Основные типы уровней энергии

Основные типы уровней энергии [c.227]

Таковы основные типы уровней энергии. Благодаря разнообразию этих типов получается весьма сложная структура уровней, особенно для молекул. При этом не всегда можно разделить различные виды движения и отнести уровни к определенному типу. Возможны и отличные от перечисленных типы расщепления в результате взаимодействия различных видов движения. [c.229]

Под энергетической расходимостью излучения лазера понимают плоский или телесный угол при вершине конуса, внутри которого распространяется заданная доля энергии или мощности пучка излучения [88]. Чаще всего расходимость определяют на уровне половинной интенсивности или на уровне, где интенсивность падает в е раз от максимальной величины. Такое определение расходимости справедливо для сравнительно однородного по сечению луча, соответствующего основному типу колебаний (ТЕМ 00 ) резонатора. В случае многомодового излучения говорят о диаграмме направленности, понимая под этим угловое распределение энергии или мощности излучения в дальней зоне пространства, т. е. на таких расстояниях I > от излучателя, когда погрешности в фазах колебаний, складывающихся в точке наблюдения от всех элементарных участков апертуры луча D, малы по сравнению с л. При меньших расстояниях обычно нельзя говорить о диаграмме направленности, так как распределение интенсивности по углам зависит в этих случаях от расстояния I. [c.101]

И, наконец, если предположить, что энергия удара, установленная с помош ью этого метода, внесена в технические условия на материал, то остается неизвестной надежность материала, несколько отличаюш егося по свойствам, но удовлетворяюш его всем требованиям, включая энергию разрушения, для которого эта энергия соответствует сравнительно меньшей степени вязкости, определяемой по внешнему виду излома. По этим причинам необходимо полагаться в основном на корреляцию между эксплуатационным опытом или опытом тш ательных испытаний прототипа и уровнем энергии разрушения по Шарпи, чтобы гарантировать безопасные ударные характеристики. Кроме этого, в технических условиях должны быть указаны типы материалов, конкретные составы и уровни прочности, для которых суш ествуют данные о корреляции между результатами испытаний и эксплуатационным опытом. Этот метод успешно применялся для контроля свойств толстолистовых судовых сталей во время известного кризисного периода разрушения судов во время второй мировой войны. [c.303]

На схеме уровней энергии фиг. 108 показаны переходы, разрешенные правилами отбора для случая 11 —. Основное отличие от первого типа состоит в том, что, кроме ветвей Р м R, мы получаем интенсивную ветвь Q. Эта ветвь описывается следующей формулой [c.414]

В тетраэдрических молекулах имеется три типа вырожденных колебательных уровней — Е, р1 и Основные частоты молекул и ХУ принадлежат только к двум из них, а именно к Е н Р (см. стр. 159). Рассматривая колебания, изображенные на фиг. 41, нетрудно заметить, что при возбуждении одной составляющей дважды вырожденного колебания 7.2 силы Кориолиса не могут возбудить вторую составляющую. Следовательно, для дважды вырожденных колебательных состояний расщепление Кориолиса отсутствует, а, их вращательные уровни энергии совпадают с вращательными уровнями невырожденных колебательных состояний [см. (4,77)]. [c.475]

Фиг. 149. (<2) —схема уровней энергии полосы типа Л асимметричного волчка (б) — спектр для наиболее низких значений У. И схема уровней и спектр вычерчены в масштабе, соответствующем основной частоте ( ) молекулы Н О (согласно данным Нильсена [667]), для которой ось С) совпадает с осью среднего момента инерции. Обозначения типов симметрии применимы именно к этому случаю. [c.500]

