Типы электронные

Магнетрон (прибор М-типа) — электронный генераторный прибор для генерации колебаний СВЧ, в котором катод и анод являются коаксиальными цилиндрами для получения нужных траекторий электронов используется аксиальное магнитное поле, а замедляющая система является резонансной обычно применяются многорезонаторные магнетроны [2]. [c.148]

Кроме испускания у-лучей существует еще один механизм потери энергии возбужденным ядром — испускание электронов внутренней конверсии. В этом процессе, как показывает теория, энергия возбуждения ядра непосредственно (без предварительного испускания у- кванта) передается орбитальному электрону. Очевидно, что в таком механизме будут освобождаться моно-энергетические электроны, энергия которых определяется энергией ядерного перехода и типом электронной орбиты. С наибольшей вероятностью процесс внутренней конверсии идет на /С-электронах. [c.169]

Примесное поглощение наблюдается в полупроводниках и диэлектриках, содержащих примесные атомы. В этом случае поглощение света связано с возбуждением примесных центров или с их ионизацией. Например, в материале л-типа электроны с донорных уровней могут быть возбуждены в зону проводимости. Если доноры (или акцепторы) вносят в запрещенную зону мелкие уровни, то наблюдать примесное поглощение можно лишь при достаточно низких температурах. Действительно, в области высоких температур все эти уровни ионизованы за счет термического возбуждения. Так как энергия ионизации примесных уровней меньше, чем энергия, требуемая для перевода электронов из валентной зоны в зону проводимости, то полосы примесного поглощения лежат за краем собственного поглощения. [c.312]

Вследствие теплового движения электроны могут переходить в более высокое энергетическое состояние. В полупроводнике п-типа электроны из примесных уровней, находящихся под зоной проводимости, переходят в зону проводимости, обусловливая тем самым электропроводность полупроводника. В этом случае носителями электрического заряда являются электроны. [c.602]

В полупроводнике р-типа электроны из валентной зоны могут переходить на примесные уровни. В результате в валентной зоне образуются незаполненные, т. е. вакансионные электронные состояния, называемые дырками. Дырки ведут себя как положительно заряженные частицы. Соответственно этому носителями электричества будут служить дырки. [c.602]

Схема термоэлектрического генератора показана на рис. 8.54. На горячем (с температурой Ti) спае двух полупроводниковых материалов (вверху расположен полупроводник р-типа, внизу — полупроводник п-типа) электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости и перемещаются к холодному спаю с температурой Та, а затем переходят в примесную зону полупроводника /э-типа. В результате в цепи протекает электрический ток по направлению часовой стрелки. На стыке полупроводников п- и р-типов развивается термо-ЭДС [c.576]

Модели полупроводников с электронной и дырочной электропроводностью представлены на рис. 3.17, а. Основные носители заряда в полупроводнике п-типа - электроны - на рисунке обозначены знаком минус. Ионизированные атомы донорной примеси, будучи структурными элементами, не принимают участия в электропроводности. На рисунке они обозначены знаком плюс в кружке. Дырки, которые в электронном полупроводнике также имеют место,на рисунке не изображены, потому что они являются неосновными носителями заряда и концентрация их по сравнению с концентрацией электронов невелика. Аналогичные обозначения сделаны и для дырочного полупроводника. [c.67]

Рассмотрим две отдельно взятые области электронного и дырочного полупроводников, показанные на рис. 8.9, а. Основные носители заряда в полупроводнике /г-типа — электроны (на рис. 8.9,а обозначены знаком минус), а в полупроводнике р-типа—дырки (на рис. 8.9, а обозначены знаком плюс). Ионизированные атомы донорной и акцепторной примеси обозначены соответственно знаками плюс и минус в кружочках. Неосновные носители в электронном и дырочном полупроводниках не обозначены, так как их концентрация очень мала в сравнении с концентрацией основных носителей. [c.280]

I I I I I I воднике -типа электроны являются [c.234]

В настоящее время промышленностью выпущено несколько типов электронно-механических двухкоординатных самописцев ПДС-021, ДРП-1, ДРП-2, ПДП. [c.221]

