Полупроводники антимонида индия

Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [c.154]

При питании X. д. от источника напряжения V эдс Холла где ц — подвижность осн. носителей заряда. Коэф. использования X. д. = где —мощность, потребляемая входной цепью, Р —мощность, выделяемая во внеш. нагрузке поэтому для создания X. д. необходимо использовать полупроводники с высокой подвижностью носителей заряда. К таким материалам относятся германий, арсенид галлия, антимонид индия. [c.414]

По структуре энергетических зон реальные полупроводники делятся на два основных типа. На рис. 7.9 изображена зависимость энергии электрона от волнового вектора в случае, когда экстремумы валентной зоны и зоны проводимости расположены в точке к = 0. Такой конфигурацией зон обладает антимонид индия. Для кремния на рис. 7.10 приведена более сложная зависимость энергии электрона от волнового вектора. Из рисунка видно, что характер кривых зависит от кристаллографического направления. Одному и тому же значению волнового вектора соответствует несколько значений энергии. Наблюдается наличие нескольких экстремумов в зоне. Более глубокий минимум зоны проводимости смещен относительно к = 0. Большинство полупроводников, в том числе и германий, обладает сложной структурой энергетических зон. [c.55]

Разница между полупроводниками и изоляторами чисто количественная и определяется величиной энергетической щели ), отделяющей заполненную зону от незаполненной. В полупроводниках эта щель достаточно мала (порядка электронвольта) и они в обычных условиях становятся сравнительно хорошими проводниками. Таким свойством обладают германий и кремний и различные соединения элементов третьей и пятой групп, такие, как антимонид индия и арсенид галлия. В изоляторах щель достаточно велика (несколько электронвольт) и они не проводят ток. Сюда относятся многие ионные соединения, такие, как хлористый натрий. [c.157]

Совсем недавно нашел важные применения и другой полупроводниковый прибор, основанный на отрицательном сопротивлении. В нем используется открытый Ганном [III эффект, который мы вкратце опишем. Ганн обнаружил, что некоторые полупроводники типа А В , такие, как арсенид галлия или антимонид индия, генерируют микроволновые колебания, если приложить к ним большое постоянное электрическое поле. Это явление открывает простой и непосредственный метод генерации. [c.312]

Ряд соединений индия (окись, сульфид, селенид, теллурид, антимонид, арсенид и др.) являются полупроводниками. Они могут быть использованы в качестве термоэлементов. Так, термоэлементы, изготовленные из арсенида или фосфида индия, способны работать при высоких температурах. [c.429]

Оптические свойства. Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. Это можно сделать в случаях германия, кремния, соединений селена и теллура. На рис. 11.14 в качестве примера приведен край спектра оптического поглощения аморфного кремния, который сравнивается с соответствующим спектром кристаллического кремния. Аналогичные данные получены для аморфного германия, арсенида и антимонида индия и некоторых других полупроводников. [c.367]

По величине запрещенной зоны тела второй группы условно делят на диэлектрики и полупроводники. К диэлектрикам относят тела со сравнительно широкой запрещенной зоной. У типичных из них fg > 3 эВ. Так, у алмаза Eg = 5,2 эВ, у нитрида бора 4,6 эВ, у AI2O3 7 эВ и т. д. К полупроводникам относят тела со сравнительно узкой запрещенной зоной. У типичных из них Eg < 1 эВ. Так, у германия Eg = 0,65 эВ, у кремния 1,08 эВ, у арсенида галлия 1,4 эВ, у антимонида индия 0,17 эВ. Рассмотрим эту группу тел более подробно. [c.154]

Так как в собственном полупроводнике количество электронов Б зоне проводимости должно быть равно количеству дырок в валентной зоне, то, как легко видеть из рис. 6.1, б, уровень Ферми должен располагаться в этих полупроводниках примерно в середине запрещенной зоны (более точно его положение будет определено ниже). В этом случае условие невырожденности (6.1) будет выполнено, если Egl2 > kT, т. е. если Eg> 2 kT. При комнатной температуре kT = 0,025 эВ. Ширина же запрещенной зоны у полупроводников обычно больше 0,1 эВ (она равна г 0,7 эБ у германия, 1,1 эВ у кремния, 1,35 эВ у арсенида галлия, 0,35 эВ у арсеннда индия, 0,177 эВ у антимонида индия и т. д.). Поэтому электронный газ в собственных полупроводниках является невырожденным и подчиняется статистике Максвелла —Больцмана. Этот вывод справедлив и для дырок, находящихся в валентной зоне. [c.160]

В нек-рых полупроводниках, иапр. антимониде индия, подвижность электронов (см. По.гупровод-никовые материалы) очень велика ( 80 ООО), что приводит к настолько сильно выраженному Холла эффекту, что он может служить не только для измерения слабых магнитных полей, но и для создания усилителей элет-рич. колебаний. [c.116]

Гораздо более благоприятны условия для наблюдения квантовых эффектов в полуметаллах и узкозонных полупроводниках, например, висмуте и антимониде индия — веществах, характеризующихся малыми величинами как эффективной массы свободных носителей заряда т = 0,01 то) так и энергии носителей Е = Ю эВ). Длина волны де Бройля в этих материалах Хд = 100 нм, поэтому квантовые эффекты отчетливо проявляются в кристаллах и пленках толщиной 0.0 d = 100—200 нм. [c.40]

Электросопротивление полупроводников обычно сильно зависит от температуры. К числу приборов и устройств, принципы работы которых основаны на свойствах полупроводников, относятся полупроводниковые триоды (транзисторы), многие типы выпрямителей, модуляторов, детекторов, термисторов и фотоэлементов. В этой главе мы рассмотрим главные физические свойства полупроводниковых кристаллов, в частности германия и кремния, Другихми важными кристаллами являются закись меди (СигО), селен (Se), теллурид свинца (РЬТе), сульфид свинца (PbS), карбид кремния (Si ), антимонид индия (InSb), арсенид галлия (GaAs) и графит (С). [c.380]

Несколько слов о названиях и обозначениях. Полупроводниковые соединения элементов А и В, где А — трехвалентный элемент, а В — пятивалентный элемент, обозначаются обычно как соединение АщВу. Примером мол-сет служить антимонид индия и арсенид галлия. Если А — двухвалентный, а В — шестивалент-ный элемент, то соответствующие соединения обозначают как AiiBvi примерами могут служить сульфид цинка и сульфид кадмия. Кремний и германий иногда называют полупроводниками [c.380]

Индий образует соединения с другими металлами, например селеном, теллуром, сурьмой и мышьяком, а также с неметаллическими элементами — кислородом, водородом, азотом, серой, фосфором и галогенами. Многие Из этих соединений, в том числе фосфид, арсенид, антимонид, окись, сульфид, селенид и теллурид индия, являются полупроводниками. В последние годы проведены многочисленные исследования, посвященные изучению этих соединений, особеннофосфида,арсенида и антнмонида иидия. [c.229]

В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки (пространственная группа f43m) Сложные полупроводники типа Aii BV выпускаются промышленностью в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок полупроводников используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупроводник АГ — арсенид галлия, ФГ — фосфид галлия, ГС — аптимоиид таллия, ИМ — арсенид индия, ФИ — фосфид индия, ИС — аптимоннд индия. Справа добавляется буква, обозначаю-ш,ая тип электропроводимости.- Э — электронный, Д- дырочный. Для ар-сенида галлия после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной направленной кристаллизацией, или Ч — для слитков, полученных по методу Чохральского, Далее [c.576]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...