В случаях атомов, двухатомных молекул, а также линейных многоатомных молекул влияние электронного спина на уровни энергии легче понять с помощью векторной модели, без применения теории групп. Но векторная модель неприменима в случае молекул, принадлежащих к точечным группам с симметрией конечного порядка, т. е. в случае нелинейных молекул (а также атомов в кристалле). Причина состоит в том, что число типов симметрии здесь не бесконечно (и часто очень мало), и поэтому отсутствует однозначное соответствие между различными значениями S и типами симметрии, которое имеется в случае атомов, двухатомных и линейных многоатомных молекул. Вследствие этого необходимо установить типы симметрии спиновых функций при различных значениях S для всех основных точечных групп. Теперь это легко сделать, так как известны типы для точечной группы надо только установить, на какие типы распадаются типы группы при переходе к точечным группам более низкой симметрии. Результат приведен в табл. 56 приложения И. [c.24]

При температуре тела выше абсолютного нуля некоторое количество электронов, зависящее от температуры и величины запрещенной зоны, может обладать необходимой для перехода энергией и находиться в свободной зоне в основной зоне будет находиться равное количество незанятых уровней. Переход электронов из одной зоны в другую является непрерывным процессом, и состояние, характеризующееся наличием в среднем некоторого количества электронов в свободной зоне и равного ему количества незанятых уровней в основной зоне, является состоянием динамического равновесия, соответствующего данной температуре тела. Между указанными классами твердых тел нельзя провести резких границ некоторые кристаллические твердые тела проявляют свойства, характерные для нескольких типов связи. [c.36]

Типичным представителем этого типа ОКГ является аргоновый лазер (рис. 25). Давление аргона в трубке обычно составляет десятые доли мм рт. ст. При увеличении давления газа концентрация электронов возрастает, а электронная температура уменьшается. Это приводит к достижению некоторого оптимального давления, при котором энергия и мощность генерации максимальны. Питание трубки осуществляется от источника постоянного напряжения, однако возможно использование и высокочастотного разряда. При возрастании тока разряда увеличивается концентрация заряженных частиц, поэтому мощность генерации сильно увеличивается. Вначале, после достижения порога генерации, имеет место очень быстрый рост выходной мощности. Затем, по мере возрастания тока, увеличение мощности замедляется и стремится к насыщению. Насыщение возникает вследствие все возрастающего поглощения фотонов на переходе между нижним рабочим и основным ионным состояниями, что приводит к возрастанию заселенности нижнего рабочего уровня. Однако практически величина тока, идущего через газоразрядную трубку, ограничивается величиной нагрузки, которую может выдержать капилляр (рис. 26). [c.42]

Так возникло представление о смешанных или гибридных связях [4]. В случае метана смешанная связь должна, очевидно, содержать одну s-орбиту и три уз-орбиты ее называют гибридизацией sjD -типа. Таких типов гибридизации может быть много. Основным преимуществом гибридной орбиты является высокая степень направленности, позволяющая осуществить более полное перекрывание и, следовательно, образовать более прочную связь. Одно из главных условий эффективной гибридизации заключается в близости энергий соответствующих атомных орбит. Как уже было указано, у тяжелых элементов орбиты с -типа часто весьма близки по энергии к s- и р-орбитам следующего слоя. В никеле, например, энергии уровней 3d, 4s и 4р различаются менее чем на 6,4-10- дж (4 эв). Полинг первым показал, что подходящие комбинации этих орбит могут давать очень четко направленные гибридные орбиты, имеющие координационные числа и углы между связями, совершенно отличные от тех, которые можно ожидать от спаривания атомных s, р, с/-орбит. [c.19]

Холодные трещины - тип II (см. рис. 2.1. и 2.3) относятся к виду хрупкого разрушения, которое происходит при сочетании трех основных факторов закалочной структуры, повышенного уровня растягивающих напряжений и насыщенности металла водородом [31]. Образование холодных трещин включает процесс зарождения (подготовительная и инкубационная стадии процесса замедленного разрушения) и процесс спонтанного развития трещины (лавинообразного разрушения). Процесс зарождения холодных трещин протекает по фаницам действительного зерна аустенита с возрастанием упругой энергии искаженной структуры [30] при последующем транскристаллитном развитии разрушения. [c.89]

