Свойства важнейших полупроводников

Свойства важнейших полупроводников [c.127]

Полупроводниковые соединения могут обладать самыми разнообразными электрофизическими свойствами, в ряде случаев превосходящими свойства простых полупроводников. Рассмотрим наиболее важные для электротехники материалы. [c.350]

Проведенный качественный анализ не исключает влияния иных механизмов переноса тепла и, в частности, экситонного переноса и переноса энергии диссоциации. Окончательный вывод о механизмах переноса можно сделать только после накопления опытных данных по всем важнейшим свойствам расплавленных полупроводников в широком температурном диапазоне. [c.144]

Халькогениды таллия в твердой фазе обладают высокой фоточувствительностью и имеют термоэлектрические свойства, приемлемые для практического использования в полупроводниковых устройствах. Плавление большинства из этих соединений не приводит к суш ественному изменению полупроводниковых свойств характер температурной зависимости электропроводности в жидкой фазе остается типичным для полупроводников [1—4]. Наблюдающаяся в ряде сплавов системы Т1 — Те проводимость ге-типа, крайне редко встречающаяся в проводящих расплавах, позволяет рассматривать соединения таллия с теллуром как перспективный материал для отрицательных ветвей жидких термоэлектрических генераторов. Попытки легирования расплавленных соединений систем Т1 — Se, TI — Те показали принципиальную возможность направленного изменения термоэлектрических свойств расплавленных полупроводников [5—6]. Однако для характеристики расплавленных халькогенидов таллия как возможного материала для жидких термоэлектрических генераторов необходимы сведения о важном параметре — коэффициенте теплопроводности. Этот параметр не только определяет термоэлектрическую добротность материала, но и является одной из важнейших характеристик жидкости, зависящей от ее структуры и характера движения ее структурных элементов. За исключением отдельных данных, для системы Т1 — Те [7] обнаружить в литературе сведения о теплопроводности расплавленных халькогенидов таллия не удалось. [c.34]

Основная цель настоящей работы состоит в обсуждении современного состояния исследований в области жидких полупроводников, которое будет полезным для исследователей, работающих в настоящее время или собирающихся работать в будущем в этой и в смежных областях. Эта книга представляет также автору благоприятную возможность изложить собственную точку зрения на ряд многообещающих подходов к пониманию свойств жидких полупроводников и, как надеется автор, будет стимулировать крайне необходимые исследования этих веществ специалистами, освоившими методы, еще не применяющиеся достаточно широко для изучения жидких полупроводников, такие, как ЯМР и дифракционные методы. Имеется много плодотворных возможностей для проведения важных и интересных работ, которые прежде были скрыты из-за отсутствия достаточно полного источника информации, и настоящая книга, возможно, исправит эту ситуацию. Свойства и природа жидких полупроводников подсказывают много концепций и проблем, являющихся интересными и важными для ученых, интересы которых лежат в области физики и химии конденсированного состояния вещества в настоящей книге эти концепции и проблемы излагаются в форме, приемлемой для читателей, обнаруживающих общий интерес к жидким полупроводникам или просто проявляющих любопытство к данной области исследований. [c.9]

Электронные свойства жидких полупроводников, как и всех конденсированных веществ, определяются физической структурой на атомном уровне. Понять, насколько возможно, такую структуру — в этом состоит важная часть нашей задачи, и для этой цели важным источником информации являются физикохимические данные. Химические факторы также определяют области составов и температур, в пределах которых возможны экспериментальные исследования свойств жидких полупровод-, ников здесь представляется уместным дать обзор этих факторов. [c.49]

