Сопротивление полупроводников

Зависимость удельного сопротивления полупроводника от температуры [c.196]

Таким образом, изменение удельного сопротивления полупроводника с собственной проводимостью в зависимости от температуры дается выражением [c.197]

Температурная зависимость удельного сопротивления полупроводника, в который добавлено небольшое количество примеси, показана на рис. 5.7 [12]. На практике в полупроводнике всегда присутствуют как донорные, так и акцепторные примеси, и разработчик полупроводниковых термометров сопротивления может лишь выбирать соотношение между теми и другими. Для описания процессов проводимости рассмотрим германий, содержащий донорные атомы мышьяка в концентрации N(1 и какие-либо акцепторные атомы в концентрации Л а-На рис. 5.7 можно выделить четыре температурных диапазона, в каждом из которых преобладает какой-либо один механизм проводимости". В высокотемпературном диапазоне [I] проводимость обусловлена главным образом электронами, термически возбужденными из валентной зоны в зону проводимости согласно уравнению (5.8), поскольку все примесные атомы давно уже ионизованы. Это область собственной проводимости для германия она начинается чуть выше 400 К. Этот диапазон не представляет особого интереса для германиевых термометров сопротивления. [c.198]

Эквивалентная схема диода, представленная на рис. 2.17, а, дополнена резисторами / о, учитывающим объемное омическое сопротивление полупроводника, и У у, учитывающим утечку по поверхности диода. [c.91]

Резистор полупроводниковый [нелинейный] — полупроводниковый прибор, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от напряжения. [c.152]

Концентрация носителей заряда в полупроводниках при комнатной температуре значительно меньше, чем в металлах. Поэтому удельное сопротивление полупроводников обычно больше, чем металлов. При понижении температуры удельное сопротивление полупроводника увеличивается — он все больше становится похожим на диэлектрик. [c.155]

Зависимость удельного сопротивления полупроводников от температуры и освещения. Опыты показывают, что при нагревании электрическое сопротивление полупроводниковых кристаллов уменьшается (рис. 157). Уменьшение электрического сопротивления полупроводников при нагревании объясняется тем, что с повышением температуры кристалла число освобождающихся [c.156]

Обычно удельное сопротивление полупроводников (при Г = 290 К) находится в интервале Ом-см (в металлах р= 10 ч-10- Ом-см). [c.454]

В зависимости от природы полупроводников и примесей и концентрации последних изменение проводимости в зависимости от температуры может несколько отличаться от приведенной схемы. Изменение сопротивления полупроводников в зависимости от температуры используется в термисторах для измерения температуры. [c.284]

Величиной, численно характеризующей изменение удельной проводимости (удельного сопротивления) полупроводников при определенном виде деформации, является тензочувствительность [c.244]

Рис. 2.8.2. Схема измерения электрического сопротивления полупроводников 1 — образец 2 — печь

Метод омического сопротивления. Омическое сопротивление специальных проводников в контуре может быть изменено под воздействием силы, при этом степень изменения сопротивления может быть мерой действующих сил. Теоретически для этой цели пригодны все твердые упругие тела, а также жидкости и газы, которые не оказывают электрическому току бесконечно большого сопротивления (полупроводники). Например, угольный порошок и твердые угольные пластины при растяжении и сжатии изменяют свое сопротивление в широких пределах. Угольные пластины показывают хорошую повторяемость результатов, пока они под влиянием нагрузки испытывают лишь упругие деформации. [c.98]

Обычно к полупроводникам относят вещества с удельным сопротивлением р 10 ом-см (при Т = — 290°К). Поскольку в металлах р = 10 -ЬЮ" омХ хсм то удельное сопротивление полупроводников находится в интервале 10 Р Ю ом-см. [c.341]

Температуру можно непрерывно отсчитывать при помощи гальванометра, измеряющего силу тока в электрическом сопротивлении (полупроводник), наклеенном на фотографическую пластинку или пленку. Источником света служит лампа с вольфрамовой лентой (5 X 1 ) и рабочим напряжением 6 в (питание от сети с аккумуляторным буфером). Цветовая температура этой лампы 2748° К. При помощи объектива с фокусным расстоянием 50 мм и апертурой //2 создается увеличенное изображение ленты (3 X )> которое проектируется на барабан, несущий пленку, после преобразования при помощи объектива с фокусным расстоянием 250 мм и апертурой //4,5. Вся оптическая система помещается вне цилиндрического сосуда ось светового пучка совпадает с оптической осью объективов, проходит через центр окошка Р нормально к его плоскости и находится в средней прямоугольной плоскости сечения барабана, несущего пленку. [c.270]

Обычно к проводникам относят вещества с удельным сопротивлением менее 10 Ом -м, а к диэлектрикам — с р более 10 Ом -м удельное сопротивление полупроводников составляет 10" —10 Ом -м. Однако при классификации веществ по электрическим свойствам кроме значения р необходимо учитывать и физическую природу электропроводности, в частности вид свободных носителей заряда и характер зависимости р от температуры. [c.7]