ЭПР применен для изучения электрически активных химических примесей и исследования дефектов, образующихся при облучении кремниевых полупроводников с проводимостью л-типа электронами с энергией 1,5 МэВ. Показано, что при получении кремния методом вертикальной зонной плавки основные уровни, образующиеся при облучении, расположены гораздо глубже в запрещенной зоне и собственная проводимость проявляется при значительно меньших дозах, чем в кремнии, выращенном в кварцевых тиглях. [c.182]

Вероятность этих двух процессов очень большая, поскольку АЕ и АЕ много меньше кТ. Следовательно, населенности трех уровней 10 0, 02°0 и 01 О достигают теплового равновесия за очень короткое время. Это равносильно утверждению, что населенности этих уровней можно описать колебательной температурой Т2. В общем случае температура Гг отличается от Г]. Поэтому нам остается найти скорость релаксации с уровня 01 О на основное состояние 00 0. Если бы она была небольшой, то это вызвало бы накопление молекул на уровне 01 О во время генерации лазера, а затем накопление населенности на уровнях 10 0 и 02 0, поскольку уровень 01 О находится с последними в тепловом равновесии. Таким образом, произошло бы замедление процесса релаксации всех трех уровней, т. е. в общем процессе релаксации переход 01 0 00 0 представлял бы собой узкое место . В связи с этим важно изучить вопрос о времени жизни уровня 01 0. Заметим, что, поскольку переход 01 0 00 0 обладает наименьшей энергией среди всех молекул, присутствующих в разряде, релаксация с уровня 01 О может происходить только путем передачи этой энергии в энергию поступательного движения сталкивающихся частиц (VT-релаксация). Из теории столкновений нам известно, что энергия с большей вероятностью передается более легким атомам, т. е. в нашем случае гелию. Это означает, что время жизни уровня снова определяется выражением типа (6.7), причем коэффициент а, для Не много больше, чем для остальных частиц. При тех же парциальных давлениях, что и в рассмотренном выше примере, время жизни составляет около 20 МКС. Из только что проведенного обсуждения следует, что это же значение времени жизни имеет и нижний лазерный уровень. За счет того, что время жизни верхнего лазерного состояния намного больше, населенность будет накапливаться на верхнем лазерном уровне и условие непрерывной генерации также выполняется. Заметим, что наличие гелия приводит и к другому важному эффекту за счет своей высокой теплопроводности гелий способствует поддержанию низкой температуры СО2 [c.364]

Эффективность приема оптической системы зависит от уровня внешних и внутренних помех. По виду статистических распределений внешние и внутренние шумы могут подразделяться на ряд типов, описываемых в основном распределениями Пуассона и Бозе—Эйнштейна нередко, однако, шумовое излучение характеризуется отрицательно-биномиальным распределением. Такие источники шумового излучения, как Солнце, Луна, звезды, рассеянное излучение атмосферы являются внешними тепловыми источниками (ансамбль некогерентных макроскопических излучателей) статистическое распределение фотонов для этих источников при значительной их интенсивности является распределением Бозе— Эйнштейна, поскольку амплитуды излучения распределены по закону Гаусса. Следует, однако, отметить, что когда интенсивность теплового излучения мала, т. е. энергия, приходящаяся на степень свободы шумового поля, незначительна, распределение-описывается законом Пуассона, так как последний является предельным для ряда рассматриваемых здесь распределений (см. приложение 2). [c.51]

Тем не менее формула для энергии типа (16.9) в.применении к ядру разъясняет основные особенности совокупности ядерных уровней при высоких возбуждениях ядра, и, в частности, показывает, что плотность ядерных уровней возрастает с увеличением энергии возбуждения. Конечно, при этом не может быть и речи о точном определении D U), так как формула (16.8 ) очень чувствительна к значению энтропии [c.160]

