Монокристалл

При очень медленном отводе тепла при кристаллизации, а также с помощью других специальных способов может быть получен кусок металла, представляющий собой один кристалл, так называемый монокристалл. Монокристаллы больших размеров (массой в несколько сот граммов) изготавливают для научных исследований, а также для некоторых специальных отраслей техники (полупроводники). [c.28]

В этом случае кривая состава образующейся окалины (см. рис. 65) никогда не достигнет координаты, отвечающей составу окисляемого сплава, т. е. величины а. Вследствие этого окисляемый образец сплава будет все время обедняться компонентом Me и процесс никогда не придет к состоянию стабилизации. Окисление и обеднение образца компонентом Me происходит до тех пор, пока в окисляемом образце сплава не останется почти один компонент Mt и состав окисляемого образца не сравняется по всей его толщине. Эта схема процесса может иметь место только в том случае, если диффузия компонента Me из глубинных слоев сплава к поверхности или диффузия кислорода в обратном направлении не имеют каких-либо других, более удобных, путей и происходят с одинаковой скоростью по всему сечению окисляемого образца (окисление монокристаллов сплавов или окисление сплавов при равенстве скоростей диффузии реагентов через кристаллы сплава и по границам зерен). [c.98]

Различные грани монокристаллов могут быть анодами или катодами [c.189]

Физика деформационного упрочнения монокристаллов/Под ред. [c.376]

В качестве примера смешанной формы связей (металлической и ковалентной) можно указать на графит атом углерода в решетке графита связан с тремя соседними ковалентной связью, а четвертый электрон каждого атома является общим для всего атомного слоя, обусловливая электропроводность графита. Смешанные связи встречаются также в мышьяке, висмуте, селене и других простых веществах. Чисто металлическая связь характерна только для некоторых металлических монокристаллов. [c.11]

Влияние анизотропии восприимчивости некубических кристаллов в большинстве случаев можно сделать малым либо путем тщательной ориентации монокристалла, либо применяя порошкообразный образец, хотя несферическая форма зерен порошка может вызвать нескомпенсированный магнитный момент и остаточную анизотропию. Осуществить тепловой контакт с образцом из порошка проще, чем е монокристаллом, поэтому в магнитной термометрии применяется удобная форма образца независимо от кристаллической симметрии соли. [c.125]

Анизотропия — это различие свойств монокристаллов (элементов) в зависимости от направления воздействия нагрузок. [c.15]

Анизотропность можно устранить, если всем монокристаллам данного элемента с помощью соответствующей обработки придать единую ориентацию. [c.15]

Рис. 1.7. Модели, показывающие изменения предела прочности (а) и относительного удлинения (б) в зависимости от направления приложенной нагрузки в монокристалле Си

При двойниковании (рис. 7.2) происходит такое перемещение атомов в определенной части монокристалла, что одна часть оказывается как бы симметрично повернутой по отношению к другой части монокристалла. [c.81]

При незначительной деформации скольжение атомных слоев начинается по плоскостям, оптимально расположенным в направлении сдвига. С увеличением деформации скольжение распространяется и на другие плоскости, благодаря чему происходит последовательное распространение процесса пластической деформации по всему монокристаллу. При пластической деформации полированных образцов металла обнаруживают следы скольжения в виде линий скольжения ( у отдельных зерен), группирующиеся в пластинки, пачки, а затем по мере развития деформации в полосы скольжения. [c.81]

В поликристаллах процесс скольжения затрудняется из-за значительного числа зерен, отличающихся величиной и формой и различно взаимно ориентированных. Во время пластической деформации поликристалла число дислокаций и других несовершенств кристаллической решетки увеличивается происходит перераспределение дислокаций и их концентрирование на границах зерен, фрагментов и блоков мозаики. Поэтому сопротивление деформации у поликристаллов значительно выше, чем у монокристаллов, а пластичность ниже. [c.81]

Поскольку в поликристаллическом естественном материале возникают неконтролируемые изменения электрических свойств, то часто выращивают искусственные монокристаллы полупроводниковых материалов. При выращивании монокристаллов в расплав 51 опускают [c.390]

Существенными недостатками при выращивании монокристаллов из расплава являются неравномерное распределение примесей (а следовательно, и электрических свойств) по длине кристалла, винтовая макронеоднородность распределения примесей в кристаллах, а также структурные несовершенства в кристаллах Се и 51. [c.391]

Прочность монокристаллов может достигать 1/30 и 1/6 от модуля упругости, т. е. до 30...40 тыс. МПа. Стеклянные нити диаметром I мкм рвутся при напряжении 10 000, а диаметром 3...5 мм — всего при 30—50 МПа. [c.37]

