Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Равновесная концентрация

Чз табл. 1.2 следует, что в качестве материала сердечников используется не только карбидное, но п окисное топливо. Объясняется это следующим. В последнее время было обнаружено, что реакция окисления пироуглерода с образованием окиси углерода быстро затухает при достижении равновесной концентрации СО. По-видимому, выбор окисного топлива определяется лучшими свойствами двуокиси урана по удержанию  [c.14]

Отношение равновесной концентрации компонента в паровой фазе к равновесной концентрации того же компонента в жидкой фазе называется коэффициентом распределения , или равновесным отношением и обозначается через К  [c.274]


Влияние давления на равновесный состав смеси можно объяснить принципом Ле-Шателье — с повышением давления возрастают равновесные концентрации компонентов для той части уравнения реакции, которой соответствует меньший объем. Это влияние наиболее ярко проявляется в газовых системах влияние давления на равновесные концентрации незначительно для мало сжимаемых жидкостей и твердых веществ.  [c.303]

В разд. 5.2 было показано, что учет равновесной концентрации дефектов решетки в платине приводит к появлению дополнительного члена в уравнении, описывающем зависимость сопротивления от температуры. Для реального термометра уравнение (5.5) может быть записано в виде [10]  [c.215]

Обсудим более подробно влияние ПАВ на движение газовых пузырьков (у из формулы (3. 3. 37) — коэффициент, характеризующий это влияние). Нетрудно убедиться в том, что с ростом у средняя скорость движения пузырьков и р уменьшается, т. е. коэффициент у представляет собой коэффициент запаздывания, вызываемого наличием ПАВ. Оценим величину у по методу, предложенному в [381. Будем считать, что изменение коэффициента поверхностного натяжения а связано с изменением равновесной концентрации П.ЛВ в жидкости вблизи поверхности раздела фаз В свою очередь, изменение с обусловлено изменением концентрации ПАВ на межфазной поверхности Г  [c.109]

Допущение о малости осевой конвекции является правомерным, поскольку можно считать, что концентрация газа в объеме системы близка к его равновесной концентрации с и градиент концентрации газа вдоль оси близок к нулю. Все это, естественно, справедливо для той части канала, которая находится на достаточном удалении от входных отверстий.  [c.306]

Константу равновесия можно выражать и в других величинах, например молярных концентрациях (моль/л) и т. д. Используя значение константы равновесия, вычисленное по термодинамическим функциям или найденное экспериментально, можно определить равновесные концентрации.  [c.270]

При переходе диффундирующих атомов границы раздела двух фаз (например, из жидкой в твердую или наоборот) необходимо учитывать коэффициент распределения, так как равновесные концентрации в данном случае не будут равны между собой. Такой процесс называют гетеродиффузией.  [c.296]

Равновесие Белла — Будуара удобно представить в координатах % СО — Т для условия постоянного давления (обычно равного 1,013-10 ПА). На рис. 9.21 приведена диаграмма равновесных концентраций СО в зависимости от температуры. При высоких температурах ( 980 К) углерод интенсивно газифицируется и повышает концентрацию СО в газовой фазе.  [c.333]


При изотермической выдержке при температурах гомогенизации на границах зерен и в зернах устанавливаются равновесные концентрации в соответствии со следующей зависимостью  [c.462]

В случае, если температура нагрева до достижения равновесной концентрации будет ниже, чем температура закалки исходного сплава, концентрация примесей на границах зерен будет повышаться. При дальнейшем нагреве вплоть до температуры начала роста зерна (Гн.р) происходит рассасывание примеси. При достижении Г ,р и дальнейшем ее повышении одновременно с процессом диффузии примеси в глубь зерна происходит интенсивный рост самих зерен вследствие перемещения (миграции) старых границ и образования новых.  [c.463]

Рассчитаем равновесную концентрацию точечных дефектов на примере вакансий.  [c.469]

Равновесную концентрацию вакансий будем определять из условия минимума свободной энергии системы. Приращение свободной энергии системы, вызванное образованием вакансии,  [c.469]

Так как iV>n, выражение для равновесной концентрации вакансий можно записать в виде  [c.470]

Равновесная концентрация вакансий в металлах при нагреве до температуры плавления близка к 10 .  [c.473]

На рис. 12.38 показаны концентрации вакансий в стали при сварке и закалке в диапазоне температур от нормальной до температуры ликвидуса Тл. Оба технологических процесса приводят к существенному повышению концентрации вакансий по сравнению с равновесной концентрацией.  [c.473]

В сварном соединении равновесная концентрация вакансий резко снижается при удалении точки от зоны сплавления. Это приводит к снижению интенсивности выделения вакансий в процессе сварки и после нее.  [c.473]