Методы решения диффузионных задач многообразны в зависимости от конкретных условий исследовательской практики. Они подробно изложены в работе [18] и относятся в основном объемным изменениям в структуре металлов и сплавов. Исследования диффузионных процессов при трении связаны со значительными экспериментальными и теоретическими трудностями. Последние обусловлены тем обстоятельством, что структура металлических систем формируется в результате сложной совокупности процессов, происходящих при трении и вызванных высоким уровнем напряжений, влиянием окружающей среды (см. гл. 4), значительными объемными и поверхностными температурами и температурными градиентами. Многочисленные экспериментальные данные показывают, что процессы структурных изменений при трении локализуются в тонких поверхностных слоях, и активная зона может быть отнесена к тонкопленочным объектам. Масштабный эффект сопровождается многообразием отклонений физических и физико-химических свойств системы от монолитного состояния для сплавов наиболее характерной особенностью является значительное изменение пределов растворимости. Кроме того, структура поверхностей трения является диссипативной, т. е. образующейся и поддерживаемой в нелинейной системе с большим числом степеней свободы с помощью внешнего источника энергии [71, 109]. Вторичная структура (диссипативная структура, формирующаяся при трении) — результат неустойчивости, образуется вследствие флуктуаций мерой скорости ее образования является производство избыточной энтропии. Структура поверхности трения — это новое состояние вещества вдали от равновесия и неустойчивости, порожденное потоком свободной энергии и приводящее к новым типам организации материи за [c.139]

Благодаря способности сопротивляться кавитационному разрушению листовая резина нашла применение в качестве защитного покрытия в некоторых низконапорных гидравлических турбинах и других аналогичных устройствах, а также рассматривалась как возможное защитное покрытие для винтов и других выступающих частей корабля. Было замечено, что при повышении интенсивности кавитации до некоторого критического уровня резина может начать отрываться большими кусками. Изучение такого материала после разрушения показывает, что иногда его внутренние слои нагреваются до высоких температур. Вероятно, это можно объяснить демпфирующей способностью резины и ее сравнительно малой теплопроводностью. Относительно большая часть энергии кавитационного воздействия, поглощаемой резиной, превращается внутри нее в тепло которое вследствие малой теплопроводности этого материала не может быть отведено без значительного повышения температуры. Если подводимая энергия столь велика, что резина нагревается до температуры, при которой она разрушается вследствие изменения состава, образования газов или появления других признаков разложения, то деталь выходит из строя. В связи с этим может оказаться перспективным эластичный материал с меньшей способностью к демпфированию и обладающий высокой теплопроводностью. По мере накопления количественных данных о требованиях, предъявляемых к материалам в различных условиях работы [44, 45], этот тип защитного покрытия должен найти более широкое применение. Важно также улучшить его сцепление с основным материалом [46]. [c.439]

Как видно из табл. 4, величина энергии дефекта упаковки у металлов с одним типом кристаллической решетки может различаться весьма существенно. Известно, что увеличение энергии дефекта упаковки затрудняет расщепление дислокаций, уменьшает ширину полосы дефекта упаковки между частичными дислокациями. Это в свою очередь облегчает поперечной скольжение винтовых дислокаций чем уже полоса дефекта упаковки, тем легче образуется перетяжка перед переходом в новую плоскость. Разница в легкости поперечного скольжения и определяет различия картин пластической деформации в металлах с разной энергией дефекта упаковки. Чем эта энергия больше, тем раньше (по уровню напряжений и величине деформации) начинается интенсивное поперечное скольжение, дислокации легче обходят различные барьеры. В результате укорачиваются стадии легкого и множественного скольжения, и пластическое течение в основном осуществляется в условиях интенсивно развитого поперечного скольжения. [c.60]