В катодно заряженных образцах монокристалла сплава 3 % Si—Fe в результате скопления водорода на благоприятных участках кристалла образуются микроскопические трещины длиной около 0,02 см, параллельные плоскости (100) [55]. [c.150]

Для изготовления нагревательных элементов обычно используют сплав 20 % Сг—Ni или различные сплавы, содержащие Сг—Л1—Fe. Для достижения еще более высокой температуры (до 1400 °С) на воздухе применяют сплав 10 % Rh—Pt. от сплав превосходит чистую платину по механической прочности и И1 еет более низкую скорость роста зерен. Монокристалл того же сечения, что и проволока спирали, хуже работает на срез и разрушается. [c.208]

На первый взгляд кажется, что образование монолитного соединения двух одинаковых монокристаллов с идеально гладкими и чистыми поверхностями возможно при любой температуре и без приложения внешней энергии. Для этого достаточно сблизить их поверхности на расстояние, соизмеримое с параметрами кристаллической решетки (порядка долей нанометра). Тогда между сопряженными атомами возникнут связи, граница раздела А (рис. 1.1) исчезнет и произойдет сварка. Такой процесс кажется вероятным и не противоречит второму началу термодинамики, так как свободная энергия системы при этом должна уменьшиться на величину энергии двух исчезнувших поверхностей раздела. [c.11]

Рис. 1.1. Схема образования соединения двух монокристаллов с идеально чистыми и гладкими поверхностями

Внутри кристалла каждый атом удерживается симметрично направленными силами связи. На свободной поверхности кристалла или жидкости атом неуравновешен вследствие отсутствия связи с одной стороны (вакуум) или из-за ее ослабления. Это вызывает повышение энергии поверхностного слоя кристалла Если для перемещения внутри тела атому необходима энергия wo (см. рис. 1.2), то для выхода в окружающую среду w , причем w >wo. Поэтому для соединения двух монокристаллов в один требуется деформационная, или тепловая, энергия извне, превышающая граничную энергию w . [c.12]

ВОДИЛИСЬ на спинах ядер в охлажденном до температуры жидкого гелия (4,2 К) монокристалле ЫР. В таких условиях спиновая система могла находиться при отрицательных температурах часами. [c.94]

При использовании рубина в качестве рабочего тела частота повторепия импульсов достигает 60 Гц. Неодимовое стекло способно создать большую выходную мощность в луче, но частота следова-1[ия импульсов меньше — не выше 0,5 Гц, так как теплопроводность этого лгатериала в 17 раз нин№ теплопроводности рубипового монокристалла. 1 оэффициент полезного действия наиболее высок у лазера па С0 , где он составляет около 10% (у рубипового лазера он едва достигает 0,5%). [c.168]

Свойства отдельно взятого кристалла (монокристалла) по. данному направлению отличаются от свойств в другом направлении (рис. 16) и, естественно, зависят от того, сколько атомов нстречается в этом направлении. Различие свойств в зависимости от направления испытания носит название анизотропии. Все кристаллы анизотропны. Анизотропия — особенность любого кристалла, характерная для кристаллического строения. [c.35]

В связи с затруднонвостью пластической деформации предел текучести у керамик фактически соответствует раэрушахщему напряжению. Пээ"ому керамики о ковалентной связью хрупки как в виде монокристаллов, так и в поликриоталличеокон состоянии. [c.10]

Дислокагшв здесь широкие, а сопротивление их движению низкое. Пластическое течение в монокристаллах получает значительное развитие. [c.11]

Рост кристалла значительно облегчается тем, что грани его не представляют идеально ровных плоскостей. На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются новые атомы, поступающие из жидкости. В этом случае рост кристалла может протекать даже без образования двумерного зародыша. В растущем кристалле всегда имеются дислокации. В месте выхода на поверхность винтовой дислокации имеется ступенька, к которой легко присоединяются атомы, поступающие из жидкости (рис. 21, б). Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высогой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [c.34]

На начальной стадии пластическая деформация монокристалла осуществляется движением дислокаций но одной системе плоскостей—стадия легкого скольжения. Дислокации на этой стадии перемещаются сравнительно беспрепятственно на большие расстояния, обеспечивая прогрессивную деформацию без значительного роста действующих напряжений (стадия I деформационного упрочнения). После стадии единичного (легкого) скольжения начинается стадия множественного скольжения — движение дислокации в двух и более системах. На этой стадии после значительной деформации дислокационная структура металла сильно усложняется и плотность дислокаций возрастает по сравпепшо с исходным состоянием на 4—6 порядков, достигая см" . [c.46]

