Полупроводники биполярная диффузия

Д. н. а. в п. сопровождается рекомбинацией носителей заряда в полупроводниках. В результате при биполярной диффузии неравновесных носителей диффузионный поток проникает на расстояния порядка диффузионной длины, носителей от источника неравновесных носителей. [c.690]

Процесс передачи теплоты в полупроводниках существенно сложнее, чем в диэлектриках, так как на него существенно влияют примеси, биполярная диффузия (диффузия пары электрон-дырка) и связанная с ней биполярная теплопроводность, а также дополнительный перенос энергии электромагнитным излучением (фотонами) и некоторые другие механизмы. [c.23]

Явление переноса теплоты в полупроводниках сложнее, чем в диэлектриках и металлах, т. к. для них существенны и Яд, и также в связи со значит, влиянием на X примесей, процессов биполярной диффузии, переноса экситонов и др. факторов. [c.748]

Процессы диффузии очень распространены и играют огромную роль во многих важнейших технологических процессах получения и обработки полупроводников, а также при фазовых и структурных превращениях. Диффузия примесей лежит в основе процесса гомогенизации свойств материала при термообработках, в ряде случаев лимитирует очистку, играет огромную роль при распаде пересыщенных твердых растворов, их упорядочении и разупорядочении. Процессы диффузии используются для получения р — я-переходов, для формирования базовых и эмиттерных областей и резисторов в биполярной технологии изготовления полупроводниковых приборов, для создания областей истока и стока в МОП-техно-логии и т. д. Поэтому знание основных законов диффузии, диффузионных параметров примесей необходимо для выбора оптимальных режимов технологических операций, а также для понимания некоторых эффектов, проявляющихся в процессе изготовления полупроводниковых схем и приборов. [c.283]

Биполярную диффузию (такое название получил перенос энергии ионизации пар) обсуждали Драбл и Голдсмид [61], которые основывались на работах Давыдова и Шмушкевича [54] и Прайса [194]. У собственного полупроводника, у которого щирину запрещенной зоны можно охарактеризовать единственной величиной Ед при температуре Т, на возбуждение электрона в зону проводимости и образование дырки в валентной зоне затрачивается на горячем конце образца энергия Eg при рекомбинации эта же энергия выделяется на холодном конце. Такой перенос энергии происходит дополнительно к ее переносу электронами и дырками по отдельности, но находится в связи с последним. Биполярная диффузия эффективна не при любом соотношении между подвижностями электронов и дырок. Отнощение подвижностей я входит в выражение для теплопроводности симметрично, так что при заданной величине обычной теплопроводности максимум биполярной [c.257]

Др. особенность Д. и. з. в п. определяется наличием носителей двух знаков в полупроводниках с биполярной проводимостью. Объёмный заряд, возникающий при диффузии носителей одного типа, может компенсироваться носителями др. типа. Обычно коэф. диффузии носителей разного знака различны. Поле об г,ёмпого заряда замедляет более подвижные и ускоряет менее подвижные носители. В результате происходит совместное перемещение носителей заряда обоих знаков, имеющее характер диффузии (биполярная, или а мб и полярная, диффузия). Диффузион-пые потоки электронов и дырок при биполярной диф-О90 фузии пропорциональны градиентам концентрации со- [c.690]

Контакты с обеднённым слоем (рис. 1) в равновесном случае обогащены неосновными носителями (поле, к-рое вытесняет осн. носители, втягивает неосновные). При прохождении тока в обратном наиравлении происходит экстракция (извлечение, вытягивание) в контакт неосновных носителей из приконтактной части образца, протяжённость к-рой определяется длиной диффузии неосновных носителей. Экстракция — слаботоковое явление на обратной ветви ВАХ, тогда как эксклюзия — сильнотоковый эффект. Эти эффекты смыкаются лишь в собственном полупроводнике. Экстракция неосновных носителей обратно смещённым обеднённым слоем используется в коллекторах биполярных транзисторов. [c.447]

При контактной инжекции или при локальной фотогенерации распределение пар по образцу осуществляется благодаря амбиполярной диффузии, а при пропускании через образец тока — благодаря биполярному дрейфу. Биполярный дрейф имеет место в примесном полупроводнике, где концентрация электронов п отлична от концентрации дырок р, причём направление дрейфа в электрич. поле Б определяется знаком разности р — в. Именно благодаря дрейфу возможен токовый перенос неравновесной концентрации на большие расстояния, оцениваемые длиной биполярного дрейфа [c.603]

Ток, проходящий через плазму, является источником неоднородного магн. поля, действующего на носители, образующие плазму, и изменяющего их движение в электрич. поле. В моиополярной плазме это приводит к собств. магнетосопротивлению. В биполярной плазме наряду с ним возникают также перераспределение концентраций и магн. пинч-эффект. Сила Лоренца, действующая на носители, направлена всегда так, чтобы сжать исходную однородную плазму в шнур,— биполярная плазма отрывается от поверхностей образца, диаметр к-рого сростом тока уменьшается, а плотность плазмы растёт. Сжимающему действию сил Лоренца противостоит амбиполяреая диффузия (см. Шнурование тока в полупроводнике). [c.603]

В собственных полупроводниках с достаточно низкой проводимостью возможно проявление биполярного переноса тепла, обусловленного диффузией пар электрон — дырка. Биполярный теплоперенос можно оценить по упрощенной формуле Давыдова—Шмушкевича, полученной в предположении о равенстве электронной и дырочной проводимостей в расплаве [c.36]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...