На ранней стадии развития квантовой механики основное внимание уделялось освобождению атомной теории от ненаблюдаемых и не имеющих физ. смысла элементов (таких, как классич. орбита в теории Бора). Целью было непосредственное определение паблюдае.мых величии типа уровней энергии, характеристик стационарных состояний, вероятностей перехода. Эта цель была достигнута двумя способами, к-рые сначала казались совершенно различными, — в волновой механике де Бройля — Шредингера и в матричной механике Борна — Гейзенберга — Йордана. В 1-м способе уровни энергии и стационарные состояпия получались как собственные значения и собственные ф-ции краевой задачи, связанной с ур-нием Шредингера для волповой ф-ции. Во 2-м способе решение проблемы состояло в отыскании системы матриц Pj, Q , удовлетворяющей канонич. перестановочным соотношениям [c.193]

Почти у всех молекул в основном электронном состоянии суммарный механик. момент электронов равен нулю н магн. С. с. колебательно-вращат. уровней энергии гл. обр. связана с вращением молекулы. В случае двухатомных, линейных многоатомных молекул и молекул типа симметричного волчка (см. Молекула), содержащих одно ядро со спином I на оси молекулы, [c.459]

Химические процессы, используемые для создания активной среды лазеров, должны обеспечивать существенный энерговклад во внутренние степени свободы продуктов реакции достаточную скорость этих процессов по сравнению с процессами релаксации энергии внутренних степеней свободы. Наилучшим образом указанным условиям отвечает широкий класс экзотермических реакций, сопровождающихся образованием колебательно-возбужденных молекул (в настоящее время лазеры на колебательно-вращательных переходах являются основными типами действующих химических лазеров). В области химических лазеров на электронных и чисто вращательных переходах работы носят в основном поисковый характер. Наиболее важными факторами, определяющими возможность использования реакций в химических лазерах на колебательно-вращательных переходах, являются доля энергии реакции идущая на возбуждение колебаний и вид распределения молекул-продуктов по колебательным уровням в первичном акте реакции, т. е. константы скорости реакции для отдель- [c.44]

Донорно-акцепторная связь наблюдается между элементами различных групп периодической системы. Она характеризуется тем, что атомы примесей некоторых элементов отдают по одному электрону в кристаллическую решетку основного элемента. Такие атомы называются донорными. Примесные атомы, которые захватьшают по одному электрону из основного элемента, называются акцепторными. Первые поставляют электроны в зону свободных уровней энергии, вторые создают свободные уровни. Первые создают в веществе электронную электропроводность типа л (negative—отрицательная), вторые — дырочную электропроводность типа р (positive — положительная). [c.33]

Такая модель пригодна для теоретического описания большинства свойств лазерного излучения. Но если мы хотим создать реальный лазер, схема уровней энергии становится более сложной. Можно различить три основных типа таких схем. Первая представлена на рис. 2.8. Электрон атома из основного состояния 1 возбуждается в состояние 3. Такое возбуждение может быть вызвано фотоном света накачки с частотой, соответствующей частоте перехода с уровня 1 на уровень 3 (метод оптической накачки, предложенный Кастлером). Затем электрон безызлучательно или с излучением может перейти с уровня 3 на уровень 2, который связан с уровнем [c.44]

Работы в области создания мощного СОг-лазера для целей ЛТС наиболее активно проводились в США и Японии. В США в Лос-Аламос-ской национальной лаборатории был создан наиболее крупный лазер этого типа HELIOS (на энергию 10 кДж), и был разработан проект С02-лазера ANTARES , на энергию 40 кДж. В середине 80-х годов работы в области С02-лазеров для ЛТС были прекращены. Основная причина состояла в сложной физике взаимодействия длинноволнового излучения СОг-лазера (Л = 10,6 мкм) с веществом. Эксперименты показали, что на уровне энергии лазера равной 10 кДж невозможно предотвратить негативное влияние генерации быстрых электронов на сжатие мишени. Позже, однако, были опубликованы расчетнотеоретические работы, в которых было показано, что в достаточно массивных мишенях, соответствующих энергии лазерного излучения, превышающей 0,5-1 МДж, прогрев быстрыми электронами термоядерного вещества мишени (на стадии сжатия) может быть предотвращен за счет торможения электронов в оболочке мишени. Более того, было показано, что перенос энергии быстрыми электронами из низкоплотной области поглощения излучения п 10 см ) (которая соответствует низкой критической плотности плазмы, образующейся при воздействии длинноволнового излучения СОг-лазера) в более плотные слои вещества испаряемой части мишени приводит к генерации абляционного давления, сравнимого со случаем воздействия коротковолнового лазерного излучения [7]. Поэтому, в случае СОг-лазера может иметь место парадоксальная ситуация, лазер этого типа может не быть годным для демонстрации лабораторной термоядерной вспышки, но может оказаться весьма перспективным как реакторный драйвер. [c.26]