Для некоторых металлов (например алюминия, титана, монокристаллов молибдена и вольфрама) в процессе возврата и поли-гопизации происходит заметное понижение прочности и повышение пластичности. Однако их жаропрочные свойства при этом повышаются. У меди, никеля и их сплавов на определенной стадии поли-гонизации твердость, пределы текучести, упругости и выносливости, а также пластичность повышаются. Одновременно сиижаючся неупругие эффекты. Упрочнение происходит в результате закрепления подвижных дислокаций атомами примесей в дислокационных стенках, возникающих при полигонизации, ( ,е([)ормировациого металла. [c.54]

В отличие от аморфных веществ (рис. 1.6, 6), являющихся изотропными (т. е. обладающими идентичными свойствами в результате одинаковой плотности упаковки атомов во всех плоскостях и направлениях), кристаллические вещества (в том числе металлы), объединяющие различно ориентированные монокристаллы, являются анизотропными (квазиизотропнымн) веществами (рис. 1.7). [c.15]

ЮМ н форме решетки из тонкой п хшо-доки иди фольги, иди в ииде монокристалла кремния, германия или другого но-лунроводиика. [c.476]

Позднее эта точка зрения была распространена и на металлы, которые не образуют интерметаллидных соединений, но для которых характерно изменение фаз йли образование сегрегаций легирующих элементов или примесей в вершине трещины в ходе пластической деформации вследствие градиента состава здесь образуются гальванические элементы. Варианты этой теории содержат предположение, что трещины образуются механически и что электрохимическое растворение необходимо только для периодического сдвига барьеров при росте трещины [25]. Но хрупкое разрушение пластичного металла вряд ли возможно в вершине трещины. Кроме того, было показано, что удаление раствора Fe lg из трещины, образованной в напряженном монокристалле ujAu, сопровождается релаксацией напряжений в кристалле и —. .в результате —немедленным прекращением растрескивания, сменяющимся пластической деформацией [26]. Аналогичным образом, трещина, распространяющаяся в напряженной нержавеющей стали 18-8, погруженной в кипящий раствор Mg lj, останавли- [c.138]

Механизм КРН латуней был предметом многих исследований. Сплавы высокой чистоты и монокристаллы а-латуни также растрескиваются под напряжением в атмосфере NH3 [27]. В под-тверждение электрохимического механизма показано, что в растворах NH4OH потенциалы границ зерен поликристаллической латуни имеют более отрицательные значения, чем сами зерна. В растворах Fe lg, где коррозионное растрескивание не происходит, не наблюдается и подобного распределения потенциала [28]. Согласно другой точке зрения, на латуни образуется хрупкая оксидная пленка, которая под напряжением постоянно растрескивается, а обнажившийся подлежащий металл подвергается дальнейшему окислению [29, 30]. Возможно также, что структурные дефекты в области границ зерен напряженных медных сплавов способствуют адсорбции комплексов ионов меди с последующим ослаблением металлических связей (растрескивание под действием адсорбции). В соответствии с этим предположением, ионы Вг и С1 действуют как ингибиторы, вытесняя с поверхности комплекс металла (конкурирующая адсорбция). [c.338]

Наибольшее распространение имеют пьезоэлектрические преобразователи, представляющие собой пластинку, изготовленную из монокристалла кварца или пьезокерамических материалов титанат бария, цирконат-титанат свинца и др. На поверхности этих пластинок наносят тонкие серебряные электроды и поляризуют их в постоянном электрическом поле. Излучаюшую пластинку монтируют в специальной выносной искательной головке, связанной с генератором коаксиальным кабелем. [c.195]

Металловедение (1978) -- [ c.28 ]

Теория сварочных процессов (1988) -- [ c.11 , c.12 ]

Термодинамика и статистическая физика (1986) -- [ c.153 ]

Прикладная механика твердого деформируемого тела Том 1 (1975) -- [ c.155 , c.198 , c.230 , c.231 , c.330 ]

Металлургия черных металлов (1986) -- [ c.251 ]

Металловедение и термическая обработка Издание 6 (1965) -- [ c.53 ]

Металлургия и материаловедение (1982) -- [ c.93 ]

Сопротивление материалов (1959) -- [ c.15 , c.27 , c.229 ]

Прокатка металла (1979) -- [ c.11 ]

Краткий курс сопротивления материалов Издание 2 (1977) -- [ c.125 ]

Материаловедение Технология конструкционных материалов Изд2 (2006) -- [ c.15 ]

Теория сварочных процессов Издание 2 (1976) -- [ c.13 ]

Металловедение Издание 4 1963 (1963) -- [ c.16 ]

Металловедение Издание 4 1966 (1966) -- [ c.2 , c.476 ]

Механика электромагнитных сплошных сред (1991) -- [ c.20 ]

Сопротивление материалов (1962) -- [ c.134 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...