Таким образом, у полупроводника в противоположность металлу проводимость не может служить мерой частоты столкновений. Часто бывает полезно выделить в выражении для проводимости сомножитель, температурная зависимость которого отражает только изменение частоты столкновений. Для этого определяют подвижность [х носителя тока, равную отношению дрейфовой скорости, которой он достигает в поле Е, к напряженности поля = [х . Если п — концентрация носителей, а q—их заряд, то плотность тока равна ] = = nqv , и, следовательно, проводимость связана с подвижностью соотношением а = nq i. Понятие подвижности не имеет большого самостоятельного значения при описании металлов, поскольку подвижность в них просто пропорциональна проводимости, причем коэффициент пропорциональности не зависит от температуры. Однако оно играет важную роль при описании полупроводников (или любых других проводников, где концентрация носителей может меняться, например электролитов), позволяя разделить два различных источника температурной зависимости проводимости. Польза понятия подвижности выявится, когда мы станем рассматривать в гл. 29 свойства неоднородных полупроводников. [c.185]

Различие в свойствах металлов, полупроводников и диэлектриков можно понять, если учесть, что электроны в твердом теле (кристалле) располагаются по квантованным энергетическим зонам (состояниям), причем существуют такие области значений энергий, которые не могут быть заняты электронами. Эти области называют запрещенными зонами. Важнейшие свойства (электрические, магнитные, оптические и др.) твердых тел объясняются энергетическим состоянием валентных электронов, поэтому на схемах энергетических состояний (рис. 5.1) изображают две разрешенные энергетические зоны валентную зону, соответствующую нормальным (невозбужденным) состояниям валентных электронов и ближайшую к ней зону возбужденных состояний электронов, которая называется зоной проводимости. Такое название связано с тем, что при отсутствии внешних возбуждений в ней нет электронов. Когда же, получив энергию извне (от облучения, нагрева), электрон перейдет в эту зону, то он может свободно изменять свою энергию, двигаясь под действием внешнего [c.22]

Итак, мощное световое поле воздействует и на внешние, и на внутренние степени свободы молекул, изменяя характер соответствующих движений и обусловливая зависимость показателя преломления от интенсивности. Вообще говоря, электромагнитное поле влияет и на межмолекулярное взаимодействие. Последнее обстоятельство особо важно для металлов, ионных кристаллов, полупроводников, где взаимодействие между частицами среды очень велико и играет определяющую роль по отношению ко многим, не только нелинейным оптическим свойствам тела. [c.837]

Таблица показывает, что направления векторов Бюргерса наиболее устойчивых дислокаций хорошо согласуются с направлением скольжения. Выше уже указывалось, что скольжение в кристаллах осуществляется движением дислокаций, причем в процессе скольжения могут возникать новые и исчезать старые дислокации. Поэтому важными характеристиками являются плотность и распределение дислокаций. Под плотностью дислокаций понимают количество дислокаций, пересекающих площадку в м в кристалле. Для сравнительно совершенных кристаллов металлов (после их отжига, приводящего к уменьшению числа дислокаций, поскольку они представляют собой неравновесные образования) плотность дислокаций составляет 102—jgs см 2, а после пластической деформации может достигать 10 —см" . Дислокации сильно влияют (часто ухудшая) на электрические свойства полупроводников, и поэтому разработаны специальные способы выращивания монокристаллов полупроводников с малой плотностью дислокаций вплоть до бездислокационных. [c.244]

Электроизоляционные материалы под воздействием приложенного постоянного напряжения обнаруживают свойство электропроводности. По сравнению с проводимостью полупроводников, а тем более проводников, проводимость изоляционных материалов ниже на много порядков, тем не менее этот параметр играет важную роль. [c.17]

Изложено термодинамическое обоснование возможности ретроградного распада с выделением жидкой фазы. Приведены оригинальные данные о прецизионном построении кривых ретроградного солидуса в важнейших полупроводниковых системах с участием германия, кремния, арсенида индия и др. Рассмотрены кинетика распада и структурный механизм этого процесса. Обосновано использование диаграммы фазовых равновесий при выборе уровня легирования полупроводников и режимов их термической обработки. Описаны возможности направленного изменения свойств материалов, обеспечивающих надежную работу электронных устройств. [c.51]