Следует ожидать, что в металлах могут существовать дополнительные степени свободы, связанные с движением свободных электронов поэтому здесь можно говорить об электронных возбуждениях. В некоторых телах вырожденные электронные уровнн могут расщепляться под действием локальных электрических и магнитных полей на ряд дискретных подуровней, с переходами между которыми (называемыми переходами Шоттки) также связан новый тип тепловых возбуждений. К этому типу принадлежит, кроме того, переход между основным и возбужденным электронными состояниями при малой разности энергий, что, по-видимому, имеет место у редкоземельных элементов. [c.316]

Для энергии октупольного кванта получается значение примерно в два раза выше, чем для квадрупольного (при одном и том же А). В применении к ядру на согласие формул (3.1) и (3.2) с опытом можно надеяться в лучшем случае для самых низких уровней, т. е. при КВ = 1, 2 и при Покт = 1- Действительно, при увеличении Покт, во-первых, наверняка нарушится гармоничность колебаний, а во-вторых, станут энергетически возможными возбуждения других типов, что резко осложнит энергетический спектр. Посмотрим теперь, насколько согласуются с опытными данными предсказания капельной модели о спектре низколежаш,их уровней ядер. Согласно сказанному чуть выше, если основной уровень имеет характеристику O ", то первым возбужденным должен быть уровень 2+ с энергией, определяемой формулой (3.2). В два раза выше должен лежать уровень 3. Вблизи уровня 3" должны находиться еще три очень близких друг к другу уровня, соответствующих возбуждению [c.86]

В модели оболочек без остаточного взаимодействия состояния нуклонов в ядре полностью описываются самосогласованным потенциалом типа (3.8) (с добавкой (3.9) в применении к протонам). Одним из важнейших применений теории оболочек в целом является получение спинов и четностей основных и некоторых возбужденных состояний ядер. Эта возможность базируется на том, что каждая замкнутая оболочка имеет нулевой полный момент и положительную четность. Поэтому в создании спина и четности уровня ядра принимают участие только нуклоны внешних оболочек. Например, в ядре изотопа кислорода gO основное состояние должно иметь (и действительно имеет) характеристику так как сверх заполненных оболочек Z = 8H yV, = 8в этом ядре имеется один нейтрон в третьей оболочке, начинающейся уровнями ld /j. К сожалению, однако, для большинства ядер такие предсказания оказываются неоднозначными. Рассмотрим для примера ядро изотопа хрома В этом ядре заполнены оболочка Z = 20 и подоболочка N = 28. Сверх этих оболочек в состоянии fy имеются четыре протона, моменты которых могут складываться различными способами по правилу (1.31) с учетом принципа Паули. В результате этого сложения получаются различные состояния с суммарными моментами У = О, 2, 4,. .. В модели без остаточного взаимодействия энергии всех этих состояний одинаковы. Поэтому без допущений о виде остаточного взаимодействия нельзя сказать, каким должен быть спин основного состояния ядра 24Сг . Последовательный учет остаточного взаимодействия сложен и математически громоздок. Поэтому мы ограничимся рассмотрением модели оболочек с феноменологическим спариванием, в которой остаточное взаимодействие учитывается предельно простым способом. В этой модели принимается, что остаточное взаимодействие приводит к спариванию одинаковых нуклонов. С явлением спаривания мы уже встречались в гл. И, 3, п. 5. Оно состоит в том, что нуклоны одного сорта стремятся объединиться внутри ядра в пары с нулевым суммарным моментом и положительной четностью. Допущение о феноменологическом спаривании, как видно, совершенно не усложняет математического аппарата модели. Ниже мы увидим, что оно существенно расширяет область применимости оболочечных представлений. [c.98]