Температурный коэффициент удельного сопротивления полупроводников [c.333]

V. При увеличении температуры сопротивление полупроводников. .. [c.7]

При изготовлении углублений травление ограничивается областью, расположенной прямо под сильной струей, так как электролит после удара растекается тонким слоем по поверхности пластинки. Если удельное сопротивление раствора того же порядка, что и сопротивление полупроводника, то плотность тока должна быстро падать в радиальном направлении от оси струи. [c.26]

Рис. 53. Зависимость тока и сопротивления полупроводника от приложенного напряжения

Характерным свойством полупроводников является нелинейность зависимости тока в полупроводнике от приложенного напряжения (рис. 53), т. е. ток растет значительно быстрее, чем напряжение. Одновременно с ростом тока резко уменьшается электрическое сопротивление полупроводника. [c.93]

Под действием света проводимость некоторых полупроводников (например, селена) может резко изменяться. Это вызывается тем, что световое излучение с определенной длиной волны сообщает электронам полупроводника энергию, достаточную для того, чтобы они сделались свободными. При этом сопротивление полупроводника резко уменьшается. Это свойство полупроводников используют при создании фоторезисторов — приборов, чувствительных не только к видимому участку спектра, но и к инфракрасному излучению. [c.95]

По величине удельного сопротивления полупроводниковые материалы занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Удельное сопротивление полупроводников колеблется в широких пределах от 1(Н до 10 ом-см. [c.260]

Электроны в полупроводнике, способные перемещаться к положительному полюсу, называются электронами проводимости. Их количество в сравнении с общим числом валентных электронов, осуществляющих ковалентную связь между атомами, очень невелико и не превышает долей процента. Именно поэтому электрическое сопротивление полупроводников всегда во много раз больше, чем металлов. [c.18]

Повышение температуры, как и в случае металлов, вызывает усиление тепловых колебаний атомов, однако одновременно в полупроводниках повышение температуры способствует дополнительному переходу валентных электронов из ковалентных пар на более высокие энергетические уровни и поэтому в общем итоге электрическое сопротивление полупроводников при повышении температуры уменьшается. В этом заключается одно из главных отличий полупроводников от металлов. [c.18]

Хотя повышение температуры вызывает весьма значительное падение электросопротивления, значение этого свойства у полупроводников остается несравненно более высоким, чем у металлов. Так, если у меди при 700° С электросопротивление равно 67 нОм-м, то у кремния и германия оно составляет около 10- Ом-м (см. табл. 2), хотя у этих элементов электросопротивление снижается по сравнению со значениями при комнатной температуре в 10 —10 раз. Собственная проводимость полупроводников увеличивается не только под действием нагрева. Облучение светом также повышает энергию валентных электронов, часть их переходит в зону проводимости, и электрическое сопротивление полупроводника существенно снижается. [c.18]

Из (8.63) следует, что для увеличения предельной частоты работы диода необходимо уменьшать произведение гС . Сопротивление г можно уменьшать, улучшая качество омических контактов к и- и р-областям диода и уменьшая толщину, этих областей. Казалось бы, далее, что повысить соцр д можно также уменьшением площади S р—н-перехода, так как при этом должна уменьшаться емкость Сд. Однако таким способом можно достичь повышения (Оцред только у точечных дподов. В самом деле, для плоских переходов q S, г 1/S, поэтому r g не зависит от 5. Для точечных же диодов г = = р/яа где р — удельное сопротивление полупроводника а — [c.238]

Фотоэлементы с внутренним ф-о-,. тоэффектом. Работа фотоэлементов с вну-тренннм фотоэффектом основана на изменении сопротивления полупроводников под действием лучистой энергии. При освещении этих веществ внутри них освобождаются электроны, которые, не выходя с поверхности, увеличивают проводимость полупроводника. Если к концам такого полупроводника приложить разность потенциалов, го величина протекающего по [c.547]

ПРОБОЙ [вакуумный — возникновение самостоятельного разряда при высокой разности потенциалов между электродами при таком вакууме, при котором свободный пробег электронов намного больше межэлектродного расстояния диэлектрика — резкое умершшение электрического сопротивления диэлектрика, наступающее при достижении определенного значения напряженности приложенного электрического поля лавинный — резкое уменьшение омического сопротивления полупроводника в сильном электрическом поле] [c.266]

Электрическое сопротивление полупроводника зависитот его температуры,используя это свойство можно создать датчик для измерения скорости потока жидкости. [c.117]

