Полупроводники многоэлементные

Полистирол 500 Полиэтилен 502, 503 Полупроводники многоэлементные 410 [c.526]

А. Я. Шик. И. С. Шлимак. ФОТОРЕЗЙСТОР — полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. эл.-магн. излучения. Ф. относятся к фотоэлектрич. приёмникам излучения, их принцип действия основан на внутр. фотоэффекте в полупроводниках (см. Фотопроводимость). Основу Ф. составляет слой или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством к-рых Ф. подключается к электрич. цепи. Фоторезистивный слой получается, напр., прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно на поверхности подложки, xt M. осаждением, эпитаксией, напылением. Полученные т. о. слои (плёнки) могут подвергаться отжигу. В зависимости от назначения Ф. могут быть одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без, открытые и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе интегральных схем. Для расширения функцион. возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами, растрами (оптич. модуляторами), предварит, усилителями (в микроминиатюрном исполнении), термостатами, подсветкой, системами охлаждения и др. (рис. 1). [c.357]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...