроводники. В 6 было указано, что имеются два типа полупроводников моноатомные кристаллы, такие, как кремний и селен, которые содержат примеси, и нониые кристаллы либо загрязнённые, либо содержащие излишек одной компоненты против стехномет-рического состава. Средн полупроводников второго тнпа преобладают галоидно-щелочные соединения с Г-цент-рамн, фосфоресцентный сульфид цннка н подобные щёлочно-земельные оксиды н сульфиды. Атомы примесей нлн атомы стехиометрического излишка во всех этих полупроводниках имеют свои собственные характерные полосы поглощения в видимой или ближней ультрафиолетовой областях спектра. В случае природных полупроводников, таких, как кремний и природные сульфиды, имеющих до 1 /д примесей, эта полоса поглощения может давать на лА-кривой, определённой нз отражения, пик настолько значительный, что он может перекрыть основную полосу поглоще 1ия вещества. Например, на рнс. 299 изображены кривые для кремния и природного стибнита, Мо 2. Весьма вероятно, что пики в ближней ультрафиолетовой области появляются благодаря примесям вследствие того, что электроны этих примесей, освобождённые термическим или оптическим путём, делают эти вещества полупроводниками. У большинства искусственных полупроводников, с другой стороны, число атомов включений сравнительно невелико, так что они не дают пиков на лА-кривой такой величины. В этом случае полосы не перекрывают основную область поглощение, однако, может быть обнаружено измерениями при пропускании света через образец. [c.691]

Первые попытки применения квантово-механической теории энергетического состояния электронов в диэлектриках и полупроводниках к интерпретации фотохимических и фотоэлектрических явлений в щелочно-галоидных кристаллах принадлежат П. С. Тар-таковскому [71]. На основе имевшихся в то время экспериментальных данных и общих соображений об энергетических уровнях в кристаллах Тартаковским впервые была построена схема энергетических уровней для ряда щелочно-галоидных соединений с учетом локальных электронных состояний различных центров окраски. Анализируя электронные переходы между различными уровнями энергии кристалла, можно было объяснить ряд оптических и фотоэлектрических свойств окрашенных кристаллов ще-лочно-галоидных соединений с единой точки зрения. Однако в отличие от полупроводников, для которых свет в области их фундаментального поглощения является фотоэлектрически активным, в щелочно-галоидных кристаллах не наблюдается внутреннего фотоэффекта под действием света в области первой полосы собственного поглощения. По этой причине попытки применения зонной теории к толкованию всей совокупности явлений, связанных с собственным поглощением, фотопроводимостью и люминесценцией щелочно-галоидных кристаллов наталкивались на существенные затруднения. Некоторые фундаментальные экспериментальные факты относительно свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов не получили объяснения ни в энергетической схеме Тарта-ковского, ни в подобных более всеобъемлющих схемах, предлагавшихся позднее. В частности, оставалась совершенно непонятной сама возможность образования в кристалле столь устойчивой окраски под действием света или рентгеновых лучей, какая в действительности наблюдается у щелочно-галоидных кристаллов. В самом деле, при образовании в процессе фотохимического окрашивания свободных электронов, локализующихся затем на уровнях захвата, в верхней зоне заполненных уровней энергии должны образоваться свободные положительные дырки. Вследствие диффузии этих дырок в верхней зоне заполненных уровней вероятность их рекомбинации с электронами, локализованными в центрах окраски, должна быть достаточной, чтобы кристалл быстро обесцветился даже в темноте. Между тем, известно, что окраска кристалла весьма устойчива и сохраняется в темноте очень продолжительное время. Возможность локализации положительных дырок в предлагавшихся квантово-механических моделях не рассматривалась. [c.30]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...