Аппаратура с полупроводниковыми наклеиваемыми датчиками омического сопротивления (графит, сернистый свинец) [26), [28]. С деформацией изменяется контактное сопротивление полупроводника. Датчик включается в схему моста. Тензочувстви-тедьный слой в датчике нанесен на пластинку из пластмассы, полоску фольги с изоляцией или бумагу. Допускается переклейка датчика. Для углеродистых датчиков коэффициент тензочувствительности 15—20, сопротивление 10—15 кои требуется защита от влаги. Применяется для измерений на вращающихся деталях в связи [c.493]

Сопротивление полупроводника датчика изменяется в зависимости от температуры охлаждения жидкости. С изменением сопротивления изменяется и величина тока в катушке К1. Теперь уже положение стрелки прибора зависит от взаимодействия постоянных полей катушек К2 и КЗ (величина тока всегда постоянна) с изменяющимся магнитным полем катушки К1. Результирующее поле всех катушек поворачивает дисковый магнит МД вместе со стрелкой в определенное положение, показывающее на шкале температуру охлалодающей жидкости. [c.143]

Удельное сопротивление полупроводников является величиной изменчивой, зависящей от наличия примесей в материале и от технологии изготовления (многие полупроводники изготовляются посредством измельчения, смешения, прессования составных частей и последующего обжига, т. е. приемами керамической технологии (см. гл. 8). Как уже упоминалось, сопротивление полупроводников зависит от температуры в некоторых апучаях эта зависимость выражена весьма заметно, и такие полупроводники могут применяться в качестве элементов электрических устройств, для которых важна зависимость сопротивления от температуры ( т е р м о с о п р о т и в л е н и я ), В ряде случаев сопротивление полупроводников сильно зависит от освещенности, уменьшаясь при повышении последней такие полупроводники используются в качестве фотосопротивлений. Некоторые материалы типа полупроводников резко изменяют сопротивление в зависимости от величины приложенного напряжения, являясь нелинейными сопротивлениями . Полупроводники используются в качестве электронагревательных элемен- [c.193]

Полупроводниковые приборы. Выше уже упоминалось, что полупроводники обладают значительно худшей проводимостью, чем металлы. Однако это утверждение справедливо только для химически чистых полупроводящих веществ, получение которых в производстве весьма затруднитель-но. Поэтому в электротехнике получили распространение полупроводники, содерл ащие различные примеси. Примеси уменьшают сопротивление полупроводников, и их проводимость увеличивается. Проводимость таких полупроводников называют примесной. [c.97]

Поляризация имеет место во всех молекулах диэлектрика — это его массовое свойство. В то же время электро1проводность диэлектрика часто практически полностью обусловливается наличием незначительного количества примесей (загрязнений), а не основным веществом диэлектрика, и при тщательной очистке диэлектрика может существенно ослабляться. Поэтому, в частности, при смешении друг с другом двух (или нескольких) не реагирующих между собой химически диэлектриков диэлектрическая проницаемость получающейся смеси в первом приближении может быть оценена по арифметическому правилу смешения (подробнее СхМ. 2-6). Для Подсчета же удельного сопротивления диэлектрика это правило может оказаться совершенно непригодным, так как уже малая примесь другого вещества может иногда на несколько порядков снизить удельное сопротивление диэлектрика. Еще более резко бывает иногда выражено влияние ничтожных количеств примесей на удельное сопротивление полупроводников. [c.103]

Существуют Э. п., по имеющие мехапич. колебательной системы и создающие колебания непосредственно в среде. К ним относятся, нанр., электроискровой излучатель, возбуждающий интенсивные звуковые колебания в результате. электрич. разряда в жидкости ионофон-, тер.иосфон-, излучатель, действие К-рого основано на электрострикции жидкостей. Все эти излучатели применяются сравнительно редко они - необратимы. К особому классу Э. п. относятся приемники звука (также необратимые), основанные па изменении электрич. сопротивления чувствит. элемента под влиянием звукового давления, напр, угол/,иый микрофон или полупроводниковые приемники, в к-рых используется зависимость сопротивления полупроводников от механических напряжений [7]. [c.451]

Упругие деформации изменяют сопротивление полупроводников. Ряд полупроводников обладает коэффициентом тензочувствйтельности т, значительно большим, чем у металлов. Так, у константана т = 2, а у германия, кремния, сурьмянистого индия и д 1. mW 100. У поликристаллич. образцов PbS величина т достигает 2000. Эти свойства полупроводников по- [c.224]

Формула (51) показывает, что при полном отсутствии микродефектов удельное сопротивление полупроводника величина постоянная. Для случая поверхностных слоев контакта это не так. Дело в том, что сама микрогеометрия поверхности уже обусловливает совершенно особые явления в тех контактных мостиках, которые оказываются на данный момент проводящими. Здесь имеют место и туннельный эффект, и явление фриттинга. Туннельный эффект — это свойство электронов проходить через потенциальный барьер, превышающий их среднюю энергию. Туннельный эффект наиболее вероятен при толщине оксидных ( изолирующих ) пленок не более 5-10" см. [c.42]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...