Перераспределение элементов между объемом зерен и их границами имеет сложный характер и зависит от температуры. Предельное развитие процесса — образование так называемой равновесной сегрегации элементов на границах зерен, которая оценивается отношением равновесных концентраций элементов на границе Сгр и в объеме зерна Са. Согласно теоретическим представлениям Сг.р возрастает по мере снижения температуры (рис. 13.15). В реальных условиях нагрева или охлаждения действительная или неравновесная сегрегация на границах Сг.н начинает развиваться при температурах выше температуры заметной диффузионной подвижности растворенного элемента Т .  [c.508]

Сд и С, р— равновесная концентрация а зерне и на границе с с" с<, г— неравновесные концентрации на границе при различных коэффициентах диффузии О и D" (или скоростях нагрева ш и ai j и ее оплавлении 7 акс — максимальная температура нагрева температура неравновесного солидуса  [c.509]

При быстром охлаждении при закалке или в процессе сварки в металле также фиксируется неравновесная концентрация вакансий. Равновесная концентрация вакансий С р зависит от рода металла и увеличивается с температурой. При охлаждении С р уменьшается в результате аннигиляции вакансий на стоках, которыми служат внешние поверхности, границы зерен (субзерен) и дислокации. При ускоренном охлаждении С р не успевает установиться, поэтому в металле фиксируется часть числа вакансий, соответствующего более высоким температурам. На рис. 13.16 приведены расчетные значения неравновесной концентрации вакансий С в железе для условий ускоренного охлаждения при сварке (считается, что стоками служат только дислокации).  [c.510]

РАВНОВЕСНАЯ КОНЦЕНТРАЦИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ  [c.88]

Здесь /о — равновесная концентрация примеси в областях, где нет дислокаций, а р определяется выражением  [c.109]

Одновременно с процессом образования свободных носителей генерацией) идет процесс их исчезновения рекомбинации). Часть электронов возвращается из зоны проводимости в валентную зону и заполняет разорванные связи (дырки). При данной температуре за счет действия двух конкурирующих процессов генерации и рекомбинации в полупроводнике устанавливается некоторая равновесная концентрация носителей заряда. Так, например, при комнатной температуре концентрация свободных электронов и дырок составляет в кремнии примерно 10 ° см 3, в германии приблизительно Ю з см-з.  [c.242]

Концентрация носителей. Равновесная концентрация электронов, для которых возможный интервал энергий лежит в пределах зоны проводимости, определяется выражением  [c.243]

Найдем теперь равновесную концентрацию дырок в валентной зоне  [c.245]

С - вектор-столбец, содержащий мольные концентрации компонентов смеси, причем С()(т), f - в начальном сечении и равновесных концентраций соответственно  [c.85]


Сг=10 5, а при Uf,z= 0 эВ и тех же Г и V Сг=10 °. Это означает, что практическое значение имеет учет равновесной концентрации дефектов, энергия которых не превышает нескольких электрон-вольт. Более слабую роль играют эффекты изменения частоты колебаний, особенно если учесть, что изменение частоты vs/vr более чем на 10% маловероятно.  [c.232]

В первом предельном случае, характеризуемом бесконечно большой скоростью рекомбинации, в каждой точке пограничного слоя устанавливается термодинамическое равновесие и диффузионная теплопередача в слое обусловлена наличием профиля равновесных концентраций. В практических случаях условия течения, близкие к такому гипотетическому равновесному пограничному слою, создаются тогда, когда скорость диффузии пренебрежимо мала по сравнению со скоростью диссоциации и рекомбинации (а в случае ионизации — также и электронных реакций).  [c.703]

Найдем, к примеру, равновесную концентрацию водяного пара в атмосферном воздухе с температурой = 25 °С на границе с поверхностью водяной капли, имеющей температуру 18 °С. При этой температуре по таблицам термодинамических параметров воды и  [c.58]

Рис. 1.17. Примерный вид зависимости от температуры равновесной концентрации компонента а в бинарной смеси с полупроницаемой поверхностью раздела Рис. 1.17. Примерный вид зависимости от температуры равновесной концентрации компонента а в бинарной смеси с полупроницаемой поверхностью раздела
Таким образом, для бинарных смесей с проницаемой границей накладываются определенные ограничения на концентрации каждого из компонентов по обе стороны границы эти концентрации равны равновесным концентрациям при давлении в системе и температуре поверхности раздела фаз. Из рис. 1.18 ясно, что в общем случае равновесные концентрации рассматриваемого компонента а не одинаковы в жидкой и паровой фазах при фиксированных температуре и давлении.  [c.59]

Наибольшие равновесные концентрации продуктов реакции всегда связаны со стехиометрией, т. е. компоненты, загружаемые в реактор, должны быть в том же соотошении, в котором они реагируют (см. пример 2). Присутствие инертного компонента или избытка одного реагирующего вещества всегда вызывает понижение равновесных концентраций продуктов в равновесной реакционной смеси.  [c.303]

В качестве краевых условий в моделях полупроводниковых приборов используют зависимости потенциалов на контактах от времеин, принимают значения концентраций носителей на границе между внешним выводом и полупроводником равными равновесным концентрациям Ра и Яо, для границ раздела полупроводника и окисла задаются скоростью поверхностной рекомбинации gs, что определяет величины нормальных к поверхности раздела составляющих плотностей тока Jp и Jn, и т. д.  [c.156]

