Основные сведения о полупроводниках

В таблицы в основном включены данные о полупроводниках с Eg<3 эВ. Тройные и более сложные полупроводниковые соединения не описаны . Не приведены также сведения о параметрах различных полупроводниковых приборов. [c.455]

Именно поэтому в периодических научных изданиях и монографиях можно получить достаточно полные сведения о механизме и результатах радиационного воздействия в основном на отдельные группы материалов (например, реакторное горючее и конструкционные материалы, полупроводники, полимеры и т. д.). [c.7]

Изложенные ранее сведения касались в основном консолидированных структур и полупроводников. Рассмотрим некоторые другие наноматериалы. [c.33]

В таблицы в основном включены данные о полупроводниках с Eg < 3 эв. Свойства тройных и более сложных полупроводниковых соединений не приведены. Не приводятся также сведения о параметрах различных полупроводниковых приборов . [c.342]

Интенсивное развитие полупроводниковой техники, непрерывно растущий объем информации о свойствах полупроводников, обилие полупроводниковых материалов, применяемых для производства полупроводниковых приборов, увеличение круга веществ, в которых обнаруживаются полупроводниковые свойства, привело к большому количеству справочных данных по конкретным полупроводникам. Это и определило построение второй части учебника, посвященной полупроводникам гл. 7—13 содержат краткое описание основных физических явлений, присущих полупроводникам, а в гл. 14 приведены сведения о конкретных полупроводниках, получивших наиболее широкое практическое применение. [c.48]

Краткие сведения по изготовлению полупроводниковых ИС Полупроводниковые структуры ИС сформировываются в монокристаллическом теле полупроводника с помощью технологических операций. Создаются различные области, обладающие дырочной (Р-область) н электронной (N-область) проводимостями Основной частью полуироводниковьк микросхем являются NP- или Р переходы. Обраэаванные области в полупроводнике соответствуют по своим функциям определенным дискретным элементам активным (транзистор, диод) и пассивным (резистор, конденсатор и др.). Объемные то-коведущне дорожки создаются нанесением на поверхность полупроводника ин- [c.92]

По оптическим свойствам полупроводниковых соединений имеется обширный экспериментальный материал. В качестве примера уже рассматривались выше свойства Лп5Ь — редкий пример материала с прямыми вертикальными переходами электрона. Дисперсия показателя преломления Лп5Ь измерялась рядом исследователей в широком диапазоне длин волн, при этом обнаружено резкое его изменение при Я, = 7 мкм (край основной полосы поглощения) и в видимой части спектра. Желающие могут найти подробные сведения по оптическим свойствам полупроводников и их соединений в [52, 64]. Укажем в заключение, что для ряда материалов, например для арсенида галлия, получено большое расхождение между экспериментальными и теоретическими данными. [c.220]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...