Легирование полупроводников и получение р-п-переходов

Первый метод состоит в добавлении легированного полупроводника в расплав в процессе вытягивания. Первоначально ведут вытягивание монокристалла, наиример, из расплава -германия. В известный момент в расплав вводят навеску сильно легированного р-германия. Сразу же в вытягиваемом кристалле начнет преобладать р-проводимость. Полученная р-область вместе с ранее выращенным участком кристалла образует р- н-переход. [c.184]

Легирование полупроводников и получение р-п-переходов [c.595]

Кремний является непрямозонным полупроводником и поэтому на его основе нельзя получить оптические квантовые генераторы (лазеры). Хотя в последнее время получены данные о создании лазеров на основе кремния, легированного эрбием, за счет прямых переходов в эрбий, но очень малая растворимость последнего в кремнии позволяет получить лазеры только малой мощности, которые не представляют практического интереса. Получение же пригодных и одновременно хорошо растворимых примесей является вряд ли разрешимой задачей. [c.155]

Формируют р-и-переход путем введения акцепгорной добавки — трехвалентиого металла, получая дырочный полупроводник, и путем введения донорной добавки — пятивалентного металла, например сурьмы или мышьяка, получая. электронный полупроводник, В качестве типичных способов введения примесей существуют такие, как сплавление, выращивание кристалла. Рассмотрим кратко способ сплавления. На электронный германий кладут мелкое зерно индия (точка плавления 160°С) и нагревают в атмосфере аргона до 550°С. При этом часть германия сплавляется с индием, и получается двух-комионентный расплав (о расплавах см. 5-4-2). После 10—15 мин охлаждения происходит рекристаллизация, заключающаяся в то.м, что на поверхности исходного кристалла из полученного расплава кристаллизуется слой германия, легированного индием. Этот слой представляет собой дырочный германий. Так образуется р-п переход. [c.380]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...