В 50-х годах большие работы велись по созданию новых и более совершенных типов электронных усилителей, транзисторных преобразователей и усилителей мощности с широтно-импульсной модуляцией и с фазовым способом управления, а также по созданию порошковых, фрикционных и гистерезисных электромагнитных муфт. [c.266]

Наряду с совершенствованием типов электронных приборов, известных еще до войны, за последние два десятилетия разработаны и получили распространение приборы, в которых электронный поток находится во взаимодействии с бегущей электромагнитной волной, распространяющейся по нерезонансной замедляющей системе (часто выполненной в виде проволочной спирали). Получили развитие два класса подобных приборов. Первый из [c.378]

Закон распределения Релея характеризует долговечность некоторых типов электронных ламп и, кроме того, [c.41]

Цельнолитые подшипники из сплава типа электрон А20 или А2М применяются на мощных немецких авиамоторах для подшипников кулачкового валика. [c.213]

Существуют два способа приготовления сплавов типа электрон [16]. По первому способу, разработанному в США и называемому [c.195]

Для разработки метода был выбран самолет Б-58 (США). В его конструкции имеется примерно 20 различных типов электронного оборудования. Каждый тип оборудования состоит из определенного набора стандартных элементов (блоков), полный перечень которых приведен ниже. Элементы (блоков) выполняют одну определенную функцию независимо от того, в какое оборудование они входят. [c.149]

Хотя конструктивный анализ нельзя отнести полностью к точным наукам, тем не менее методы, используемые для анализа конструкций электронных устройств, довольно хорошо разработаны. Применяемые математические и статистические методы подробно описаны в гл. 4, т. I, и гл. 1, т. II. Прогноз надежности электронных систем включает определение числа и типов электронных элементов, выбор (по справочникам или по данным испытаний) показателей надежности для элементов, принятие определенных окружающих условий, установление пределов облегчения режимов работы элементов, определение степени резервирования схем и, наконец, оценку внутренне присущей конструкции надежности. Расчеты для систем средней и более высокой сложности обычно производятся на электронной вычислительной машине. Предсказанный на основе такого анализа показатель надежности хотя и не является точной величиной, но все же позволяет грубо оценить, близка ли надежность конструкции к требуемой надежности. Результаты анализа функциональных механических, гидравлических и пневматических конструкций обычно менее точны. Это объясняется тем, что по используемым элементам обычно имеется меньше данных. Анализ надежности силовых элементов основывается на оценке запасов прочности и преобразовании их с помощью соответствующей системы взвешивания в показатели надежности. [c.42]

Н. (символ V) — лёгкая (возможно, безмассовая) электрически нейтральная не обладающая цветом частица со спином 1/з. Н. участвует в слабом и гравитац. взаимодействиях, принадлежит к классу лептонов, а по статистич. свойствам является фермионом. Наблюдались Н. трёх типов электронные (ч ), мюонные (у ,) и т-нейтрино (V,) в соответствии с наличием трёх типов заряж. лептонов. Н. каждого типа имеют античастицу — антинейтрино (у). Нестабильность Н. пока не обнаружена. Отличит, свойствами Н. являются исключительно большая проникающая способность при низких энергиях и быстрый рост сечений взаимодействий с увеличением энергии. [c.258]

ОСНОВНЫЕ ТИПЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ МАШИН И ОСОБЕННОСТИ РЕШЕНИЯ НА НИХ ИНЖЕНЕРНЫХ ЗАДАЧ [c.17]

Состав силовой цепи всех типов электронных систем зажигания одинаков включатель зажигания, добавочный резистор, катушка зажигания, транзистор-ный коммутатор. [c.23]

Система впрыска (марка, тип) Электронный блок управления (марка, тип) [c.352]

Система зажигания Катушка зажигания Свечи зажигания (марка, тип) Система выпуска и нейтрализации отработавших газов Первый глушитель (марка, тип) Второй глушитель (марка, тип) Нейтрализатор (марка, тип) электронная, бесконтактная [c.402]

Катушка зажигания (марка, тип) электронная [c.109]

Система зажигания Блок управления (марка, тип) электронная, бесконтактная в едином блоке с блоком управления впрыском топлива [c.314]