Релаксация фотопроводимости. Изменение электрических свойств полупроводников под влиянием электромагнитного излучения зависит от времени (релаксация). После прекращения облучения проводимость более или менее быстро возвращается к тому значению, которое она имела до облучения. У одних полупроводников это длится микросекунды, у других измеряется минутами и даже часами. Знание инерционности фотопроводимости различных полупроводниковых веществ важно при разработке, например, фоторезисторов, к быстродействию которых [c.247]

Время жизни неосновных носителей более чувствительно к облучению, чем удельная электропроводность. Если, например, ввести избыток дырок в полупроводник и-типа (в этом случае дырки являются неосновными носителями, а электроны — основными), то они исчезнут в результате рекомбинации с электронами, но это произойдет не мгновенно. Среднее время, необходимое для рекомбинации неосновного носителя с основным, называется временем жизни неосновного носителя. Эти свойства особенно важны во многих полупроводниковых приборах, особенно в транзисторах. Механизм рекомбинации определяется примесями и другими типами дефектов. В приведенном выше примере дырки и электроны рекомбинируют после захвата дефектами, которые называют центрами рекомбинации. Очень эффективными центрами рекомбинации являются вакансии и междоузлия. [c.283]

Теплопроводность полупроводников играет важную роль в явлении термоэлектрического охлаждения. Хотя эффективность системы определяется свойствами используемой пары материалов, существует несколько общих требовании, которым должен удовлетворять каждый из материалов, входящих в пару. Эти [c.253]

При сочетании донорных и акцепторных ингибиторов возникают наиболее благоприятные условия для образования прочных хемосорбционных пленок как на отрицательно заряженных металлах или участках металлов (катодах, энергетических тиках), так и на положительно заряженных металлах или участках металлов (анодах, энергетических ямах) с последующей защитой хемосорбционных пленок более толстыми слоями ингибиторов коррозии адсорбционного типа (структура сэндвича ). Хемосорбционно-адсорбционные пленки часто имеют упорядоченную, доменную структуру и по своим электрическим и диэлектрическим свойствам приближаются к полупроводникам. Важно, что в двигателях и механизмах анодными участками по отношению к стали, как правило, становятся детали из цветных металлов и сплавов — меди, бронзы, магниевых, алюминиевых сплавов и др. В случае макрообъектов на таких металлах можно ожидать преимущественной сорбции ингибиторов донорного действия, которые защищают цветные металлы от коррозии, а не усиливают ее как акцепторные ингибиторы 120, 104]. [c.75]

За редкими исключениями, кристаллы и кристаллиты, образующие поликристаллы, обладают различными типами структурных дефектов. Знание типов, способов образования, а также влияния структурных дефектов на различные процессы и свойства твердых тел совершенно необходимо для современных специалистов по физике твердого тела. Понятие реальный кристалл чрезвычайно широко. При малой концентрации структурных несовершенств реальный кристалл в пределе переходит в идеальный, приобретая качественно новые свойства. При большом содержании дефектов реальный кристалл в пределе приобретает аморфную структуру и свойства, характерные для аморфного состояния. Воздействие на реальную структуру твердых тел является одним из способов управления их свойствами. Например, в зависимости от концентрации точечных дефектов коэффициент диффузии в металлах может меняться на семь порядков, в таком же диапазоне меняется электропроводность полупроводника. Техническая прочность твердых тел отличается от теоретической (предельной) на три-четыре порядка. Исключив возможность влияния несовершенств, можно реализовать теоретическую прочность. Каждому понятно, насколько это важно для практических целей. [c.6]

Одним из важнейших критериев качества металла или сплава является его чистота. Металл, очищенный от посторонних примесей, приобретает отличные технологические качества. При плавке металла в открытых печах он неизбежно загрязняется из-за контакта с воздухом. Например, германий и кремний проявляют свои полупроводниковые свойства лишь при условии, что их кристаллы не загрязнены вследствие контакта с воздухом. ЭтО требование чрезвычайно трудно выполнить. Одна миллиардная доля примеси уже не является пределом чистоты. В космосе получен уникальный полупроводник — сплав теллуристой ртути с теллуристым кадмием. Этому спо- [c.28]

