Концентрация носителей в полупроводниках в несобственном полупроводнике

Соотношения (28.24) и (28.23) дают возможность выразить концентрации носителей в несобственном полупроводнике через их значения для собственного [c.198]

Чтобы полностью описать концентрации носителей в несобственных полупроводниках, необходимо определить Ап или [х. Для этого нужно исследовать природу электронных уровней, обусловленных примесями, и статистическую механику заполнения этих уровней при термодинамическом равновесии. [c.199]

Приведем количественные оценки величины д в нескольких случаях. Для типичного полупроводника — несобственного кремния -типа (е = 11,9 о = см ) при комнатной температуре д s 0,13 мкм. При увеличении концентрации свободных носителей заряда до о 5-10 см" (такая концентрация свободных электронов характерна для полуметалла висмута) вычисление по формуле (1.8) приводит к значению д = 6 нм для концентрации о = см (металл) — д < 0,1 нм. [c.20]

ОБЩИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИМЕРЫ ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ТОКА ПРИ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОМ РАВНОВЕСИИ СОБСТВЕННЫЕ И НЕСОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ ЗАПОЛНЕНИЕ ПРИМЕСНЫХ УРОВНЕЙ ПРИ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОМ РАВНОВЕСИИ РАВНОВЕСНЫЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРОВОДИМОСТЬ ЗА СЧЕТ ПРИМЕСНОЙ ЗОНЫ ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В НЕВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.184]

Если примеси поставляют существенную часть электронов зоны проводимости и (или) дырок валентной зоны, то мы имеем дело с несобственным полупроводником. Из-за наличия таких добавочных источников носителей концентрация электронов в зоне проводимости уже не обязательно должна быть равна концентрации дырок в валентной зоне, т. е. [c.198]

Концентрация носителей в полупроводниках II 194—199, 203—209 в неравновесном р— п-переходе II 218, 227 в несобственном полупроводнике II 198, 199 [c.398]

Отметим также, что если отклонение Ап велико по сравнению с n , то, согласно формуле (28.25), концентрация носителей одного типа фактически равна Ап, а концентрация носителей другого типа меньше примерно в AnlniY раз. Поэтому если основным источником носителей тока являются примеси, то один из двух типов носителей будет доминируюш им. Несобственный полупроводник называется полупроводником г-типа или р-типа в зависимости от того, какой тип носителей преобладает — электроны или дырки. [c.199]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...