Для полупроводников носителями зарядов являются электроны проводимости (электронная проводимость -типа) и дырки (дырочная проводимость -типа). Электронами проводимости являются электроны, способные перемещаться по кристаллу. Дырка — электронная вакансия в кристалле полупроводника, обладающая подвижностью. Дырки — положительно заряженный носитель тока в полупроводнике. [c.91]

При низких температурах в переходных металлах проявляется эффект элек-трон-электронного рассеяния, приводящий к появлению квадратичного члена в зависимости удельного сопротивления от температуры. Этот тип электронного рассеяния на большой угол (см. [3], с. 250) может возникать в случае, когда поверхность Ферми несферическая или имеются вклады более чем из одной энергетической зоны. Для большинства переходных металлов этот квадратичный член становится определяющим ниже 10 К. Для ферромагнитных металлов возникает еще одна причина появления еще одного квадратичного члена, обусловленного рассеянием электронов проводимости на магнитных спиновых волнах. Кроме того, для всех ферромагнитных металлов наблюдаются аномалии зависимости удельного сопротивления от температуры вблизи точки Кюри. [c.195]

Ковалентные связи являются направленными, причем углы между связями зависят от числа и типа электронов, принимающих участие в образовании связи. Так, у элементов IVB подгруппы (С, Si, Ge) электронные оболочки s-орбиталей имеют сферическую форму, а электронные оболочки трех р-орбиталей вытянуты в трех взаимно перпендикулярных направлениях. Образующиеся в кристаллической рещетке этих элементов гибридные sp-орбитали имеют одинаковую форму и направлены к вершинам правильного тетраэдра. У элементов подгруппы VB только три неспаренных электрона каждый атом связан ковалентными связями только с тремя ближайшими соседями (рис. 3,6), при этом образуются двух- [c.8]

Хорошую связь керамического покрытия с металлом можно-получить, используя окисел на поверхности металла [2, 3]. Для-этого только необходимо, чтобы сам окисел был связан с металлом-достаточно прочно. Процесс такого соединения протекает в два-стадии 1) подготовительная, на которой осуш ествляется сближение соединяемых веществ на расстояния, требуемые для межатомного взаимодействия и 2) конечная, приводящая к образованию соединения, в которой главную роль играют процессы химического взаимодействия. Это взаимодействие требует определенной величины энергии для активации поверхности подложки, поскольку жидкая или пластичная частица покрытия не будет лимитировать процесс соединения. Энергия активации может сообщаться в виде тепла (термическая активация) или механической энергии упругопластической деформации подложки (при ударе частиц). Величина энергии активации будет зависеть от химического состава соединяемых окислов, энергии связи в окислах и типа электрон- ного взаимодействия. Материал покрытия и окисла на подложке необходимо подбирать в соответствии с диграммами состояния, которые описывают характер взаимодействия между соединяемыми материалами. [c.227]

Работами Л. А. Кубецкого, а также П. В. Тимофеева и С. А. Векшинского была открыта возможность создания многих типов электронных умножителей и их успешного применения в различных областях техники (телевидение, звуковое кино, автоматика и т. д.). [c.320]

В довоенные годы в Советском Союзе было разработано и введено в эксплуатацию несколько типов электронных микроскопов. Среди них магнитный электронный микроскоп ГОИ конструкции акад. А. А. Лебедева, В. Н. Верц-нера и И. Г, Зандина. Конструктивно этот микроскоп можно разделить [c.355]

Подобная картина и по другим видам машин. Так, эксплуатационные расходы различных типов электронно-вычислительных машин только за пять лет их эксплуатации ориентировочно превышают первоначальные затраты на их приобретение в четыре— шесть раз. Предполагается, что расходы на эксплуатацию радиоэлектронной аппаратуры за весь срок службы в 10 раз брльше первоначальных затрат [10]. [c.67]

Вращательная структура электронных спектров. Согласно принципу франка — Кондона, при разрешённом электронном переходе тип симметрии колебат. уровня энергии не изменяется, вращат. структура виб-ронной полосы определяется гл. обр. типом электронного перехода. В частности, вращат. структура электронного перехода Ч) — 2 двухатомной или линейной многоатомной молекулы состоит, как и в случае чисто колебат. спектра, из Р- и й-ветвей, соответствующих вращат. переходам с AJ = —1 и - -1 соответственно. В случае переходов — 2 и т. д. 1 заме- [c.204]