Радиационная стойкость. Непрерывно расширяется номенклатура материалов, а также готовых изделий электронной и электротехнической промышленности, к которым предъявляются определенные требования радиационной стойкости, т. е. способности работать, не теряя основных свойств, в условиях интенсивного облучения или после радиационного воздействия. Не менее важным является радиационное воздействие на материалы с целью полезного изменения структуры, улучшения или придания им новых свойств (радиационная сшивка полимеров, легирование полупроводников и т. д.). [c.164]

Полупроводники — обширная группа обладающих весьма интересными и практически важными свойствами электротехнических материалов, получающих за последние годы все более широкое применение в электротехнике. [c.193]

Из всего изложенного можно заключить, что описанные исследования дают важную информацию о свойствах полупроводников, находящихся под воздействием внешних полей. Кроме того, приведенные численные данные свидетельствуют о том, что лазер с переворачиванием спина представляет исключительный интерес для практических применений это было, между прочим, доказано спектральными исследованиями в газах в инфракрасной области при высокой разрешающей способности. [c.401]

Вторую — важную группу представляют ферромагнитные неметаллические соединения со свойствами полупроводников ферриты. Они имеют значительно более высокое (на 6 порядков) электросопротивление и меньшую намагниченность насыщения, чем кремнистые стали и пермаллой. Это позволяет уменьшить потери на вихревые токи и применять ферриты для сердечников и дросселей катушек радиотехнической и электротехнической аппаратуры, работающей в широком диапазоне частот. [c.417]

Германий, подобно кремнию, является полупроводником, что обусловливает все возрастающее его применение в полупроводниковой электронике. В связи с этим необходимо кратко рассмотреть важнейшие свойства полупроводников. [c.373]

Одно из важных свойств полупроводников состоит в том, что на границе соприкосновения полупроводников с различным типом проводимости (электронной и дырочной) образуется тонкая пленка, пропускающая ток только в одном направлении. Этот участок называют запирающим ело ем. Благодаря этому свойству полупроводники можно использовать для выпрямления тока. [c.376]

Значительное число работ в сборнике посвящено свойствам жидких металлов. Эти жидкости упомянуты здесь особо как в связи с их специфическими свойствами, так и в связи с тем, что исследование их свойств требует специальной экспериментальной техники. В этом разделе следует особо отметить работы, связанные с влиянием малых примесей на структурно-чувствительные свойства металлов. Результаты этих работ весьма важны для разработки технолох-ии соответствующих теплоносителей, а также для построения теории жидких металлов. Представляют интерес работы, посвященные свойствам жидких полупроводников, поскольку они рассматриваются как возможные термоэлектроды для высокотемпературных термоэлектрогенераторов. [c.5]

В книге даётся характеристика главных типов твёрдых тел, основанная на различии их физических свойств (металлы, полупроводники, изоляторы, ионные соединения, молекулярные кристаллы), сжато описаны структуры и физические свойства некоторых наиболее важных простых веществ и химических соединений и изменения этих свойств в зависимости от температуры. Главное место в книге отведено теоретическому рассмотрению важнейших физических свойств твёрдых тел. Силы сцепления в твёрдых телах, электрические, магнитные, оптические и другие свойства рассматриваются на основе зонной теории, позволяющей с единой точки зрения охватить достаточно широкий класс веществ. Несколько глав отведено изложению основ квантовой механики и приближённых методов решеиия квантовомеханических задач. В книге дан ряд ссылок на монографии по специальным разделам физики и теории твёрдого тела, а также многочисленные ссылки на оригинальные работы. В приложении дана библиография опубликованных за последние годы работ советских авторов по вопросам физики твёрдого тела. Кннга рассчитана на научных работников, работающих в области исследования свойств и структуры твёрдых тел, а также аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в той же области. Книга будет полезна также для инженеров и технологов соответствующих производств, работающих над повышением своего научного кругозора. [c.2]

Хорошо известно, что образования дефектов в существенной степени определяет свойства материалов. Точечные дефекты играют основополагающую роль во всех макроскопических свойствах материалов, связанных с механизмами диффузии атомов и электронными свойствами в полупроводниках. Общепризнано, что линейные дефекты, или дислокации, являются основными элементами, определяющими пластичность и хрупкое разрушение (рис. 20.1). Индивидуальные дефекты в твердых телгьх сейчас исследуются уже на весьма высоком уровне, и несмотря на это исследования коллективного поведения дефектов в неравновесных условиях делают лишь свои первые шаги. Тем не менее в последние годы достигнут существенный прогресс в изучении динамики дислокаций и пластических неустойчивостей, в связи с чем приобрела важное значение теория нелинейных явлений. [c.433]

Для сварщиков важно иметь в виду, что прочные связи ковалентного типа устанавливаются не только в атомных кристаллах, но и при соединении металлов с металлоидами, оксидами металлов, а также полупроводниками или интерметалли-дами, обладающими полупроводниковыми свойствами. Интерме-таллиды — соединения типичных металлов с металлами, имеющими слабые металлические свойства. [c.9]

В полупроводниковых лазерах, в отличие от лазеров на примесных кристаллах, активным веществом служит сама кристаллическая матрица полупроводника, а примеси лишь служат источником носителей заряда электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. При создании с помощью накачки избыточного (по сравнению с равновесным) числа электронов и дырок позможно возвращение к состоянию равновесия посредством оптического межзонного перехода — фоторекомбинации. Вероятность фоторекомбинации велика лишь для прямозонных полупроводников, таких, у которых максимум энергии.в валентной зоне и минимум энергии в зоне проводимости соответствуют одному и тому же значению квазиимпульса. По этой причине все полупроводники, на которых получена генерация, являются прямозонными. Перечислим важнейшие свойства полупроводниковых лазеров [c.946]

Полупроводники представляют собой обширную группу веществ, занимающих по величине удельной объемной проводимости промежуточное положение между диэлектриками и проводниками. Возможность получения различного характера электроироводности — электронной и дырочной — и управления ею составляет одну из важных отличительных особениосте полупроводников. В периодической системе имеется 12 элементов, обладающих полупроводниковыми свойствами это так называемые элементарные или простые полупроводники (основной состав полупроводника образован атомами одного химического элемента). Такими элементами являются в III группе — бор в IV группе — углерод, кремний, германий, олово (серое) в V группе — фосфор, мышьяк, сурьма в VI группе —сера, селен, теллур в VII группе — йод. Достаточно отчетливо можно представить общие закономерности и особегнюсти элементарных полупроводников, рассматривая такие полупроводники, как германий и кремний ( 13.5 и 13.6). [c.171]

Из результатов исследований последних лет в области сверхпроводимости важно отметить открытие того, что помимо понижения температуры появлению сверхпроводимости способствует и повышение давления у некоторых веществ, не переходящих при нормальном давлении в сверхпроводящее состояние, удалось обнаружить сверхпроводимость при воздействии на вещество высокого гидростатического давления. Установлены даже сверхпроводящие свойства не только у веществ, являющихся при нормальных условиях проводниками (прежде всего у металлов, сплавов металлов н интерметаллических соединений), но и у полупроводников (например, у анти-монида индия InSb —см. стр. 263, который имеет температуру сверхпроводящего перехода около 5 К при давлении около 30 ГПа). В Институте высоких давлений Академии наук СССР открыта сверхпроводимость у серы (Тс = 9,7 К) и ксенона (Т,. = 6,8 К). [c.209]

Лазерное излучение получают в пределах спектральной полосы люмин есценции или вблизи неё, причём в излуча-тельных процессах участвуют свободные носители. Важнейшим типом и. л. является гетеролазер, в структуру к-рого включены гетеропереходы между полупроводниковыми материалами с различающимися электрич. и оптич. свойствами, что позволяет снизить пороговый ток лазерной генерацпи и увеличить кпд. Перекрытие диапазонов за счёт использования разных полупроводников показано на рис. 3. [c.147]

Законы К. м. составляют фундамент наук о строении вещества. Они иозволили выяснить строение электронных оболочек атомов и расшифровать атомные и молекулярные снектры, установить природу хим. связи, объяснить периодич. систему элементов Менделеева, понять строение и свойства атомных ядер. Поскольку свойства макроскопич. тел определяются движением и взаимодействием частиц, из к-рых они состоят, законы К. м. объясняют многие макроскопич. явления, напр. температурную зависимость и величину теплоёмкости макроскопич. систем (газов, твёрдых тел). Законы К. м. лежат в основе теории строения твёрдых тел (металлов, диэлектриков, полупроводников) и её многочисл. техн. приложений. Только на основе К. м. удалось последовательно объяснить магн. свойства веществ а создать теорию ферромагнетизма и антиферромагнетизма. К. м. естеств. образом решила ряд проблем классич. статистич. физики, напр, обосновала теорему Нернста (см. Третье начало термодинамики), разрешила Гиббса парадокс. Важное значение имеют макроскоиич. квантовые эффекты, проявляющиеся, [c.273]

Важнейшим свойством сетки Миллера и Абрахамса является зкспояенциальво широкий разброс входящих в неё сопротивлений для слаболегировавного полупроводника значения только первого слагаемого в (1) для доноров, отстоящих на среднем и двух средних расстояниях, отличаются примерно в 10, а соответствую- [c.170]

Ф. э. может быть представлена как результат трёх после-доват. процессов поглощение фотона и появление электрона с высокой по сравнению со средней) энергией движение этого электрона к поверхности, при к-ром часть его энергии может рассеяться за счёт взаимодействия с др. электронами или дефектами и колебаниями кристаллич. решётки (фононами) выход электрона в вакуум или др. среду через потенц. барьер на границе раздела. В металлах Ф. э. в видимой и УФ-областях спектра связана с поглощением фотонов электронами проводимости. В полупроводниках и диэлектриках Ф. э. в этой области спектра определяется в осн. возбуждением электронов из валентной зоны. Важной количеств, характеристикой Ф. э. является квантовый выход Y—число эмитированных электронов в расчёте на один фотон, падающий на поверхность тела. Вели-тана Y определяется свойствами вещества, состоянием его поверхности и энергией фотонов. [c.365]

В структурах алмаза, кремния, германия и алмазоподобных соединений сильным ковалентным <т-связям вдоль направлений <111> отвечают максимальные значения модулей упругости Еиь Однако, в отличие от металлов, для этого класса материалов наиболее важны не механические, а электрофизические свойства. Определение пoJ y пpoвoдникa трудно представить до рассмотрения электронной зонной теории кристаллических твердых тел. Можно сказать, что полупроводники - это изоляторы, в которых запрещенная зона между состояниями валентных электронов (валентная зона) и электронными состояниями, ответственными за электропроводность (зона проводи.мости), значительно меньше, чем в обычных изоляторах, и может быть преодолена при наличии определенных условий, например, с помощью теплового возбуждения. Поэтому, в отличие от металлов, электропроводность пoJTV пpoвoдникoв растет с температ рой. [c.46]

Даже то немногое, что мы узнали о фазовых диаграммах, достаточно для решения важнейшей практической задачи получения чистых химических элементов. Нам уже известно, как сильно сказывается иногда содержащаяся даже в ничтожном количестве примесь на свойствах металлов. Но настоящим бедствием стали примеси в техноло- fi ГИИ полупроводников. Долгое вре- I. мя прогресс в этой области тор- мозился отсутствием действенных методов очистки. [c.47]