Доноры. Заполненные при отсутствии внешних энергетических воздействий (теплота, свет) примесные уровни расположены р запрещенной зоне около дна зоны проводимости (рис. 8-1, б). При этом энергия активации примесных атомов меньше, чем ширина запрещенной зоны основного полупроводника, а потому при нагреве тела переброс электронов примеси будет опережать возбуждение злектронов решетки. Положительные заряды, возникшие у отдален-ь ых друг от друга примесных атомов (на рис. 8-1,6 уровни примеси г оказаны с разрывами), остаются локализованными, т. е. не могут блуждать по кристаллу и участвовать в электропроводности. Полу-лроводник с такой примесью имеет концентрацию электронов, большую, чем концентрация дырок, появившихся за счет перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости, и его называют полупроводником п-типа, а примеси, поставляющие электроны в зону проводимости, — донорами. [c.233]

При падении солнечного излучения на р-п переход с разомкнутой внешней цепью прои зойдет смещение уровней Ферми (рис. 5,14) Это связано с тем, что фотоны с энергиями превышающими ширину запрещенной зоны могут вызывать образование пар основных и неосновных носителей в веществе с проводимостью п- и р-типа. Возникающие дополнительные носители заряда увеличивают уровень Ферми в веществе, имеющем проводимость [c.99]

Особое механическое поведение материалов с кубической структурой типа алмаза обусловлено наличием в них высокой степени направленности ковалентной связи. Именно эта структурная особенность межатомной связи обусловливает высокое сопротивление решетки скольжению дислокаций во всех системах скольжения, включая основную систему 111J 110). В данном случае вплоть до температуры 0,5 оказывается энергетически более выгодным диссипировать подводимую энергию путем разрыва межатомной связи, чем путем пластического течения. Эти структурные особенности кристаллического строения обусловливают и другие следствия, а именно энергия образования и движения точечных дефектов очень велика, так что при заданной гомологической температуре диффузионные процессы также более заторможены, чем в других классах сплавов более низкого уровня неравновесности структуры. Таким образом, даже при температурах больше 0,6 Tj в случае, например, кремния и германия деформация ползучести, контролируемая диффузией, очень ограниченна. Поэтому элементы и сплавы с алмазоподобной структурой образуют отдельный класс материалов с высоким значением zJG при всех гомологических температурах. [c.261]

Возможность ФП типа диэлектрик — металл была теоретически предсказана jMottom при анализе применимости зонной теории электронных спектров твердых тел, в которой обычно используется одноэлектронное приближение, т. е. предполагается, что каждый электрон движется в силовом поле ионов п всех электронов (кроме рассматриваемого), а парные взаимодействия не учитываются даже для ближайших соседних электронов (эти взаимодействия включены в среднее поле, см. 1.1), В одноэлектронном приближении решением уравнения Шредингера в кристалле являются функции Блоха, а собственные значения энергии образуют энергетические полосы. Число уровней в каждой полосе определяется числом атомов в решетке, вследствие чего образуются квазинепре-рывные энергетические зоны, заполнение которых определяется принципом Паули (см, 1.1, рис, 1.3). Вещества, у которых в основном состояни нет частично заполненных зон, относятся к диэлектрикам и полупроводникам полу.метал-лы и металлы, напротив, характеризуются наличием частично заполненных зон (см, рис. 1.5). [c.114]