К С. м. прибегают при создании генераторов и уси-Лвтелей любых типов (электронных вакуумных приборов, приборов полупроводниковой электроники, лазеров и т. п.) для обеспечения пространственно-временной [c.485]

В неидеальном Ф.-г., как и в идеальном, граничный импульс Ферми Pf соответствует скачку на ферми-поверх-ности в ф-ции распределения фермн-частиц по импульсам. Импульс Pf разделяет элементарные возбуждения типа электрона вне сферы Ферми и дырки внутри её. Величина скачка уменьшается вследствие взаимодействия между частицами, но его положение не меняется. Притяжение может существенно изменить ф-цию распределения элементарных возбуждений благодаря возникновению связанных состояний, напр, коррелированных пар электронов при фазовом переходе металла в сверхпроводящее состояние (см. Купера эффект). [c.282]

Эксперим. воплощение методов Э. с. сводится к измерению энергетич. спектров электронов, эмитируемых изучаемым объектом под действием зонда под разными углами. Спектры возбуждаются и регистрируются с помощью специально разрабатываемых электронных спектрометров. Все типы электронных спектрометров содержат сверхвысоковакуумную камеру, снабжённую системой откачки, в к-рую помещают исследуемый образец, источник возбуждающего излучения, энергоанализатор, а также регистрирующую аппаратуру. Для изменения угла регистрации электронов в спектрометрах с угл. разрешением и для варьирования угла падения первичных частиц образец, зонд (напр., электронную пушку) и энергоанализатор (или часть этих узлов) монтируют на спец. манипуляторах, обеспечивающих их подвижность в камере. В зависимости от особенностей изучаемого объекта и поставленной задачи спектрометр может иметь шлюзовые устройства для ввода образцов в камеру, дополнит, камеру для их обработки, системы нанесения адсорбатов на поверхность и др. [c.554]

Помимо указанных величин, Э. ч. дополнительно характеризуются ещё рядом квантовых чисел, наз. внутренними . Лептоны несут спецнфич. лептонное число (L) трёх типов электронное L,, равное +1 для е и v мюонное , равное +1 для и v , и равное +1 для т" и v,. [c.601]

Взаимодействие франк-кондоновского типа электронов хромофора с фононами и туннелонами сосредоточено в интегралах перекрывания а Ь) = = (fe a) ф- Sab- Если мы пренебрегаем этим взаимодействием, то а Ь) = = (Ь а) = Sab, и тогда формулы (7.39) принимают следующий вид [c.96]

Система зажигания Катушка зажигания (марка, тип) Свечи зажигания (марка, тип) электронная, бесконтактная, единый блок управления с системой впрыска VW, S3, S4, ВА961АЕ, RU4 или RU6 VW, R0 или RX [c.339]

Полупроводники. Индий — существенная составная часть германиевого транзистора, в котором он действует как присадка и как средство для прикрепления свинцовой проволоки к германиевому кристаллу 16 . В настоящее время в различных областях техники применяются германиевые транзисторы и выпрямители нескольких типов, в том числе с точечным контактом, с поверхностным барьером и с диффузионным сплавленным переходом. Для последнего типа германиевого транзистора, где используется примесный диффузионный р — п — р-переход, требуется значительно больший расход индия. Действие транзистора основано на р — -переходе, который осуществляется, когда происходит превращение германия /j-типа в германий п-типа в твердом состоянии. Германш п-типа образуется при введении в германий высокой степени чистоты специальных примесей, например сурьмы или мышьяка. Эти элементы, имеющие пять электронов на своей внешней орбите (германий имеет четыре электрона), дают избыточные электроны в решетку кристаллического германия. При введении в германий в качестве примеси индия образуется германий р-типа. Поскольку индий имеет на своей внешней орбите три электрона, а терма-ний — четыре, в кристаллической решетке германия наблюдается недостаток электронов, и недостающие электроны известны как дырки. Под влиянием электрического поля избыточные электроны в германии п-тппа движутся к положительному источнику в германии р-типа электроны могут перескакивать в дырки, и дырки появляются в направлении отрицательной клеммы. [c.239]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...