Неметаллы и металлы рассматриваются параллельно. Основные экспериментальные методы (гл. 2), а также краткое изложение главных особенностей теплопроводности (гл. 3) относятся к обоим типам веществ. Далее рассматриваются фононы, являющиеся носителями тепла в неметаллах, механизмы их рассеяния и вклад в теплопроводность (гл. 4—8). Некристаллические твердые тела, например стекла, обсуждаются отдельно (гл. 9). Изучаются свойства электронов в металлах и их рассеяние, а также теплопроводность металлов и сплавов, обусловленная электронами и фононами (гл. 10—12). Так как теория электронов хорошо известна в связи с электропроводностью, она обсуждается более кратко, чем для фоно-нов. О теплопроводности сверхпроводников только упоминается. Наконец, рассматриваются полупроводники, в которых важны как решеточная, так и электронная теплопроводности (гл, 13). [c.12]

Инфракрасная интроскопия дословно означает тепловое внутривидение и позволяет видеть внутреннюю структуру таких важных для радиоэлектроники ма1ериалов, как полупроводники. Наличие в полупроводниках мельчайших примесей резко ухудшает их свойства. Интроскопы позволяют точно контролировать монокристаллы полупроводников, находить нарушения структуры и микротрещины. [c.543]

Не менее важной областью применения тугоплавких соединений является изготовление нагревателей высокотемпературных печей, в частности из дисилицида молибдена — для эксплуатации на воздухе при температурах до 1700° С и из карбида ниобия — для работы в вакууме при температурах до 3000° С. Огнеупорные свойства тугоплавких соединений используются или могут быть использованы при изготовлении ответственных деталей насосов и каналов для транспортировки расплавленных металлов, футеро-вок каналов МГД-генераторов, теплообменных устройств, деталей аппаратуры для работы с парами металлов и расплавленными металлами (в т. ч. при производстве полупроводников методом плавки). Особенно высоки огнеупорные качества карбидов титана, бора, кремния, ниобия, дисилицида молибдена, диборида циркония, нитридов алюминия, бора, кремния, карбонитрида бора. [c.6]

Специально в связи с проблемой создания перестраиваемых лазеров были проведены исследования вынужденного комбинационного рассеяния на свободных носителях заряда в полупроводниках. Энергетические состояния носителей заряда вырождены при воздействии (квази)статического магнитного поля на твердое тело происходят расщепления на уровни Ландау, разность энергий которых соответствует циклотронной частоте, и на подуровни, соответствующие ориентациям спинов электронов. При излучательных процессах могут иметь место переходы между уровнями с различной ориентацией спинов, т. е. явления переворачивания спинов (spin-flip). Исследования этих процессов переворачивания спинов внесли важные вклады как в лучшее понимание свойств полупроводников, так и в их практические применения [3.16-12 — 3.16-14]. [c.396]

Полупроводники, Реальная кристаллическая структура металлов. Рассмотрим вкратце очень важное для ряда технических назначений свойство слабой электронной проводимости, которой обладают некоторые вещества— полупроводники. Одним из ее видов является собственная слабая проводимость, которой обладает при нагрева НИИ элемент полуметаллической природы — германий. [c.38]

Полупроводники занимают по величине удельной проводимости промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Особенности свойств полупроводников позволяют широко использовать их в различных отраслях электротехники в технике связи, в широком диапазоне частот, в различных устройствах радиоэлектроники и в технике сильного тока. Их применяютв выпрямителях, в усилителях, в фотоэлементах, в качестве специальных источников тока и т. п. Наряду со сравнительно давно известными полупроводниками, такими как селен, окислы, сульфиды, различные соединения химических эле ментов и изделия из электротехнического угля, в последние годы стали широко применять в качестве полупроводников Германий и кремний. В полупроводниковой технике эти материалы занимают очень важное место и безусловно сыграют в будущем большую роль в развитии многих отраслей электротехники. [c.12]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...