К принципиально новому типу источников когерентного света относятся оптические квантовые генераторы (ОКГ), или лазеры, основанные на явлении индуцированного излучения. Принцип действия лазера заключается в том, что состояние равновесия (при котором, как правило, число атомов на основном уровне всегда несколько больше, чем на более высоком энергетическом уровне) нарушается таким образом, чтобы на уровне с большей энергией находилось больше атомов по сравнению с более низким энергетическим уровнем. Такое состояние называется состоянием с отрицательной температурой, так как оно описывается законом Больцмана, а температура имеет отрицательный Зцак при этом наблюдается потеря энергии атомами и увеличение мощности электромагнитной волны. [c.79]

Обычно электронные матричные элементы операторов Са малы по сравнению с колебательными матричными элементами Рг, поэтому оператор fv является основной причиной нарушения приближения Борна —Оппенгеймера. Однако для случая нелинейных молекул типа NH2, переходящих при колебании через линейную конфигурацию, возмущение fev может быть очень важным. В этом случае он описывает взаимодействие между колебательными уровнями двух электронных состояний, которые в линейной конфигурации ядер становятся вырожденными. Важность этого взаимодействия в таких случаях связана с тем, что взаимодействующие электронные состояния могут иметь заметный электронный угловой момент относительно оси симметрии (2) линейной конфигурации молекулы, а энергии взаимодействующих колебательных уровней могут быть очень близкими (вследствие электронного вырождения в линейной конфигурации молекулы). Такое возмущение получило название эффекта Ренера [99, 67]. [c.328]

Нропорциональность температуры вырождения и температуры Дебая постоянной Нланка показывает, что теорема Нернста связана с квантовыми свойствами системы. Для доказательства теоремы Нернста в общем случае необходимо исследовать спектр энергии Ek вблизи основного уровня, т. е. исследовать статистический вес W E N V) вблизи Е = Eq. До настоящего времени это удается сделать только для модельных систем. Во всех исследованных моделях, представляющих физический интерес, спектр энергии вблизи основного уровня таков, что теорема Нернста выполняется. Можно утверждать, что теорема Нернста справедлива во всех случаях, когда нижнюю часть спектра системы удается представить в виде идеального газа квазичастиц (ферми- или бозе-типа). [c.67]

Проблема описания конденсированной среды, подверженной интенсивному внешнему воздействию, является одной из важнейших в современной физике. В последние годы в этом направлении были достигнуты значительные успехи (см. [16, 17, 58, 73, 74, 76-82, 86]). В частности, объяснены основные особенности микроскопической картины структурных фазовых превращений на атомном уровне (например, сегнетоэлектри-ческие и мартенситные превращения, упорядочение и распад твердых растворов). Характерная особенность теории структурных превращений состоит в их разделении на два класса — переходы типа смещения и порядок—беспорядок. Такая классификация определяется координатной зависимостью потенциальной энергии атома и т) для переходов типа смещения реализуется одноямный потенциал (рис. 64 а), а для переходов порядок—беспорядок — двуямный (рис. 646). Соответственно, в первом случае переход сводится к смещению минимума зависимости 7(г), а во втором атомы перераспределяются между минимумами, отвечающими различным координатам К,, Кз. [c.224]

Подобным же образом можно ожидать охлаждения и твёрдых образцов, например, легированных ионами СЫ щёлочегалоидов, накачивая переходы с большим значением Аи [17]. Для достижения этого, образец можно активировать двумя типами почти резонансных примесей и производить накачку той, энергия перехода которой окажется меньше. Если концентрация второй примеси значительно превышает концентрацию первой, то вероятность переноса возбуждения от первой примеси ко второй с участием фононов резко повышается. По существу, комбинация этих двух примесей представляет собой объект, у которого возбуждённое состояние образовано двумя уровнями, верхний их которых сильно вырожден, из-за чего система стремится покинуть это состояние, переходя в основное с излучением фотонов и охлаждая саму решётку кристалла. [c.47]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...