НОВ высшего порядка. На практике квадратичная зависимость удельного сопротивления от температуры хорошо согласуется с экспериментальными наблюдениями до температур порядка 900 К- При более высоких температурах в уравнение должен быть добавлен еще один член, учитывающий влияние вакансий решетки. Равновесная концентрация вакансий в металле приводит к увеличению удельного сопротивления Ар, описываемому уравнением вида Ap — expi — EflkT], (5.5)  [c.195]

Сравнительно большая скорость диффузии при естественном старении объясняется пересыщением твердого раствора вакансиями. Равновесная концентрация вакансий при температуре закалки на много порядков выше, чем при комнатной температуре. В процессе закалки вакансии не успевают уйти в стоки (границы зерен, дислок п1нп и др,) и облегчают миграцию легирующих элемемтов,  [c.324]

Жидкости содержат растворенные газы, количество которых в равновесных условиях зависит от свойств жидкости и газа, а также от давления и температуры. Зависимость равновесной концентрации z растворенного газа в жидкости от давления для слаборастворимых газов выражается законом Генри z = А (t)p, где р - парциальное давление газа над раствором A(t) -коэффициент пропорционапьности, зависящий от свойств жидкости и газа, а также от температуры. Для большинства жидкостей А (f) уменьшается с увеличением температуры. Очень часто растворимость газа в жидкости характеризуют с помощью коэффициента абсорбции Бунзена а, который равен объему газа, приведенному к О с и 760 мм рт. ст., поглощенному единицей объема жидкости при парциальном давлении газа, равном 760 мм рт. ст. В табл. 2.2 в качестве примера приведены данные о коэффициенте абсорбции для кислорода.  [c.27]

Рис. 9.21. Равновесные концентрации СО в зависимости от температуры для реакции Белла — Будуара (р = onst) Рис. 9.21. Равновесные концентрации СО в зависимости от температуры для <a href="/info/132080">реакции Белла</a> — Будуара (р = onst)
На рис. 9.28 представлены кривые зависимости концентраций Нз при восстановлении оксидов железа от температуры. Для всех кривых характерны отрицательные производные, т. е. снижение равновесных концентраций при повышении температуры (см. рисунок). Точка пересечения трех кривых совпадает с нонвариант-ной точкой в системе Fe — О при Т — 845 К.  [c.343]

Наиболее далеко идущим прогнозом, следующим из модели Тисса, явилось предсказание существования тепловых волн в жидкости—явления, ставшего впоследствии известным под названием второго звука . Формальное рассмотрение двух взаимопроникающих жидкостей, обладающих разной энтропией, приводит к волновому уравнению для неоднородностей температуры вместо диссипативного уравнения теплопроводности. Тисса предположил поэтому, что нарушения равновесной концентрации двух жидкостей будут выравниваться посредством волнового движения, а но посредством диффузии. Это волновое движение, как и следовало ожидать, будет несколько похоже на акустический звук с той существенной разницей,, что при этом не будет происходить заметных колебаний плотности жидкости. Вместо них будут наблюдаться колебания относительной плотности двух жидкостей, т. е. колебание температуры. С этой точки зрения подходящим параметром для характеристики диссипации тепловых импульсов в Не II является не теплопроводность вещества, а скорость распространения в нем тепловых волн. На основании своей модели Тисса предположил, что эта скорость будет возрастать от нуля в Х-точке до максимума примерно при 1,5" К и затем уменьшаться при дальнейшем нонижении температуры.  [c.803]



Смотреть страницы где упоминается термин Равновесная концентрация : [c.218]    [c.29]    [c.104]    [c.127]    [c.474]    [c.212]    [c.58]    [c.58]    [c.313]    [c.13]    [c.18]   
Динамика процессов химической технологии (1984) -- [ c.13 , c.205 ]



ПОИСК



Концентрация газа в жидкостях равновесная

Концентрация носителей в полупроводниках в равновесном р — re-переходе

Математическое ожидание равновесной концентрации для частиц псевдоожиженного слоя

Примеры полупроводников Типичные примеры зонной структуры полупроводников Циклотронный резонанс Число носителей тока при термодинамическом равновесии Примесные уровни Заселенность примесных уровней при термодинамическом равновесии Равновесная концентрация носителей в примесном полупроводнике Проводимость за счет примесной зоны Теория явлений переноса в невырожденных полупроводниках Задачи Неоднородные полупроводники

Равновесная концентрация вакансий

Равновесная концентрация вакансий дефектов

Равновесная концентрация вакансий методы опредолепн

Равновесная концентрация легкокипящего

Равновесная концентрация легкокипящего компонента

Равновесная концентрация точечных дефектов

Расчет равновесных концентраций ионов в предочищенной воде. Программа ПРЕДОЧ



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте